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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FSAM10SH60	14.3700	RFQ	95	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	48	3期					10 a	600 v	2500vrms
2N7000-D26Z	-	RFQ	1096	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道						60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	3V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
FDMC8884-F126	-	RFQ	6391	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	-				2156-FDMC8884-F126			1			n通道						30 V	（9A）（15A）（15A）TC）	4.5V，10V	19mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），18W（tc）
MMBT5089	-	RFQ	3523	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT5089			350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																			25 v	100 ma						50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	400 @ 100µA，5V	50MHz
HUF76445S3S	0.8400	RFQ	513	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	75A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±16V	4965 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FQB9N25TM	0.5300	RFQ	6551	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	52			n通道						250 v	9.4A（TC）	10V	420MOHM @ 4.7A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），90W（tc）
SGS10N60RUFDTU	1.0000	RFQ	8047	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		SGS10N60	标准		55 w	TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1					300V，10a，20 ohm，15V																								60 ns					-	600 v	16 a	30 a	2.8V @ 15V，10a	141µJ（在）（215µJ）上	30 NC	15NS/36N
HUF76443S3S	1.5500	RFQ	400	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						60 V	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	129 NC @ 10 V	±16V	4115 PF @ 25 V	-	260W（TC）
FDMS8674	0.5300	RFQ	147	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	17a（17a），21a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
HUFA75344P3_NL	1.0000	RFQ	1029	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
IRF710	0.3700	RFQ	19	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						400 v	2A（TC）		3.6ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	36W（TC）
FDR8508P	1.3800	RFQ	21	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）		FDR85		MOSFET （金属 o化物）	800MW	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）								30V	3a		52MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	12nc @ 5V		750pf @ 15V	逻辑级别门
FDU8870	0.9800	RFQ	55	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道						30 V	21a（21a），160a （TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±20V	5160 pf @ 15 V	-	160W（TC）
FQAF70N15	2.3700	RFQ	925	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道						150 v	44A（TC）	10V	28mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±25V	5400 PF @ 25 V	-	130W（TC）
NDS9947	0.7000	RFQ	23	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		NDS994		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）								20V	3.5a		100mohm @ 3.5a，10v	3V @ 250µA	13nc @ 10V		542pf @ 10V	逻辑级别门
FDW264P	1.4100	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500			P通道						20 v	9.7A（ta）	2.5V，4.5V	10mohm @ 9.7a，4.5V	1.5V @ 250µA	135 NC @ 5 V	±12V	7225 pf @ 10 V	-	1.3W（TA）
FGPF30N45TTU	1.0100	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			标准		50.4 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50					-																													沟	450 v		120 a	1.6V @ 15V，20A	-	73 NC	-
FKN08PN60	0.1600	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）						TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			15 ma															逻辑 -敏感门	600 v	800 MA	2 v	8a，9a	5 ma
提示105	1.0000	RFQ	5507	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示105			2 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																																			60 V	8 a						50µA			pnp-达灵顿	2.5V @ 80mA，8a	2000 @ 3A，4V	-
FJP5554	1.0000	RFQ	2934	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					70 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000																																			400 v	4 a						250µA			NPN	1.5V @ 1A，3.5A	20 @ 800mA，3v	-
FDI040N06	1.7200	RFQ	252	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	120A（TC）	10V	4mohm @ 75a，10v	4.5V @ 250µA	133 NC @ 10 V	±20V	8235 PF @ 25 V	-	231W（TC）
FQP3P50	1.0000	RFQ	6719	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道						500 v	2.7A（TC）	10V	4.9ohm @ 1.35a，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	660 pf @ 25 V	-	85W（TC）
FDH300ATR	0.0200	RFQ	5187	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																								125 v		1 V @ 200 MA		1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz
FSV2060L	-	RFQ	1376	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn				肖特基		TO-277-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								60 V		600 mv @ 20 a		320 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	20a	771pf @ 4V，1MHz
FQPF18N20V2YDTU	1.0800	RFQ	101	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道						200 v	18A（TC）	10V	140MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	40W（TC）
MBR4060PT	1.5800	RFQ	855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				肖特基		to-3p	下载					Ear99	8541.10.0080	207		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																							1对普通阴极	60 V	40a	800 mv @ 20 a		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
KSC2785YTA	0.0200	RFQ	338	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3					250兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																																			50 V	150 ma						100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
TN5415A	0.0500	RFQ	1778年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,456																																			200 v	100 ma						50µA			PNP	2.5V @ 5mA，50mA	30 @ 50mA，10v	-
FJV4101RMTF	0.0200	RFQ	113	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV410			200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																																			50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	200 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
1N4751ATR	0.0300	RFQ	43	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	10,414																														5 µA @ 22.8 V													30 V	40欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²