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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FQH35N40	5.3400	RFQ	846	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		400 v	35A（TC）	10V	105MOHM @ 17.5A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
SSI7N60BTU	0.3900	RFQ	964	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），147W（tc）
SSR2N60BTM	-	RFQ	4472	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		600 v	1.8A（TC）	10V	5ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
HGT1S12N60C3DS	2.1000	RFQ	565	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		104 w		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1				-															32 ns					-	600 v	24 a	96 a	2.2V @ 15V，15a	-	71 NC	-
FMC7G15US60	-	RFQ	4427	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				45 W	三相桥梁整流器	-	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	4	三期逆变器																							-	600 v	15 a		2.8V @ 15V，15a				250 µA	不	948 PF @ 30 V
FMG1G300US60HE	73.7500	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				892 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单身的																							-	600 v	300 a		2.7V @ 15V，300A				250 µA	不
FMC7G30US60	-	RFQ	5546	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				125 w	三相桥梁整流器	-	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																							-	600 v	30 a		2.8V @ 15V，30a				250 µA	不	1.97 NF @ 30 V
FMG2G75US120	55.8100	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga	FMG2			445 w	标准	7 pm-ga	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	15	半桥																							-	1200 v	75 a		3V @ 15V，75a				3 ma	不
RURP860_NL	-	RFQ	2564	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			标准			TO-220-2	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.5 V @ 8 A	70 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
HUF76132S3ST	0.9800	RFQ	9	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	120W（TC）
SFP9520	0.1900	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			P通道		100 v	6A（TC）	10V	600mohm @ 3a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	49W（TC）
SI3455DV	-	RFQ	5620	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		30 V	3.6a（ta）	4.5V，10V	75MOHM @ 3.6A，10V	3V @ 250µA	5 nc @ 5 V	±20V	298 pf @ 15 V	-	800MW（TA）
IRFS530a	0.4500	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		100 v	10.7A（TC）	10V	110MOHM @ 5.35a，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	32W（TC）
IRFS520A	0.3400	RFQ	2724	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	640			n通道		100 v	7.2A（TC）	10V	200mohm @ 3.6a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	28W（TC）
FFA30U20DNTU	1.0000	RFQ	6455	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	200 v	30a	1.2 V @ 30 A	40 ns	30 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
IRFP350A	-	RFQ	9980	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	36			n通道		400 v	17a（TC）	10V	300MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 25 V	-	202W（TC）
RFP50N06_NL	-	RFQ	3974	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2020 PF @ 25 V	-	131W（TC）
SI9426DY	-	RFQ	5109	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		20 v	10.5a（ta）	2.7V，4.5V	13.5MOHM @ 10.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±8V	2150 pf @ 10 V	-	1W（ta）
PN2907ARA	0.0200	RFQ	1868年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	PN2907			625兆		TO-92（to-226）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	4,000																									60 V	800 MA						50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
PN222222ARP	-	RFQ	7038	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	PN2222			625兆		TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1																									40 V	1 a						10NA			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	300MHz
SI6426DQ	0.1900	RFQ	23	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		20 v	5.4A（ta）	2.5V，4.5V	35MOHM @ 5.4A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	710 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
SI3454DV	-	RFQ	9310	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	671			n通道		30 V	4.2A（ta）	4.5V，10V	65mohm @ 4.2A，10V	2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 15 V	-	800MW（TA）
SI3447DV	-	RFQ	8313	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	5.5A（ta）	1.8V，4.5V	33mohm @ 5.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±8V	1926 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
SI9926DY	0.2200	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI9926		MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				20V	6.5A（TA）		30mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 250µA	10NC @ 4.5V		700pf @ 10V	-
FDD5N53TM	0.4000	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		530 v	4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	640 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRF630a	-	RFQ	4655	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	650 pf @ 25 V	-	72W（TC）
IRF610B	0.3400	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±30V	225 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IRF9510R4941	-	RFQ	6749	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			P通道		100 v	3A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	20W（TC）
FDB7042L	0.6000	RFQ	119	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	50a（ta）	4.5V，10V	7.5mohm @ 25a，10v	2V @ 250mA	51 NC @ 4.5 V	±12V	2418 pf @ 15 V	-	83w（ta）
MPSA14D26Z	-	RFQ	9603	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	2,000																									30 V	1.2 a						100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²