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离散半导体产品（（447）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	电流 -反向泄漏 @ @ vr	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2SK2055-T1-AZ	-	RFQ	5339	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-243AA		MOSFET （金属 o化物）		MP-2	-				2156-2SK2055-T1-AZ			1		n通道		100 v	2A（TA）	4V，10V	350MOHM @ 1A，10V	2V @ 1mA		±20V	650 pf @ 10 V	-	2W（TA）
rd6.2e-az	0.0600	RFQ	139	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RD6.2E-AZ-1833			1
RD27FM（D）-T1-AZ	-	RFQ	8548	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-RD27FM（d）-T1-AZ			1
2SA1611（0）-t1-a	-	RFQ	1026	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				SC-70	-				2156-2SA1611（0）-t1-a			1																									100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	90 @ 1mA，6v	180MHz
HZM11NB2TL-E	0.1600	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的	±2.09％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM11NB2TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																								2 µA @ 8 V		10.99 v	30欧姆
UPA2701TP-E1-AZ	-	RFQ	1268	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Soic（0.173英寸，4.40mm宽）		MOSFET （金属 o化物）		8-hsop	-				2156-UPA2701TP-e1-az			1		n通道		30 V	16a（16A），35a（tc）	4V，10V	7.5MOHM @ 7A，10V	2.5V @ 1mA	12 nc @ 5 V	±20V	1200 pf @ 10 V	-	（3W（ta），28w tc）（TC）
UPA1727G-E1-A	-	RFQ	4456	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-Powersop	-				2156-UPA1727G-E1-A			1		n通道		60 V	10a（10a）	4V，10V	19mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 10 V	-	2W（TA）
HZM33NBTR-E	0.1600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	±6.06％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM33NBTR-E	Ear99	8541.10.0050	1																								2 µA @ 25 V		33 V	80欧姆
2p4m（25）-az	-	RFQ	5908	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2P4M（25）-Az			1
Hzu2.2Btrf-e	0.1300	RFQ	30	肾脏	-	大部分	过时的	±6.67％	150°C（TJ）	表面安装	SC-76A			200兆	2-urp	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZU2.2BTRF-E	Ear99	8541.10.0050	1																								120 µA @ 700 mV		2.25 v	100欧姆
RD16P （2）-t1-az	0.3800	RFQ	15	肾脏	-	大部分	过时的	±5.63％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-rd16p （2）-t1-az	Ear99	8541.10.0050	785																								10 µA @ 12 V		16 V	40欧姆
2SK3483-az	1.4600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		MP-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3483-az	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	28a（28a）	4.5V，10V	52mohm @ 14a，10v	2.5V @ 1mA	49 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 10 V	-	1W（ta），40W（40W）TC）
rd5.6f（（0）-t1-ay	-	RFQ	9843	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-RD5.6FS（0）-T1-ay			1
Hzu4.7b2jtrf-e	0.0900	RFQ	372	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZU4.7B2JTRF-E-1833			1
2SK3354（0）-Z-e1-ay	-	RFQ	9228	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263，TO-220SMD	-				2156-2SK3354（0）-z-e1-ay			1		n通道		60 V	83A（TC）	4V，10V	8mohm @ 42a，10v	2.5V @ 1mA	106 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），100W（TC）
HZM22NB2TR-E	0.1600	RFQ	84	肾脏	-	大部分	过时的	±2.11％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM22NB2TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																								2 µA @ 17 V		22.01 v	55欧姆
RJK0349DSP-00＃j0	-	RFQ	8794	肾脏	-	大部分	积极的		150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-				2156-RJK0349DSP-00＃j0			1		n通道		30 V	20A（TA）	4.5V，10V	3.8mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	25 NC @ 4.5 V	±20V	3850 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
2SB798（0）-T1-AZ	-	RFQ	2144	肾脏	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				SC-62	-				2156-2SB798（0）-T1-AZ			1																									100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 100mA，1a	90 @ 100mA，1V	110MHz
rd5.6e-t1-az	-	RFQ	2508	肾脏	-	大部分	过时的	±5.27％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RD5.6E-T1-AZ-1833			1																								5 µA @ 2.5 V		5.6 v	13欧姆
NP75N04YUG-E1-AY	-	RFQ	1050	肾脏	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		175°C	表面安装	8-smd，平坦的铅，裸露的垫子		MOSFET （金属 o化物）		8-hson	-				2156-NP75N04YUG-E1-AY			1		n通道		40 V	75A（TC）	10V	4.8mohm @ 37.5A，10V	4V @ 250µA	116 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	1W（TA），138W（tc）
2SJ494-AZ	1.0000	RFQ	3579	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		MP-45F	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SJ494-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		P通道		60 V	20A（TA）	4V，10V	50mohm @ 10a，10v	2V @ 1mA	74 NC @ 10 V	±20V	2360 pf @ 10 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
CR5AS-12A ＃C01	-	RFQ	3436	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MP-3A	-				2156-CR5AS-12A ＃C01			1			3.5 ma												600 v	7.8 a	800 mv	90a @ 60Hz	100 µA	1.8 v	5 a	1 MA	敏感门
HZU6.2B2TRF-EQ	0.0500	RFQ	177	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HZU6.2B2TRF-EQ-1833			1
UPA1902TE-T1-AT	0.3000	RFQ	111	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	SC-95		MOSFET （金属 o化物）		SC-95	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1902TE-T1-AT	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	7a（ta）	4.5V，10V	22mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 1mA	8 nc @ 5 V	±20V	780 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
bcr8km-12la-1ar＃x2	1.1100	RFQ	4	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				TO-220FN	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-BCR8KM-12LA-1AR x2	Ear99	8541.30.0080	1	单身的													标准	600 v	8 a	1.5 v	80a @ 60hz	30 ma
HZU30B-JTRF-E	0.0700	RFQ	345	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZU30B-JTRF-E-1833			1
UPA2790GR-E1-AT	0.9400	RFQ	10	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA2790	MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA）	8-sop	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-UPA2790GR-E1-AT	Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道			30V	6a（6a）		28mohm @ 3a，10v，60mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA	12.6nc @ 10v，11nc @ 10v		500pf @ 10V，460pf @ 10V	-
RD3.0UM-T1-AT	-	RFQ	2708	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-RD3.0UM-T1-AT			1
CR6CM-12A ＃BB0	-	RFQ	9680	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220AB	-				2156-CR6CM-12A ＃BB0			1			15 ma												600 v	9.4 a	1 V	90a @ 50Hz	10 MA	1.7 v	6 a	2 ma	标准恢复
BCR8AS-14LJ ＃B01	-	RFQ	7350	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MP-3A	-				2156-BCR8AS-14LJ ＃B01			1	单身的													标准	700 v	8 a	1.5 v	80a @ 50Hz	30 ma

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（447）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²