SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) 当前 - 关闭状态(最大) 可控硅类型 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
2SB804-D-T1-AZ Renesas 2SB804-D-T1-AZ -
询价
ECAD 6963 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SB804-D-T1-AZ 1
HAT1146C-EL-E Renesas HAT1146C-EL-E -
询价
ECAD 6451 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-HAT1146C-EL-E 1
HZM27NB-JTR-E Renesas HZM27NB-JTR-E 0.1500
询价
ECAD 66 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZM27NB-JTR-E-1833 1
CR5AS-12A#C01 Renesas CR5AS-12A#C01 -
询价
ECAD 3436 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MP-3A - 2156-CR5AS-12A#C01 1 3.5毫安 600伏 7.8安 800毫伏 90A@60Hz 100微安 1.8V 5A 1毫安 灵敏门
RD8.2M(1)-T1B-A Renesas RD8.2M(1)-T1B-A 0.3000
询价
ECAD 132 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD8.2M(1)-T1B-A EAR99 8541.10.0050 993
2SK3447TZ-E Renesas 2SK3447TZ-E 0.4100
询价
ECAD 10 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 长体 MOSFET(金属O化物) TO-92MOD - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-2SK3447TZ-E EAR99 8541.21.0095 第728章 N沟道 150伏 1A(塔) 4V、10V 1.95欧姆@500mA,10V 2.5V@1mA 4.5nC@10V ±20V 10V时为85pF - 900毫W(塔)
HZM11NB2TL-E Renesas HZM11NB2TL-E 0.1600
询价
ECAD 6 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.09% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM11NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 8V时为2μA 10.99V 30欧姆
2SD571-T-AZ Renesas 2SD571-T-AZ -
询价
ECAD 5984 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SSIP - - 2156-2SD571-T-AZ 1 100nA(ICBO) NPN 600mV@2mA、20mA - 110兆赫
2SK3481-AZ Renesas 2SK3481-AZ -
询价
ECAD 5665 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3481-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100V 30A(温度) 4.5V、10V 50毫欧@15A,10V 2.5V@1mA 48nC@10V ±20V 2300pF@10V - 1.5W(Ta)、56W(Tc)
RJK5012DPP-MG#T2 Renesas RJK5012DPP-MG#T2 2.3100
询价
ECAD 第478章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FN 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJK5012DPP-MG#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 500V 12A(塔) 10V 620毫欧@6A,10V 4.5V@1mA 29nC@10V ±30V 1100pF@25V - 30W(温度)
KA4F3R(0)-T1-A Renesas KA4F3R(0)-T1-A -
询价
ECAD 3352 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 200毫W SC-75 - 2156-KA4F3R(0)-T1-A 1 50V 100毫安 100nA(ICBO) NPN - 预偏置 200mV@250μA,5mA 95@50mA,5V 2.2欧姆 47欧姆
NP28N10SDE-E1-AY Renesas NP28N10SDE-E1-AY 1.3400
询价
ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZK) 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP28N10SDE-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100V 28A(温度) 4.5V、10V 52毫欧@14A,10V 2.5V@250μA 75nC@10V ±20V 3300pF@25V - 1.2W(Ta)、100W(Tc)
2SC3380AS04UR-E Renesas 2SC3380AS04UR-E 1.0000
询价
ECAD 5490 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SC3380AS04UR-E 1
RD11P-T1-AZ Renesas RD11P-T1-AZ 0.3400
询价
ECAD 12 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.45% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W SOT-89 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 2156-RD11P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 8V时为10μA 11伏 20欧姆
HZU6.8B2JTRF-E Renesas HZU6.8B2JTRF-E 0.1300
询价
ECAD 87 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±4.93% 150°C(太焦) 表面贴装 SC-76A 200毫W 2-URP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZU6.8B2JTRF-E EAR99 8541.10.0050 1 2μA@3.5V 6.8V 30欧姆
HZM9.1NB1TL-E Renesas HZM9.1NB1TL-E 0.1500
询价
ECAD 80 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.11% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 2156-HZM9.1NB1TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2μA@6V 8.75V 30欧姆
RD27FM(D)-T1-AZ Renesas RD27FM(D)-T1-AZ -
询价
ECAD 8548 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD27FM(D)-T1-AZ 1
HZU12B2JTRF-E Renesas HZU12B2JTRF-E 0.1000
询价
ECAD 42 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZU12B2JTRF-E-1833 1
HZM6.8NB3TL-E Renesas HZM6.8NB3TL-E 0.1500
询价
ECAD 30 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM6.8NB3TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2μA@3.5V 7V 30欧姆
RJH1BF7DPQ-E0#T2 Renesas RJH1BF7DPQ-E0#T2 7.7000
询价
ECAD 217 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJH1BF7DPQ-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1
2SC4901YK-TR-E Renesas 2SC4901YK-TR-E 0.5400
询价
ECAD 213 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 100毫W 3-CMPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-2SC4901YK-TR-E EAR99 8541.29.0095 1 - 9V 50毫安 NPN 50@20mA,5V 9GHz 1.2dB@900MHz
BCR12FM-14LJ#BB0 Renesas BCR12FM-14LJ#BB0 -
询价
ECAD 3991 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3全包 TO-220FP - 2156-BCR12FM-14LJ#BB0 1 单身的 标准 800V 12A 1.5V 120A@60Hz 30毫安
2SB605-T-AZ Renesas 2SB605-T-AZ -
询价
ECAD 5729 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SSIP - - 2156-2SB605-T-AZ 1 100nA(ICBO) 国民党 350mV@50mA、500mA 90@100mA,1V 120兆赫
UPA2752GR-E1-A Renesas UPA2752GR-E1-A 1.3000
询价
ECAD 32 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) UPA2752 MOSFET(金属O化物) 1.7W(塔) 8-SOP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA2752GR-E1-A EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 30V 8A(温度) 23毫欧@4A,10V 2.5V@1mA 10nC@10V 480pF@10V -
RJK0603DPN-E0#T2 Renesas RJK0603DPN-E0#T2 -
询价
ECAD 4152 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220ABS - 2156-RJK0603DPN-E0#T2 1 N沟道 60V 80A(塔) 10V 5.2毫欧@40A,10V 4V@1mA 57nC@10V ±20V 4150pF@10V - 125W(温度)
HZM33NBTR-E Renesas HZM33NBTR-E 0.1600
询价
ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.06% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM33NBTR-E EAR99 8541.10.0050 1 2μA@25V 33V 80欧姆
RKZ27TWAJQE#H1 Renesas RKZ27TWJQE#H1 0.2200
询价
ECAD 177 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-RKZ27TWAJQE#H1-1833 1
HZU3BLL-JTRF-E Renesas HZU3BLL-JTRF-E 0.0700
询价
ECAD 第327章 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 供应商未定义 2156-HZU3BLL-JTRF-E-1833 1
HZM11NB2TR-E Renesas HZM11NB2TR-E 0.1500
询价
ECAD 72 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.09% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM11NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 8V时为2μA 10.99V 30欧姆
HAT1044M-EL-E Renesas HAT1044M-EL-E 0.6700
询价
ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 MOSFET(金属O化物) 6-TSOP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HAT1044M-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 30V 4.5A(塔) 4.5V、10V 60mOhm@3A,10V 2.5V@1mA 13nC@10V ±20V 600pF@10V - 1.05W(塔)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库