RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FGPF30N30TDTU	0.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			标准		44.6 w		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50				200V，20a，20 ohm，15v																		22 ns					沟	300 v		80 a	1.5V @ 15V，10A	-	65 NC	22NS/130NS
FQT4N20TF	0.3200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-4	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					200 v	850mA（TC）	10V	1.4OHM @ 425mA，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	2.2W（TC）
FQA28N50	1.0000	RFQ	5988	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FQA2		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1			n通道					500 v	28.4a（TC）	10V	160MOHM @ 14.2A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
2N5772	-	RFQ	4526	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					350兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	15,000																												15 v	300 MA						500NA					NPN	500mv @ 3mA，300mA	30 @ 30mA，400mv	-
RFD8P06LE	0.3300	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			P通道					60 V	8A（TC）	4.5V，5V	300mohm @ 8a，5v	2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±10V	675 PF @ 25 V	-	48W（TC）
1N973B	1.8400	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	163																							5 µA @ 25.1 V														33 V	58欧姆
But11atu	0.5400	RFQ	97	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		But11			100 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																												450 v	5 a						1ma					NPN	1.5V @ 500mA，2.5a	-	-
FDS2672	-	RFQ	5526	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					200 v	3.9a（ta）	6V，10V	70mohm @ 3.9a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	2535 PF @ 100 V	-	2.5W（TA）
FQP8N90C	1.0000	RFQ	8403	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1			n通道					900 v	6.3a（TC）	10V	1.9OHM @ 3.15a，10V	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±30V	2080 pf @ 25 V	-	171W（TC）
2N5550TA	0.0400	RFQ	64	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载				Ear99	8541.21.0075	8,036																												140 v	600 MA						100NA（ICBO）					NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	300MHz
1N4743ATR	0.0300	RFQ	153	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w		DO-204AL（DO-41）	下载				Ear99	8541.10.0050	11,053																							5 µA @ 9.9 V														13 V	10欧姆
FMG1G75US60L	39.0100	RFQ	52	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	7 pm-ga					310 w	标准	7 pm-ga	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	15	单身的																										-	600 v	75 a		2.8V @ 15V，75a				250 µA	不			7.056 NF @ 30 V
BCX59-9	-	RFQ	7759	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载				Ear99	8541.21.0095	1																												45 v	100 ma						-					NPN	-	250 @ 2mA，5v	125MHz
FFAF15U120DNTU	2.1400	RFQ	360	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3				标准			to-3pf	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	1200 v	15a	3.5 V @ 15 A	100 ns	15 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C
BC558BTA	0.0300	RFQ	7121	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		BC558			500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	2,859																												30 V	100 ma						15NA（icbo）					PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
FQPF3N60	0.4600	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					600 v	2A（TC）	10V	3.6OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 25 V	-	34W（TC）
FDD6632	0.1400	RFQ	17	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	9A（TC）	4.5V，10V	70MOHM @ 9A，10V	3V @ 250µA	4 NC @ 5 V	±20V	255 pf @ 15 V	-	15W（TC）
BC559	0.0400	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000																												30 V	100 ma						15NA（icbo）					PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
BC547BTF	-	RFQ	1720年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					500兆		TO-92-3	下载					0000.00.0000	1																												45 v	100 ma						15NA（icbo）					NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
SB540	-	RFQ	7476	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向				肖特基			DO-201-201	下载					0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	40 V		550 mv @ 5 a		500 µA @ 40 V	-50°C〜150°C	5a	-
TIP32CTU	0.2500	RFQ	132	Fairchild半导体	TIP32C	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																												100 v	3 a						300µA					PNP	1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
MMBZ5236B	-	RFQ	6303	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			300兆		SOT-23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6 V														7.5 v	6欧姆
1N4740A	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w		do-41	下载				Ear99	8541.10.0050	9,779																					1.2 V @ 200 ma		10 µA @ 7.6 V														10 v	7欧姆
BC860C	-	RFQ	5673	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					250兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,186																												45 v	100 ma						15NA（icbo）					PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
FSBB20CH60L	36.2800	RFQ	157	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件			Ear99	8542.39.0001	60	3期				20 a	600 v	2500vrms
FDMC8678	0.7000	RFQ	336	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）			Power33	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	（15a）（TA），18A （TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 15A，10V	3V @ 1mA	34 NC @ 10 V	±20V	2075 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），41W（（（（TC）
FDMC4436BZ	0.2900	RFQ	23	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	-	-				-			-	下载	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000			-						-	-	-	-		-		-	-
SS9013FTA	-	RFQ	4673	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	2,000																												20 v	500 MA						100NA（ICBO）					NPN	600mv @ 50mA，500mA	78 @ 50mA，1V	-
BC33716TFR	0.0400	RFQ	4034	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,272																												45 v	800 MA						100NA					NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
1N5404	-	RFQ	5611	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		1N5404		标准			DO-201-201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.10.0080	1,250		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	400 v		1.2 V @ 3 A	1.5 µs	500 NA @ 400 V	-50°C〜175°C	3a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²