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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
TN4033A	0.0900	RFQ	99	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		TN4033			1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	2,000																											80 V	1 a						50NA（iCBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，5V	-
SGP40N60UFTU	3.7800	RFQ	49	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SGP40	标准		160 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000				300V，20a，10ohm，15V																						-	600 v	40 a	160 a	2.6V @ 15V，20A	160µJ（在）上，200µJ（200µJ）	97 NC	15NS/65NS
FGPF70N30	0.7800	RFQ	701	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FGPF7	标准		52 w	TO-220F	-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1				-																						-	300 v		160 a	1.5V @ 15V，20A	-	71 NC	-
1N5251BTR	0.0300	RFQ	274	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 ma		100 na @ 17 V													22 v	29欧姆
PN100	0.0400	RFQ	998	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																											45 v	500 MA						50NA			NPN	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，5V	250MHz
FGH40T120SMDL4	-	RFQ	8823	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			标准		555 w	TO-247	下载				Ear99	8542.39.0001	1				600V，40a，10ohm，15V																	65 ns					沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.4V @ 15V，40a	2.24mj（在）上，1.02MJ（）	370 NC	44NS/464NS
FFPF10H60STU	0.4800	RFQ	9	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包				标准		TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v	2.5 V @ 10 A	40 ns	1 ma @ 600 V	-65°C〜150°C	10a	-
1N4736A	0.0300	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	下载				Ear99	8541.10.0050	1																				1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 4 V													6.8 v	3.5欧姆
FLZ27VD	0.0200	RFQ	34	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	2,500																				1.2 V @ 200 ma		133 na @ 21 V													27 V	38欧姆
FNB81560T3	11.8900	RFQ	720	Fairchild半导体	MOTIONSPM®8	大部分	积极的			通过洞	25-PowerDip 模块（ 0.815英寸，20.70mm）	IGBT						下载				Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器					15 a	600 v	1500vrms
提示105TU	0.6400	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载				Ear99	8541.29.0095	469																											60 V	8 a						50µA			pnp-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	1000 @ 3A，4V	-
BC847A	0.0800	RFQ	27	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000																											45 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
FES16BT	-	RFQ	6801	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2				标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	100 v	950 MV @ 8 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	16a	170pf @ 4V，1MHz
FJY4014R	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY401			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	15,000																											50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
FDC655AN	1.7900	RFQ	299	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				MOSFET （金属 o化物）		SuperSot™-6	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	1			n通道						30 V	6.3a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 6.3a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	830 pf @ 15 V	-	1.6W（TA）
KSA539YBU	0.0300	RFQ	8619	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					400兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	9,000																											45 v	200 ma						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 15mA，150mA	120 @ 50mA，1V	-
FCI25N60N	-	RFQ	9481	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		FCI25		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			n通道						600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
SSS2N60B	0.1900	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	2A（TJ）	10V	5ohm @ 1A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	23W（TC）
FSBS10SH60I	10.8400	RFQ	4	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
MMBZ5250B	-	RFQ	5047	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																				900 mv @ 10 ma		100 na @ 15 V													20 v	25欧姆
FDP045N10A	1.0000	RFQ	5768	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FDP045		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			n通道						100 v	120A（TC）	10V	4.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	263W（TC）
FSBM10SM60A	18.5000	RFQ	176	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	48	3期					10 a	600 v	2500vrms
FCP16N60N	3.2600	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	93			n通道						600 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	52.3 NC @ 10 V	±30V	2170 pf @ 100 V	-	134.4W（TC）
BD13910S	0.2500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1.25 w	TO-126-3	下载				Ear99	8541.29.0095	1,219																											80 V	1.5 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
HUF76439S3ST	-	RFQ	5618	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载				Ear99	8542.39.0001	209			n通道						60 V	75A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	180W（TC）
MMBTH34	0.1900	RFQ	51	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					225MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000					-																						40V	50mA									NPN		15 @ 20mA，2V	500MHz			-
FJP555555STU	0.4100	RFQ	8	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
FCH190N65F-F085	-	RFQ	9438	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道						650 v	20.6A（TC）	10V	190mohm @ 27a，10v	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	3181 PF @ 25 V	-	208W（TC）
FQPF6N40C	0.5900	RFQ	7	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
EGP10B	0.1200	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向		EGP10		标准		DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0080	2,542		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	100 v	950 MV @ 1 A	50 ns	5 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²