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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDP039N08B	2.4200	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										-		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDP039N08B-600039			1
BD678AS	0.2800	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				14 W		TO-126-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BD678AS-600039			1																60 V	4 a						500µA			pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
KSC5321TU	0.2400	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-KC5321TU-600039			1
IRF654B	0.9600	RFQ	447	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达受影响	2156-IRF654B-600039			1
BCP68	0.0500	RFQ	125	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w		SOT-223-4	-		供应商不确定	到达不受影响	2156-BCP68-600039			1																20 v	1 a						10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	-
NDP708AE	2.2600	RFQ	3	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156P708AE-600039			1
RFP4N05L	0.5300	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-RFP4N05L-600039			1
2n7002-g	-	RFQ	4946	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002		MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2N7002-G	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		60 V	115mA（tc）	5V，10V	7.5OHM @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	200MW（TC）
NTP082N65S3F	-	RFQ	5306	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-NTP082N65S3F	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		650 v	40a（TC）	10V	82MOHM @ 20A，10V	5V @ 1mA	81 NC @ 10 V	±30V	3410 PF @ 400 V	-	313W（TC）
FDMS8350L	2.1700	RFQ	981	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			Power56	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDMS8350L	Ear99	8541.29.0095	139		n通道		40 V	47A（TA），290A （TC）	4.5V，10V	0.85MOHM @ 47A，10V	3V @ 250µA	242 NC @ 10 V	±20V	17500 PF @ 20 V	-	2.7W（ta），113W（tc）
FDMS3672	-	RFQ	7179	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-MLP（5x6），Power56	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDMS3672	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	7.4A（TA），22a （TC）	6V，10V	23mohm @ 7.4a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2680 pf @ 50 V	-	2.5W（ta），78W（tc）
FDB8445	-	RFQ	5935	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FDB8445	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		40 V	70A（TC）	10V	9MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	3805 PF @ 25 V	-	92W（TC）
FMM7G50US60I	28.1700	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	模块				139 w	三相桥梁整流器	-	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-FMM7G50US60I	Ear99	8541.29.0095	1	三期逆变器														-	600 v	50 a		2.7V @ 15V，50a				250 µA	是的	3.565 NF @ 30 V
FGA90N30DTU	2.5200	RFQ	70	Fairchild半导体	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		219 w		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			-											21 ns	-	300 v	90 a	220 a	1.4V @ 15V，20A	-	87 NC	-
BC337	1.0000	RFQ	6122	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆		TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																45 v	800 MA						100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	210MHz
FDB8445-F085	1.0000	RFQ	7636	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	不适用				Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	70A（TC）	10V	9MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	3805 PF @ 25 V	-	92W（TC）
FDC796N	0.6400	RFQ	988	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SSOT平高，Supersot™-6 FLMP			MOSFET （金属 o化物）			supersot™-6 flmp	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	12.5A（TA）	4.5V，10V	9MOHM @ 12.5a，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1444 pf @ 15 V	-	2W（TA）
HUFA76413D3S	0.2700	RFQ	8	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	49mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±16V	645 pf @ 25 V	-	60W（TC）
BC636TFR	-	RFQ	2847	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				1 w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	7,695																45 v	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
KSC2335RTU	1.0000	RFQ	2324	Fairchild半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				1.5 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																400 v	7 a						10µA（ICBO）			NPN	1V @ 600mA，3a	20 @ 1a，5v	-
BC549BBU	-	RFQ	7555	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	300MHz
FQP5P20	1.0000	RFQ	1738年	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		200 v	4.8A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.4a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BC32725TF	-	RFQ	9485	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																45 v	800 MA						100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
BC32725	0.0600	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																45 v	800 MA						100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
ISL9V3036D3ST	1.9600	RFQ	19	Fairchild半导体	Ecospark®	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		逻辑		150 w		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			300V，1KOHM，5V												-	360 v	21 a		1.6V @ 4V，6A	-	17 NC	- /4.8µs
FDS9933Bz	0.5100	RFQ	11	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS99		MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			20V	4.9a		46mohm @ 4.9A，4.5V	1.5V @ 250µA	15nc @ 4.5V		985pf @ 10V	逻辑级别门
FQD3N30TF	0.2900	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道		300 v	2.4A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.2A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FDMS3616S	0.8300	RFQ	65	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		表面安装	8-POWERTDFN	FDMS3616		MOSFET （金属 o化物）	1W		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			25V	16a，18a		6.6mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	27nc @ 10V		1765pf @ 13V	逻辑级别门
BD14010S	1.0000	RFQ	6439	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1.25 w		TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	250																80 V	1.5 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
KSA940H2TU	-	RFQ	1692年	Fairchild半导体	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				1.5 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50																150 v	1.5 a						10µA（ICBO）			PNP	1.5V @ 50mA，500mA	40 @ 500mA，10V	4MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²