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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
MBR4060PT	1.5800	RFQ	855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			肖特基			to-3p	下载					Ear99	8541.10.0080	207		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	60 V	40a	800 mv @ 20 a		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
KSC2785YTA	0.0200	RFQ	338	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				250兆		TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																									50 V	150 ma								100NA（ICBO）					NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
TN5415A	0.0500	RFQ	1778年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w		TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,456																									200 v	100 ma								50µA					PNP	2.5V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
FJV4101RMTF	0.0200	RFQ	113	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV410			200兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																									50 V	100 ma								100NA（ICBO）					pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
1N4751ATR	0.0300	RFQ	43	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	10,414																				5 µA @ 22.8 V																30 V	40欧姆
KSB1116YBU	1.0000	RFQ	6782	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																									50 V	1 a								100NA（ICBO）					PNP	300mv @ 50mA，1a	135 @ 100mA，2V	120MHz
FCU7N60TU	-	RFQ	9785	Fairchild半导体	SuperFet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	55			n通道		600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	83W（TC）
FQP13N06	0.3100	RFQ	79	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		60 V	13A（TC）	10V	135mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	310 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FQAF17P10	0.9000	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			P通道		100 v	12.4A（TC）	10V	190mohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	56W（TC）
IRFP140	1.0000	RFQ	1537年	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	25			n通道		100 v	31a（TC）		77mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V		1700 PF @ 25 V	-
FMS6G20US60	-	RFQ	7259	Fairchild半导体	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa				89 w	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器																							-	600 v	20 a		2.7V @ 15V，20A						250 µA	是的			1.277 NF @ 30 V
FDMC0225	0.1400	RFQ	200	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDMC02		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000													-
FJN3306RTA	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN330			300兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																									50 V	100 ma								100NA（ICBO）					npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
KSD526Y	1.0000	RFQ	5008	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				30 W		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																									80 V	4 a								30µA（ICBO）					NPN	1.5V @ 300mA，3a	120 @ 500mA，5V	8MHz
FDLL4448_D87Z	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			标准			SOD-80	下载					Ear99	8542.39.0001	15,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
SGF80N60UFTU	4.7500	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	SGF80N60	标准		110 w		to-3pf	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				300V，40a，5ohm，15V																				-	600 v	80 a	220 a	2.6V @ 15V，40a	（570µJ）（在590µJ上）	175 NC	23ns/90ns
FQPF2N50	0.3400	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		500 v	1.3A（TC）	10V	5.3OHM @ 650mA，10V	5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	20W（TC）
FGR15N40A	0.3200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）		逻辑		1.25 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				300V，150a，51Ohm，4V																				-	400 v	8 a	150 a	6V @ 4V，150a	-	41 NC	180NS/460NS
flz9v1b	0.0200	RFQ	4948	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆		SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,433																		1.2 V @ 200 ma		300 na @ 6 V																8.8 v	6.6欧姆
FDH300_Q	1.2400	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
FJC2383OTF	0.0700	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				500兆		SOT-89-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,000																									160 v	1 a								1µA（ICBO）					NPN	1.5V @ 50mA，500mA	100 @ 200ma，5v	100MHz
FDD6670AL	1.0100	RFQ	48	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	84a（ta）	4.5V，10V	5mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	56 NC @ 5 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	83w（ta）
FQI9N50TU	0.9800	RFQ	756	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		500 v	9A（TC）	10V	730MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），147W（tc）
FMM7G50US60N	28.1700	RFQ	39	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	模块				139 w	三相桥梁整流器	-	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-FMM7G50US60N	Ear99	8541.29.0095	11	三期逆变器																							-	600 v	50 a		2.7V @ 15V，50a						250 µA	是的			3.565 NF @ 30 V
DF06S2	-	RFQ	2935	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼			标准			4-SDIP	下载					Ear99	8541.10.0080	1																		1.1 V @ 1 A		5 µA @ 600 V		2 a										单相	600 v
FDMC2512SDC	-	RFQ	2558	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		25 v	32A（ta），40a tc）	4.5V，10V	2mohm @ 27a，10v	2.5V @ 1mA	68 NC @ 10 V	±20V	4410 PF @ 13 V	-	3W（3W），66w（tc）（TC）
TIP29A	-	RFQ	7289	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	889																									60 V	1 a								300µA					NPN	700mv @ 125mA，1a	40 @ 200ma，4V	3MHz
TN3019A	0.1500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				1 w		TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,500																									80 V	1 a								10NA（ICBO）					NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	100MHz
FQAF16N25	0.9200	RFQ	682	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道		250 v	12.4A（TC）	10V	230mohm @ 6.2a，10v	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	85W（TC）
HUFA76645S3S	1.2100	RFQ	3305	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	176			n通道		100 v	75A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²