分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 开启状态 (It (AV))（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
BCR16CM-12LBAP#BB0	3.2000年	询价	第376章	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-BCR16CM-12LBAP#BB0			94
2SC945A-TA	-	询价	2159	瑞萨	*	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SC945A-TA-1833			1
RD18P-T1-AY	0.3600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.39%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD18P-T1-AY	EAR99	8541.10.0050	1																														13V时为10μA													18V	45欧姆
2SJ328-Z-E1-AZ	-	询价	6110	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-220贴片	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ328-Z-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			P沟道				60V	20A（塔）	4V、10V	60毫欧@10A、10V	2V@1mA	85nC@10V	±20V	2150pF@10V	-	1.5W（Ta）、75W（Tc）
HZM8.2NB2TR-E	0.1500	询价	21	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.08%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM8.2NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																														5V时为2μA													8.19V	30欧姆
2SK3431-AZ	2.8600	询价	第554章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3431-AZ	EAR99	8541.29.0095	105			N沟道				40V	83A（温度）	4V、10V	5.6毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	110nC@10V	±20V	6100pF@10V	-	1.5W（Ta）、100W（Tc）
HZU12B1TRF-E	0.1200	询价	54	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-76A			200毫W	2-URP	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZU12B1TRF-E	EAR99	8541.10.0050	1																														9V时为2μA													11.66V	35欧姆
RD39P-T2-AZ	-	询价	5446	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.13%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD39P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																														10μA@30V													39伏	130欧姆
RD3.0UM-T1-AT	-	询价	2708	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD3.0UM-T1-AT			1
HZU6.2B2JTRF-E	0.0700	询价	84	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZU6.2B2JTRF-E-1833			1
RD6.2P-T2-AZ	0.3700	询价	14	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.45%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD6.2P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																														3V时为20μA													6.2V	10欧姆
NP32N055SDE-E1-AZ	1.0700	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP32N055SDE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道				55V	32A（温度）	4.5V、10V	24毫欧@16A，10V	2.5V@250μA	41nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	1.2W（Ta）、66W（Tc）
HSU83WTRF-E	-	询价	5254	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-76A		标准		2-URP	-				2156-HSU83WTRF-E			1		小信号=< 200mA (Io)，任意速度																									250伏	1.2V@100mA	100纳秒	100μA@300V	150℃	100毫安	3pF @ 0V、1MHz
NP60N04ILF-E1-AZ	1.9300	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP60N04ILF-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道				40V	60A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	75nC@10V	±20V	3900pF@25V	-	1.2W（Ta）、100W（Tc）
RD6.2E-AZ	0.0600	询价	139	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RD6.2E-AZ-1833			1
RD16FM-T1-AZ	-	询价	3559	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD16FM-T1-AZ			1
2SA1226(0)-T1B-A	-	询价	5482	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	SC-59	-				2156-2SA1226(0)-T1B-A			1						-																													40V	30毫安									国民党		40@1mA，10V	400兆赫			3.5dB@1MHz
BCR25CM-12LB#BB0	-	询价	8733	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-BCR25CM-12LB#BB0			1	单身的																标准	600伏	25A	2V	250A@50Hz	50毫安
HR1A3M(0)-T1-AZ	-	询价	6926	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	TO-243AA			2W	SC-62	-				2156-HR1A3M(0)-T1-AZ			1																																			60V	1A						100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	350mV@10mA、500mA	100@500mA，2V		1欧姆	1欧姆
RJK0349DSP-00#J0	-	询价	8794	瑞萨	-	大部分	的积极		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-				2156-RJK0349DSP-00#J0			1			N沟道				30V	20A（塔）	4.5V、10V	3.8毫欧@10A、10V	2.5V@1mA	25nC@4.5V	±20V	3850pF@10V	-	2.5W（塔）
CR08AS-12-T14#F10	-	询价	4310	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				尤帕克	-				2156-CR08AS-12-T14#F10			1				3毫安														600伏	1.26A	800毫伏	10A@60Hz	100微安	1.5V	800毫安	500微安	标准回报率
2SB1261(1)-AZ	0.8400	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			2W	TO-252 (MP-3Z)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SB1261(1)-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																																			60V	3A						10μA（ICBO）			国民党	300mV@150mA，1.5A	100@600mA，2V	50兆赫
RJK6011DP3-A0#J2	0.9900	询价	45	瑞萨	-	大部分	过时的		-	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA		MOSFET（金属O化物）		SOT-223	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RJK6011DP3-A0#J2	EAR99	8541.21.0095	1			N沟道				600伏	100毫安	-	-	-		-		-	-
HZU8.2B2TRF-EQ	0.0600	询价	第351章	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU8.2B2TRF-EQ-1833			1
RD3.0P-T1-AZ	0.3500	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD3.0P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1
RJK1002DPP-E0#T2	-	询价	6033	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-				2156-RJK1002DPP-E0#T2			1			N沟道				100伏	80A（塔）	10V	7.6毫欧@35A，10V	4V@1mA	147nC@10V	±20V	10000pF@10V	-	30W（温度）
RD3.6FS(0)-T1-AY	-	询价	5422	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD3.6FS(0)-T1-AY			1
RD5.6E-T1-AZ	-	询价	2508	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.27%	175°C（太焦）	通孔	DO-204AH、DO-35、宗教			500毫W	DO-35	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RD5.6E-T1-AZ-1833			1																														2.5V时为5μA													5.6V	13欧姆
RJP60D0DPK-01#T0	2.0700	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	标准		140W	TO-3P	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJP60D0DPK-01#T0	EAR99	8541.29.0095	1					300V，22A，5欧姆，15V																													-	600伏	45A	90A	2.2V@15V，22A	-	45℃	35纳秒/90纳秒
CR6CM-12A#BB0	-	询价	9680	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-CR6CM-12A#BB0			1				15毫安														600伏	9.4A	1V	90A@50Hz	10毫安	1.7V	6A	2毫安	标准回报率

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²