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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDU8780	0.2900	RFQ	81	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道					25 v	35A（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1440 pf @ 13 V	-	50W（TC）
MBRS140	-	RFQ	5077	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				表面安装	DO-214AA，SMB	MBRS140			肖特基		SMB（do-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		40 V		600 mV @ 1 A		1 mA @ 40 V	-65°C〜125°C	1a	-
SGF23N60UFTU	1.4200	RFQ	154	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SGF23N60	标准			75 w	to-3pf	下载					Ear99	8541.29.0095	1					300V，12a，23ohm，15V																							-	600 v	23 a	92 a	2.6V @ 15V，12a	（115µJ）（在），135µJ（（（（）	17NS/60NS
HUF753393	-	RFQ	6949	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HUF7539P3-600039			1			n通道					55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
FQA65N20	-	RFQ	2980	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载						0000.00.0000	1			n通道					200 v	65A（TC）	10V	32MOHM @ 32.5a，10V	5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±30V	7900 PF @ 25 V	-	310W（TC）
GBPC1510W	2.8300	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的												下载					Ear99	8541.10.0080	107
MMBZ5249B	0.0200	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ52				300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		100 na @ 14 V															19 v	23欧姆
1N486B	1.0000	RFQ	1948年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				标准		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		250 v		1 V @ 100 ma		50 NA @ 225 V	175°C	200mA	-
FDB6670S	2.4900	RFQ	19	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					30 V	62a（ta）	4.5V，10V	8.5mohm@ 31a，10v	3V @ 1mA	32 NC @ 5 V	±20V	2639 PF @ 15 V	-	62.5W（TC）
HUF76645P3	1.8700	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道					100 v	75A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
PF53012	0.0600	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）						TO-92-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.21.0095	2,000			n通道												-																				30 V	30 µA @ 10 V	1.7 V @ 1 na
MPSA14	-	RFQ	6568	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000																													30 V	500 MA								100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
MBR0540	-	RFQ	5722	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				表面安装	SOD-123				肖特基		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		40 V		510 MV @ 500 mA		20 µA @ 40 V	-65°C〜125°C	500mA	-
2N5950	-	RFQ	8947	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		30 V		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			-	JFET		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1	n通道			15mA		-	-											-
KSP94TA	-	RFQ	1014	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																													400 v	300 MA								1µA			PNP	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
HUFA76429D3ST	0.9200	RFQ	38	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
1N916A	1.0000	RFQ	1634年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的				通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N916			标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		100 v		1 V @ 20 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
1n970btr	0.0500	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000																								5 µA @ 18.2 V															24 V	33欧姆
FQB19N20TM	0.8800	RFQ	4720	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	254			n通道					200 v	19.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.7A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），140W（tc）
FDPF035N06B_F152	1.0000	RFQ	5073	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					60 V	88A（TC）		3.5MOHM @ 88A，10V	4V @ 250µA	99 NC @ 10 V	±20V	8030 PF @ 30 V	-	46.3W（TC）
FDS4470	0.9100	RFQ	194	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8541.29.0095	329			n通道					40 V	12.5A（TA）	10V	9MOHM @ 12.5a，10V	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	+30V，-20V	2659 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
FDLL300	0.2900	RFQ	436	Fairchild半导体	-	大部分	过时的				表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				标准		SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	2,500		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		125 v		1 V @ 200 MA		1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz
MM3Z2V4C	0.0300	RFQ	106	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F					200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	8,663																						1 V @ 10 mA		45 µA @ 1 V															2.4 v	94欧姆
FDB42AN15A0-F085	1.0000	RFQ	6651	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	过时的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB42			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					150 v	35A（TC）	10V	42MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2040 pf @ 25 V	-	150W（TC）
NDS9959	0.4700	RFQ	7722	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	NDS995			MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2 n 通道（双）							50V	2a		300MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	15nc @ 10V		250pf @ 25V	-
FDG330P	0.3400	RFQ	219	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363				MOSFET （金属 o化物）		SC-88 （SC-70-6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道					12 v	2A（TA）		110MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 250µA	7 NC @ 4.5 V	±8V	477 PF @ 6 V	-	480MW（TA）
SSW2N60BTM	0.4600	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					600 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），54W（tc）
FFPF06U20DNTU	0.3300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	管子	过时的				通过洞	TO-220-3完整包				标准		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	200 v	6a	1.2 V @ 6 A	35 ns	6 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
1N755ATR	0.0200	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000																						1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V															7.5 v	6欧姆
HUF76113DK8T	0.5100	RFQ	77	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm）	HUF76113			MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	US8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							30V	6a（6a）		32MOHM @ 6A，10V	3V @ 250µA	19.2nc @ 10V		605pf @ 25V	逻辑级别门

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²