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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FQD12P10TM	1.0000	RFQ	3275	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					100 v	9.4A（TC）	10V	290MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
RHRG5060-F085	-	RFQ	4183	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2		RHRG5060		标准			TO-247-2	-	不适用	3（168））		2156-RHRG5060-F085	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																600 v	2.1 V @ 50 A	60 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	50a	-
1N5821	0.2000	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		1N58		肖特基			DO-201-201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,603		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																30 V	900 MV @ 9.4 A		2 ma @ 30 V	-50°C〜150°C	3a	-
FJY3010R	0.0200	RFQ	1471	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY301			200兆		SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																										40 V	100 ma						100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
HGT1S7N60A4DS	-	RFQ	2626	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			标准		125 w		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				390V，7a，25ohm，15V																34 ns					-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	55µJ（在）上，60µJ（60µJ）	37 NC	11NS/100NS
1N750ATR	-	RFQ	4887	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		做–204AH	下载					Ear99	8541.10.0050	1																			1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V														4.7 v	19欧姆
MMSZ5233B	0.0200	RFQ	182	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123		MMSZ52			500兆		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3.5 V														6 V	11欧姆
FJY4006R	0.0500	RFQ	23	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY400			200兆		SOT-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																										50 V	100 ma						100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
1N747ATR	-	RFQ	3449	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆		DO-35（do-204AH）	下载	不适用				Ear99	8541.10.0050	5,000																			1.5 V @ 200 ma		10 µA @ 1 V														3.6 v	24欧姆
SB130	0.0900	RFQ	60	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向				肖特基			do15/do204ac	下载					Ear99	8541.10.0080	3,386		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																30 V	500 mv @ 1 A		500 µA @ 30 V	-50°C〜150°C	1a	-
SGL40N150TU	8.5300	RFQ	459	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA		SGL40	标准		200 w		HPM F2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	375				-																					-	1500 v	40 a	120 a	4.7V @ 15V，40a	-	140 NC	-
RB521S30	-	RFQ	2184	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-79，SOD-523				肖特基			SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																30 V	500 mV @ 200 ma		30 µA @ 10 V	-55°C〜125°C	200mA	-
FDD2612	0.8300	RFQ	2	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					200 v	4.9a（ta）	10V	720MOHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	234 pf @ 100 V	-	42W（TA）
NDB603AL	0.3300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	800			n通道					30 V	25A（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 25a，10v	3V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 15 V	-	50W（TC）
MMSD4148	-	RFQ	4598	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SOD-123		MMSD41		标准			SOD-123	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																100 v	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	150°C （最大）	200mA	4pf @ 0v，1MHz
TN6726A	0.1000	RFQ	39	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					1 w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,000																										30 V	1.5 a						100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	-
FQB20N06LTM	-	RFQ	9801	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	107			n通道					60 V	21a（TC）	5V，10V	55mohm @ 10.5a，10v	2.5V @ 250µA	13 NC @ 5 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	3.75W（TA），53W（tc）
S3A	1.0000	RFQ	9473	Fairchild半导体	联盟塑料，s	大部分	过时的			表面安装	DO-214AB，SMC				标准			SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																50 V	1.15 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 50 V	-50°C〜150°C	3a	-
FSBM30SM60A	24.2900	RFQ	100	Fairchild半导体	SPM®	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT							下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	48	3期				30 a	600 v	2500vrms
FDS3580	-	RFQ	5946	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					80 V	7.6a（ta）	6V，10V	29MOHM @ 7.6A，10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
FDP2D3N10C	-	RFQ	6950	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FDP2D3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道					100 v	222a（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	4V @ 700µA	152 NC @ 10 V	±20V	11180 pf @ 50 V	-	214W（TC）
FMG1G300US60LE	73.7500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					892 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																								-	600 v	300 a		2.7V @ 15V，300A				250 µA	不
SS9013HBU	0.0200	RFQ	885	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,000																										20 v	500 MA						100NA（ICBO）				NPN	600mv @ 50mA，500mA	144 @ 50mA，1V	-
KSP27TA	0.0200	RFQ	2417	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,890																										60 V	500 MA						100NA（ICBO）				npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	-
MMSZ5237B	0.0200	RFQ	132	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123		MMSZ52			500兆		SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																			900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6.5 V														8.2 v	6欧姆
PN3638	0.0200	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		PN36			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	17,374																										25 v	800 MA						35na				PNP	1V @ 30mA，300mA	30 @ 300mA，2V	-
FDP6676	0.9800	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	84a（ta）	4.5V，10V	6mohm @ 42a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	5324 pf @ 15 V	-	93W（TC）
FGPF30N30TDTU	0.8400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			标准		44.6 w		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				200V，20a，20 ohm，15v																22 ns					沟	300 v		80 a	1.5V @ 15V，10A	-	65 NC	22NS/130NS
FQT4N20TF	0.3200	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			SOT-223-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					200 v	850mA（TC）	10V	1.4OHM @ 425mA，10V	5V @ 250µA	6.5 NC @ 10 V	±30V	220 pf @ 25 V	-	2.2W（TC）
FQA28N50	1.0000	RFQ	5988	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FQA2		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道					500 v	28.4a（TC）	10V	160MOHM @ 14.2A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²