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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
KSC2310YTA	0.0800	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																						150 v	50 mA						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 10mA，5V	100MHz
FJX3007RTF	0.0200	RFQ	488	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	FJX300			200兆	SC-70（SOT323）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																						50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
FGPF70N33BTTU	0.9700	RFQ	3	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		48 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			-																		沟	330 v		220 a	1.7V @ 15V，70a	-	49 NC	-
FQT3P20TF_SB82100	-	RFQ	7758	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道		200 v	670mA（tc）	10V	2.7OHM @ 335mA，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
ISL9V5036S3	-	RFQ	1273	Fairchild半导体	Ecospark®	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		逻辑		250 w	TO-262AA	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			300V，1KOHM，5V																		-	390 v	46 a		1.6V @ 4V，10a	-	32 NC	- /10.8µs
FQPF7N40	0.5500	RFQ	552	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	552		n通道		400 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.3a，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	780 pf @ 25 V	-	42W（TC）
FQPF3P20	0.2900	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		200 v	2.2A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.1a，10v	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	32W（TC）
FDMC7572S	-	RFQ	4065	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		25 v	22.5a（TA），40a tc）	4.5V，10V	3.15MOHM @ 22.5A，10V	3V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	2705 pf @ 13 V	-	2.3W（TA），52W（TC）
MMPQ2222	0.6800	RFQ	133	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MMPQ22			1W	16-Soic	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	2,500																						30V	500mA						50NA（iCBO）			4 npn（Quad）	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	300MHz
FLZ5V6C	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	15,000															1.2 V @ 200 ma		750 na @ 2.5 V													5.8 v	10.5欧姆
HUF75339S3S_TR4935	0.7300	RFQ	5377	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	123
1N483B	6.0900	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N483		标准		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	54	小信号= <200ma（io（io），任何速度													80 V	1 V @ 100 ma		25 na @ 60 V	175°c （最大）	200mA	-
HUF76143P3	0.7000	RFQ	108	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	75A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	225W（TC）
FQA7N80L	-	RFQ	5467	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-						0000.00.0000	1
HUF75332P3_NL	-	RFQ	7342	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	60a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	145W（TC）
提示116	0.2000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1200																						80 V	2 a						2mA			pnp-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	25MHz
1N4755A-T50A	0.0500	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4755			1 w	do-41	下载					Ear99	8541.10.0050	6,354																	5 µA @ 32.7 V													43 V	70欧姆
HUFA76419p3	0.2800	RFQ	18	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400		n通道		60 V	29A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 29a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FPN660A	0.1800	RFQ	11	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				1 w	TO-226	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,500																						60 V	3 a						100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 200mA，2a	250 @ 500mA，2V	75MHz
BZX79C5V1	0.0300	RFQ	203	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539															1.5 V @ 100 ma		2 µA @ 2 V													5.1 v	60欧姆
MM3Z62VB	0.0200	RFQ	3951	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	MM3Z62			200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1															1 V @ 10 mA		45 NA @ 43.4 V													62 v	202欧姆
FDD6796	0.6100	RFQ	15	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	20A（20A），40a tc（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 20A，10V	3V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2315 PF @ 13 V	-	3.7W（TA），42W（tc）
FJPF13007H1TTU	0.4300	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				40 W	TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1																						400 v	8 a						-			NPN	3V @ 2a，8a	15 @ 2a，5v	4MHz
FQD12P10TM	1.0000	RFQ	3275	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		100 v	9.4A（TC）	10V	290MOHM @ 4.7A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
RHRG5060-F085	-	RFQ	4183	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			通过洞	TO-247-2	RHRG5060		标准		TO-247-2	-	不适用	3（168））		2156-RHRG5060-F085	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2.1 V @ 50 A	60 ns	250 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	50a	-
1N5821	0.2000	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	1N58		肖特基		DO-201-201	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,603	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V	900 MV @ 9.4 A		2 ma @ 30 V	-50°C〜150°C	3a	-
FJY3010R	0.0200	RFQ	1471	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY301			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																						40 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	250 MHz	10 kohms
HGT1S7N60A4DS	-	RFQ	2626	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		125 w	D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			390V，7a，25ohm，15V													34 ns					-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	55µJ（在）上，60µJ（60µJ）	37 NC	11NS/100NS
1N750ATR	-	RFQ	4887	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	做–204AH	下载					Ear99	8541.10.0050	1															1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V													4.7 v	19欧姆
MMSZ5233B	0.0200	RFQ	182	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3.5 V													6 V	11欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²