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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SFU9210TU	0.3200	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		200 v	1.6A（TC）	10V	3ohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	285 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），19W（tc）
SGL25N120RUFTU	1.0000	RFQ	6403	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	SGL25N	标准		270 w		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			600V，25a，10ohm，15V												-	1200 v	40 a	75 a	3V @ 15V，25a	1.6mj（在）上，1.63mj off）	165 NC	30NS/70NS
2N4126	0.0200	RFQ	75	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1																25 v	200 ma						50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	120 @ 2mA，1V	250MHz
IRFW730BTMNL	0.5900	RFQ	49	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		400 v	5.5A（TC）	10V	1OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），73W（tc）
irfu130atu	0.4100	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	13A（TC）	10V	110MOHM @ 6.5a，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），41W（TC）
BC857C	0.0700	RFQ	6936	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857			250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
ksp2222a	-	RFQ	5922	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1
irfu214btu	-	RFQ	2521	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		250 v	2.2A（TC）	10V	2ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	2.5W（25W），25W（tc）
1N958	0.0200	RFQ	6848	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±20％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	1,000														75 µA @ 4.8 V										7.5 v	5.5欧姆
IRFS720B	0.1800	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	3.3a（TJ）	10V	1.75OHM @ 1.65a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	33W（TC）
IRFW520ATM	0.4000	RFQ	774	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	774		n通道		100 v	9.2A（TC）	10V	200mohm @ 4.6A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
BC857CMTF	0.0200	RFQ	105	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857			310 MW	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000																45 v	100 ma						15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
IRFS254BFP001	0.2700	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		250 v	16A（TC）	10V	140MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	90W（TC）
KSC2330YH2TA	0.2100	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1																300 v	100 ma						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	120 @ 20mA，10v	50MHz
HUF75344P3_NL	1.1800	RFQ	312	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
HUFA76413DK8	0.3100	RFQ	5694	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUFA76413		MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	291	2 n 通道（双）			60V	5.1A（TC）		49mohm @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	23nc @ 10V		620pf @ 25V	逻辑级别门
sgp5n60ruftu	0.5100	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP6N	标准		60 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			300V，5A，40OHM，15V												-	600 v	8 a	15 a	2.8V @ 15V，5A		24 NC	13ns/34ns
NDS9435	0.9500	RFQ	37	Fairchild半导体	Si9xxx	大部分	积极的		-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			5.3a	-	-	-		-		-	2W
NDB7052L	0.7600	RFQ	800	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		50 V	75A（TC）	5V，10V	7.5MOHM @ 37.5A，10V	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	4030 PF @ 25 V	-	150W（TC）
ISL9N306AD3	0.8700	RFQ	8	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	50A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 50a，10v	3V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 15 V	-	125W（TA）
SFI9Z24TU	0.1900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		60 V	9.7a（TC）	10V	280MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	600 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），49W（tc）
HUF75631SK8	0.9500	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	5.5A（ta）	10V	39mohm @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	79 NC @ 20 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
HUF76113SK8	0.5500	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm）			MOSFET （金属 o化物）		US8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	30mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
HUF76129D3ST	0.5200	RFQ	42	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	20A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	105W（TC）
FDP6035L	0.8100	RFQ	3	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	58A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1230 pf @ 15 V	-	75W（TC）
FQD3N60CTM	-	RFQ	2545	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	2.4A（TC）	10V	3.4OHM @ 1.2A，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±30V	565 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FQB85N06TM	1.4200	RFQ	23	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	85A（TC）	10V	10mohm @ 42.5a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±25V	4120 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），160w（tc）
FDS6676	1.7700	RFQ	13	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	14.5A（TA）	4.5V，10V	7MOHM @ 14.5A，10V	3V @ 250µA	63 NC @ 5 V	±16V	5103 PF @ 15 V	-	1W（ta）
IRF820B	1.0000	RFQ	7283	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1
FDD13AN06A0_NL	-	RFQ	6377	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	9.9a（ta），50a （TC）	6V，10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	115W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²