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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
flz2v2a	-	RFQ	3701	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±4％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																					1.2 V @ 200 ma		55 µA @ 700 mV											2.2 v	35欧姆
FGA4060ADF	2.2300	RFQ	275	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			标准		238 w	to-3pn	下载					Ear99	8541.29.0095	1				400V，40a，6ohm，15V																		26 NS			沟渠场停止	600 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	1.37mj（在）上，250µJ降低）	55.5 NC	16.8NS/54.4NS
MM3Z16VB	0.0200	RFQ	2220	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F					200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																					1 V @ 10 mA		45 NA @ 11.2 V											16 V	37欧姆
KSC2334Y	0.7000	RFQ	600	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					1.5 w	TO-220-3	下载						0000.00.0000	429																										100 v	7 a						10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 500mA，5a	120 @ 3a，5v	-
D44C8	1.0000	RFQ	8509	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		D44C			60 W	TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																										60 V	4 a						10µA			NPN	500mv @ 50mA，1a	20 @ 2a，1V	40MHz
IRFS614B	0.1800	RFQ	80	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,664			n通道					250 v	2.8A（TJ）	10V	2ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	22W（TC）
HUFA76437S3ST	1.2100	RFQ	9	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道					60 V	71A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 71a，10v	3V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±16V	2230 PF @ 25 V	-	155W（TC）
BZX85C33	1.0000	RFQ	5973	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向		BZX85C33			1.3 w	do-41g	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																					1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 24 V											33 V	35欧姆
BD240A	0.2300	RFQ	8277	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					30 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,022																										60 V	2 a						300µA			PNP	700mv @ 200mA，1a	15 @ 1A，4V	-
FDZ7064N	1.3900	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	30-WFBGA				MOSFET （金属 o化物）		30-BGA （4x3.5）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	7MOHM @ 14.5A，10V	2V @ 250µA	43 NC @ 4.5 V	±12V	3843 PF @ 15 V	-	2.2W（ta）
FFSH30120ADN-F155	-	RFQ	9741	Fairchild半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3				SIC （碳化硅）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）																1对普通阴极	1200 v	15A（DC）	1.75 V @ 15 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C
FDS6690S	0.9600	RFQ	427	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	10a（10a）	4.5V，10V	16mohm @ 10a，10v	3V @ 1mA	16 NC @ 5 V	±20V	1233 pf @ 15 V	-	1W（ta）
1N5230BTR	0.0200	RFQ	73	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																					1.2 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V											4.7 v	19欧姆
FJX4013RTF	0.0500	RFQ	3520	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323		FJX401			200兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	4,812																										50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
FGPF70N30TRDTU	1.1600	RFQ	4	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
FPAM50LH60	31.8600	RFQ	1	Fairchild半导体	PFCSPM®2	大部分	积极的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						下载					Ear99	8542.39.0001	1	2期				50 a	600 v	2500vrms
FJC1308PTF	0.0900	RFQ	5622	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					500兆	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	148																										30 V	3 a						500NA			PNP	450mv @ 150mA，1.5a	80 @ 500mA，2V	-
1N4370A	2.2400	RFQ	46	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	135																					1.5 V @ 200 ma		100 µA @ 1 V											2.4 v	30欧姆
HUF76107D3S	0.4000	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	20A（TC）	4.5V，10V	52MOHM @ 20a，10v	3V @ 250µA	10.3 NC @ 10 V	±20V	315 pf @ 25 V	-	35W（TC）
FDMS8848NZ	1.0100	RFQ	993	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					40 V	22.8a（ta），49a（tc）	4.5V，10V	3.1MOHM @ 22.8A，10V	3V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	8075 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），104W（tc）
FQA5N90	1.1200	RFQ	523	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450			n通道					900 v	5.8A（TC）	10V	2.3OHM @ 2.9a，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1550 pf @ 25 V	-	185W（TC）
FDB52N20TM	-	RFQ	2904	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					200 v	52A（TC）	10V	49mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±30V	2900 PF @ 25 V	-	357W（TC）
MPS6534	0.0400	RFQ	82	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																										40 V	800 MA						50NA（iCBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	90 @ 100mA，1V	-
FNA22512A	1.0000	RFQ	9038	Fairchild半导体	MOTIONSPM®2	大部分	积极的			通过洞	34-PowerDip 模块（1.480英寸，37.60mm）	IGBT						下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期				25 a	1.2 kV	2500vrms
FDU6N25	0.2500	RFQ	8	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	1,211			n通道					250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.2a，10V	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	50W（TC）
HUFA764393	0.5700	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道					60 V	75A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±16V	2745 PF @ 25 V	-	155W（TC）
FDMS86204	0.8700	RFQ	21	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定				3,000
RFP12N10L	-	RFQ	5242	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RFP12N10L-600039			1
KSP8099TF	0.0200	RFQ	25	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000																										80 V	500 MA						100NA			NPN	300mv @ 10mA，100mA	100 @ 1mA，5V	150MHz
FFA10U120DNTU	1.6200	RFQ	902	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				标准		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	1200 v	10a	3.5 V @ 10 A	100 ns	10 µA @ 1200 V	-65°C〜150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²