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离散半导体产品（（447）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	电流 -反向泄漏 @ @ vr	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
UPA1902TE-T1-AT	0.3000	RFQ	111	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	SC-95		MOSFET （金属 o化物）		SC-95	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1902TE-T1-AT	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	7a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 1mA	8 nc @ 5 V	±20V	780 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
bcr8km-12la-1ar＃x2	1.1100	RFQ	4	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				TO-220FN	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-BCR8KM-12LA-1AR x2	Ear99	8541.30.0080	1	单身的													标准	600 v	8 a	1.5 v	80a @ 60hz	30 ma
HZU30B-JTRF-E	0.0700	RFQ	345	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZU30B-JTRF-E-1833			1
UPA2790GR-E1-AT	0.9400	RFQ	10	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA2790	MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA）	8-sop	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-UPA2790GR-E1-AT	Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道			30V	6a（6a）		28mohm @ 3a，10v，60mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA	12.6nc @ 10v，11nc @ 10v		500pf @ 10V，460pf @ 10V	-
RD3.0UM-T1-AT	-	RFQ	2708	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-RD3.0UM-T1-AT			1
CR6CM-12A ＃BB0	-	RFQ	9680	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220AB	-				2156-CR6CM-12A ＃BB0			1			15 ma												600 v	9.4 a	1 V	90a @ 50Hz	10 MA	1.7 v	6 a	2 ma	标准恢复
BCR8AS-14LJ ＃B01	-	RFQ	7350	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MP-3A	-				2156-BCR8AS-14LJ ＃B01			1	单身的													标准	700 v	8 a	1.5 v	80a @ 50Hz	30 ma
HZM6.8NB3TL-E	0.1500	RFQ	30	肾脏	-	大部分	过时的	±2％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM6.8NB3TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																								2 µA @ 3.5 V		7 V	30欧姆
RD8.2M（1）-t1b-a	0.3000	RFQ	132	肾脏	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD8.2M（1）-t1b-a	Ear99	8541.10.0050	993
2SC4942（0）-t1-az	-	RFQ	9149	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				MP-2	-				2156-2SC4942（0）-t1-az			1																									10µA（ICBO）			NPN	1V @ 80mA，400mA	30 @ 100mA，5v	30MHz
2SJ328-Z-e1-az	-	RFQ	6110	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-220SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SJ328-Z-E1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		60 V	20A（TA）	4V，10V	60mohm @ 10a，10v	2V @ 1mA	85 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），75W（（（（ta）
rjk6011dp3-a0＃j2	0.9900	RFQ	45	肾脏	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RJK6011dp3-A0＃j2	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		600 v	100mA	-	-	-		-		-	-
BCR16cm-12lb ＃BB0	0.1000	RFQ	96	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220AB	-				2156-BCR16CM-12LB ＃BB0			2,996	单身的													标准	600 v	16 a	1.5 v	170a @ 60Hz	30 ma
HZU20B2TRF-E	0.0900	RFQ	18	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HZU20B2TRF-E-1833			1
HAT2205C-EL-E	0.2600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HAT2205C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		12 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	50mohm @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 1mA	6 NC @ 4.5 V	±8V	430 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
RJK0601DPN-E0 ＃T2	3.5400	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJK0601DPN-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	110a（ta）	10V	3.1MOHM @ 55A，10V	4V @ 1mA	141 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 10 V	-	200W（TC）
RQA0002DNSTB-E	3.9600	RFQ	9	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	3-DFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		2-hwson（5x4）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RQA0002DNSTB-E	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		16 V	3.8A（TA）	-	-	750mv @ 1mA		±5V	102 PF @ 0 V	-	15W（TC）
RD4.7UM-T1-AT	-	RFQ	9393	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-RD4.7UM-T1-AT			1
UPA1808GR-9JG-E1-A	0.6000	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Powertssop （0.173英寸，4.40mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-Power tssop	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-UPA1808GR-9JG-E1-A	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		30 V	9.5A（TA）	4V，10V	17mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	13 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RD30FS（0）-t1-ay	-	RFQ	3778	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-rd30fs （0）-t1-ay			1
RJK0603DPN-E0 ＃T2	-	RFQ	4152	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-				2156-RJK0603DPN-E0 ＃T2			1		n通道		60 V	80a（ta）	10V	5.2MOHM @ 40a，10v	4V @ 1mA	57 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	125W（TC）
UPA2730TP-E2-AZ	0.9900	RFQ	25	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2730TP-e2-az	Ear99	8541.29.0095	305		P通道		30 V	20A（20A），42a（tc）	4V，10V	7MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 1mA	97 NC @ 10 V	±20V	4670 pf @ 10 V	-	（3W）（40W）（40W）TC）
hzu3bll-jtrf-e	0.0700	RFQ	327	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZU3BLL-JTRF-E-1833			1
RBK02P11GQT-0000＃	-	RFQ	2275	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-RBK02P11GQT-0000＃JCH			1
NP28N10SDE-E1-AY	1.3400	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP28N10SDE-E1-AY	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	28a（TC）	4.5V，10V	52mohm @ 14a，10v	2.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	1.2W（TA），100W（（（（（（
2SK3480（0）-Z-e1-az	-	RFQ	2272	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263，TO-220SMD	-				2156-2SK3480（0）-z-e1-az			1		n通道		100 v	50A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	74 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），84W（tc）
rd3.6f（（0）-t1-ay	-	RFQ	5422	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-rd3.6fs（0）-T1-ay			1
HZU12B1TRF-E	0.1200	RFQ	54	肾脏	-	大部分	过时的	±2.06％	150°C（TJ）	表面安装	SC-76A			200兆	2-urp	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZU12B1TRF-E	Ear99	8541.10.0050	1																								2 µA @ 9 V		11.66 v	35欧姆
2SD571-T-AZ	-	RFQ	5984	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	3-SSIP				-	-				2156-2SD571-T-AZ			1																									100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 2mA，20mA	-	110MHz
HAT2195R-EL-E	-	RFQ	1128	肾脏	-	大部分	过时的		-55°C〜150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-				2156-HAT2195R-EL-E			1		n通道		30 V	18a	4.5V，10V	5.8mohm @ 9a，10v	2.5V @ 1mA	23 NC @ 4.5 V	±20V	3400 PF @ 10 V	-	2.5W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（447）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²