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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BC556	0.0400	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																													65 v	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
SS9018FBU	0.0200	RFQ	127	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	SS9018		400MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1					-																								15V	50mA				NPN		54 @ 1mA，5V	1.1GHz			-
BZX79C11	0.0300	RFQ	102	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	11,539																							1.5 V @ 100 ma		100 na @ 8 V							11 V	20欧姆
FQI3N25TU	0.3400	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			250 v	2.8A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），45W（（（（（（（（（（
TIP122TU	1.0000	RFQ	9382	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP122		2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																													100 v	5 a	500µA			npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
HUF76629D3S	0.7000	RFQ	38	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道			100 v	20A（TC）		52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1285 PF @ 25 V	-	110W（TC）
FFPF04U40STU	0.2300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				400 v	1.4 V @ 4 A	45 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜150°C	4a	-
SB340	0.2000	RFQ	2266	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		肖特基		DO-201-201	下载				Ear99	8541.10.0080	801		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				40 V	490 mv @ 3 a		500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	3a	-
KSD471ACYTA	0.1000	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			800兆	TO-92-3	下载				Ear99	8542.39.0001	3,174																													30 V	1 a	100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	130MHz
1N456ATR	0.0300	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0070	11,539		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				30 V	1 V @ 100 ma		25 na @ 25 V	175°c （最大）	500mA	-
FQPF14N15	0.5500	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			150 v	9.8A（TC）	10V	210MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±25V	715 PF @ 25 V	-	48W（TC）
1N5237B	0.0300	RFQ	71	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞				500兆		下载				Ear99	8541.10.0050	11,539																									3 µA @ 6.5 V							8.2 v	8欧姆
MJD45H11TM	-	RFQ	3505	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD45		1.75 w	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1,158																													80 V	8 a	10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	40MHz
MMBT2907	0.0300	RFQ	8604	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	10,000																													40 V	800 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
FDPF3860T	1.0000	RFQ	9802	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道			100 v	20A（TC）	10V	38.2MOHM @ 5.9A，10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	33.8W（TC）
ES2DAF	0.2300	RFQ	884	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ad，Smaf	ES2D	标准		DO-214AD（SMAF）	下载				Ear99	8541.10.0080	1,399		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																				200 v	950 mv @ 2 a	35 ns	1 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	2a	30pf @ 4V，1MHz
FQA17N40	1.7200	RFQ	398	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	450			n通道			400 v	17.2A（TC）	10V	270MOHM @ 8.6A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190w（TC）
flz11vb	0.0200	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	15,000																							1.2 V @ 200 ma		133 na @ 8 V							10.7 v	8.5欧姆
FJN4303RTA	0.0200	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN430		300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																													50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
mpsa05ra	0.0700	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载				Ear99	8542.39.0001	5,829																													60 V	500 MA	100µA（ICBO）			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
KSB546YTU	-	RFQ	7526	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			25 w	TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1																													150 v	2 a	50µA（ICBO）			PNP	1V @ 50mA，500mA	120 @ 400mA，10v	5MHz
FDLL333	-	RFQ	1548年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		SOD-80	下载				Ear99	8542.39.0001	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				125 v	1.15 V @ 300 mA		3 na @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz
FDP050AN06A0	-	RFQ	4914	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					0000.00.0000	1			n通道			60 V	18A（18A），80A（80A）（TC）	6V，10V	5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	245W（TC）
HUFA75309D3S	0.2400	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道			55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
SI4953DY	0.6300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	SI4953	MOSFET （金属 o化物）	900MW（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1	2（p 通道（双）					30V	4.9a（ta）		53MOHM @ 4.9A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		750pf @ 15V	-
MMSZ5235B	0.0200	RFQ	361	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																							900 mv @ 10 ma		3 µA @ 5 V							6.8 v	5欧姆
FDD5690	1.0000	RFQ	9120	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道			60 V	30A（TC）	6V，10V	27mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	-	3.2W（ta），50W（TC）
FKN08PN40S	0.1400	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			15 ma												逻辑 -敏感门	400 v	800 MA	2 v	8a @ 60Hz	5 ma
FDN360P	-	RFQ	1062	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			P通道			30 V	2A（TA）	4.5V，10V	80mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	298 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
FDD8453LZ-F085	0.5800	RFQ	3248	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道			40 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	3515 PF @ 20 V	-	118W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²