分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 开启状态 (It (AV))（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电流 - 反向电流@Vr	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
2SB804-D-T1-AZ	-	询价	6963	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SB804-D-T1-AZ			1
HAT1146C-EL-E	-	询价	6451	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-HAT1146C-EL-E			1
HZM27NB-JTR-E	0.1500	询价	66	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZM27NB-JTR-E-1833			1
CR5AS-12A#C01	-	询价	3436	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MP-3A	-				2156-CR5AS-12A#C01			1			3.5毫安													600伏	7.8安	800毫伏	90A@60Hz	100微安	1.8V	5A	1毫安	灵敏门
RD8.2M(1)-T1B-A	0.3000	询价	132	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD8.2M(1)-T1B-A	EAR99	8541.10.0050	993
2SK3447TZ-E	0.4100	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-226-3、TO-92-3 长体		MOSFET（金属O化物）		TO-92MOD	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SK3447TZ-E	EAR99	8541.21.0095	第728章		N沟道			150伏	1A（塔）	4V、10V	1.95欧姆@500mA，10V	2.5V@1mA	4.5nC@10V	±20V	10V时为85pF	-	900毫W（塔）
HZM11NB2TL-E	0.1600	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.09%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM11NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																									8V时为2μA				10.99V	30欧姆
2SD571-T-AZ	-	询价	5984	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SSIP				-	-				2156-2SD571-T-AZ			1																												100nA（ICBO）			NPN	600mV@2mA、20mA	-	110兆赫
2SK3481-AZ	-	询价	5665	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3481-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			100V	30A（温度）	4.5V、10V	50毫欧@15A，10V	2.5V@1mA	48nC@10V	±20V	2300pF@10V	-	1.5W（Ta）、56W（Tc）
RJK5012DPP-MG#T2	2.3100	询价	第478章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FN	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK5012DPP-MG#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			500V	12A（塔）	10V	620毫欧@6A，10V	4.5V@1mA	29nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	30W（温度）
KA4F3R(0)-T1-A	-	询价	3352	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416			200毫W	SC-75	-				2156-KA4F3R(0)-T1-A			1																										50V	100毫安	100nA（ICBO）			NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	95@50mA，5V		2.2欧姆	47欧姆
NP28N10SDE-E1-AY	1.3400	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP28N10SDE-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			100V	28A（温度）	4.5V、10V	52毫欧@14A，10V	2.5V@250μA	75nC@10V	±20V	3300pF@25V	-	1.2W（Ta）、100W（Tc）
2SC3380AS04UR-E	1.0000	询价	5490	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SC3380AS04UR-E			1
RD11P-T1-AZ	0.3400	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.45%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W	SOT-89	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	2156-RD11P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																									8V时为10μA				11伏	20欧姆
HZU6.8B2JTRF-E	0.1300	询价	87	瑞萨	-	大部分	过时的	±4.93%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-76A			200毫W	2-URP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZU6.8B2JTRF-E	EAR99	8541.10.0050	1																									2μA@3.5V				6.8V	30欧姆
HZM9.1NB1TL-E	0.1500	询价	80	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.11%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	2156-HZM9.1NB1TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																									2μA@6V				8.75V	30欧姆
RD27FM(D)-T1-AZ	-	询价	8548	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD27FM(D)-T1-AZ			1
HZU12B2JTRF-E	0.1000	询价	42	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU12B2JTRF-E-1833			1
HZM6.8NB3TL-E	0.1500	询价	30	瑞萨	-	大部分	过时的	±2%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM6.8NB3TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																									2μA@3.5V				7V	30欧姆
RJH1BF7DPQ-E0#T2	7.7000	询价	217	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJH1BF7DPQ-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1
2SC4901YK-TR-E	0.5400	询价	213	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323			100毫W	3-CMPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SC4901YK-TR-E	EAR99	8541.29.0095	1				-																						9V	50毫安				NPN		50@20mA，5V	9GHz			1.2dB@900MHz
BCR12FM-14LJ#BB0	-	询价	3991	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包				TO-220FP	-				2156-BCR12FM-14LJ#BB0			1	单身的														标准	800V	12A	1.5V	120A@60Hz	30毫安
2SB605-T-AZ	-	询价	5729	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SSIP				-	-				2156-2SB605-T-AZ			1																												100nA（ICBO）			国民党	350mV@50mA、500mA	90@100mA，1V	120兆赫
UPA2752GR-E1-A	1.3000	询价	32	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2752	MOSFET（金属O化物）	1.7W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2752GR-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）				30V	8A（温度）		23毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	10nC@10V		480pF@10V	-
RJK0603DPN-E0#T2	-	询价	4152	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220ABS	-				2156-RJK0603DPN-E0#T2			1		N沟道			60V	80A（塔）	10V	5.2毫欧@40A，10V	4V@1mA	57nC@10V	±20V	4150pF@10V	-	125W（温度）
HZM33NBTR-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM33NBTR-E	EAR99	8541.10.0050	1																									2μA@25V				33V	80欧姆
RKZ27TWJQE#H1	0.2200	询价	177	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RKZ27TWAJQE#H1-1833			1
HZU3BLL-JTRF-E	0.0700	询价	第327章	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZU3BLL-JTRF-E-1833			1
HZM11NB2TR-E	0.1500	询价	72	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.09%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM11NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																									8V时为2μA				10.99V	30欧姆
HAT1044M-EL-E	0.6700	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	SOT-23-6薄型、TSOT-23-6		MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HAT1044M-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			30V	4.5A（塔）	4.5V、10V	60mOhm@3A，10V	2.5V@1mA	13nC@10V	±20V	600pF@10V	-	1.05W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²