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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDMC2512SDC	-	RFQ	2558	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					25 v	32A（ta），40a tc）	4.5V，10V	2mohm @ 27a，10v	2.5V @ 1mA	68 NC @ 10 V	±20V	4410 PF @ 13 V	-	3W（3W），66w（tc）（TC）
TIP29A	-	RFQ	7289	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	889																				60 V	1 a					300µA			NPN	700mv @ 125mA，1a	40 @ 200ma，4V	3MHz
TN3019A	0.1500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,500																				80 V	1 a					10NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	100MHz
FQAF16N25	0.9200	RFQ	682	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360		n通道					250 v	12.4A（TC）	10V	230mohm @ 6.2a，10v	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	85W（TC）
HUFA76645S3S	1.2100	RFQ	3305	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	176		n通道					100 v	75A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
NDS8434A	-	RFQ	1167	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道					20 v	7.8A（ta）	2.5V，4.5V	24mohm @ 7.9a，4.5V	1V @ 250µA	55 NC @ 4.5 V	±8V	1730 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
FDSS2407_SB82086	0.7300	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDSS2407_SB82086-600039			1
FDMS8672S	0.7300	RFQ	20	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	17a（17a），35A（tc）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	3V @ 1mA	47 NC @ 10 V	±20V	2515 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
BD13610STU	0.3200	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3					1.25 w	TO-126-3	下载					Ear99	8541.29.0095	933																				45 v	1.5 a					100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
RFD14N05SM9A	1.0000	RFQ	1816年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道					50 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	48W（TC）
FQNL1N50BTA	-	RFQ	2765	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	944		n通道					500 v	270mA（tc）	10V	9ohm @ 135mA，10v	3.7V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	1.5W（TC）
FQPF3N50C	0.7000	RFQ	20	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道					500 v	3A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFS540A	0.6600	RFQ	92	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道					100 v	17a（TC）	10V	52MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	-	1710 PF @ 25 V	-	39W（TC）
MMBTA42-FS	-	RFQ	9829	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					240兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																				300 v	500 MA					100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
PN200	0.0500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	6,217																				45 v	500 MA					50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
IRFI840BTU	0.4300	RFQ	61	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），134W（TC）
FQA15N70	5.1700	RFQ	379	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					700 v	15A（TC）	10V	560MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	3630 PF @ 25 V	-	300W（TC）
FDPF44N25TRDTU	1.1800	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F（LG形成）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道					250 v	44A（TC）	10V	69mohm @ 22a，10v	5V @ 250µA	61 NC @ 10 V	±30V	2870 pf @ 25 V	-	38W（TC）
HGT1S14N41G3VLS	2.0000	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			逻辑		136 w	TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-																-	445 v	25 a	-	-	26 NC	-
FDP5500	2.2600	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		FDP55		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道					55 v	80A（TC）	10V	7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	269 NC @ 20 V	±20V	3565 pf @ 25 V	-	375W（TC）
HUF75545P3_R4932	-	RFQ	2302	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-						0000.00.0000	1
BZX85C3V6	0.0300	RFQ	88	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C3			1.3 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 ma	20 µA @ 1 V									3.6 v	20欧姆
MMBT4403K	0.0700	RFQ	7955	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,285																				40 V	600 MA					-			PNP	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	200MHz
PN5138	0.0700	RFQ	7233	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	4,022																				30 V	500 MA					50NA（iCBO）			PNP	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 10mA，10v	-
SFW9Z24TM	0.4300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道					60 V	9.7a（TC）	10V	280MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），49W（tc）
FQD2N90TF	0.5500	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道					900 v	1.7A（TC）	10V	7.2OHM @ 850mA，10V	5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	500 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），50W（50W）（TC）
KSB1116YTA	0.0500	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																				50 V	1 a					100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 50mA，1a	135 @ 100mA，2V	120MHz
FDB035AN06A0	2.9500	RFQ	1	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	102		n通道					60 V	22a（22A），80a tc（TC）	6V，10V	3.5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FSBS10CH60T	-	RFQ	2019	Fairchild半导体	Motion-SPM®	大部分	积极的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT	FSB10					-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	3期			10 a	600 v	2500vrms
FQA90N08	-	RFQ	8478	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FQA90N08	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					80 V	90A（TC）	10V	16mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3250 pf @ 25 V	-	214W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²