分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 开启状态 (It (AV))（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电流 - 反向电流@Vr	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
HZM11NB2TL-E	0.1600	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.09%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM11NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																									8V时为2μA				10.99V	30欧姆
RD5.1P-T1-AZ	0.2100	询价	20	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.88%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD5.1P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																									1V时为20μA				5.1V	60欧姆
2SA1611(0)-T1-A	-	询价	1026	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				SC-70	-				2156-2SA1611(0)-T1-A			1																												100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	90@1mA，6V	180兆赫
2SB804-D-T1-AZ	-	询价	6963	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SB804-D-T1-AZ			1
HAT1146C-EL-E	-	询价	6451	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-HAT1146C-EL-E			1
2SC2721-T-AZ	-	询价	4626	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SSIP			1W	-	-				2156-2SC2721-T-AZ			1				-																						60V	700毫安				NPN		90@100mA，1V	110兆赫	-
HZU30B-JTRF-E	0.0700	询价	第345章	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZU30B-JTRF-E-1833			1
2SC3380AS04UR-E	1.0000	询价	5490	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SC3380AS04UR-E			1
HZM6.8NB1TR-E	0.1600	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的	±1.97%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM6.8NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																									2μA@3.5V				6.6V	30欧姆
2P4M(25)-AZ	-	询价	5908	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2P4M(25)-AZ			1
2SD1694(2)-S2-AZ	-	询价	6768	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SD1694(2)-S2-AZ			1
RJK5012DPP-MG#T2	2.3100	询价	第478章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FN	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK5012DPP-MG#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			500V	12A（塔）	10V	620毫欧@6A，10V	4.5V@1mA	29nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	30W（温度）
2SK3575-AZ	2.3800	询价	第824章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3575-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			30V	83A（温度）	4.5V、10V	4.5毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	70nC@10V	±20V	3700pF@10V	-	1.5W（Ta）、105W（Tc）
2SK3481-AZ	-	询价	5665	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3481-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			100V	30A（温度）	4.5V、10V	50毫欧@15A，10V	2.5V@1mA	48nC@10V	±20V	2300pF@10V	-	1.5W（Ta）、56W（Tc）
HZM13NB3TR-E	0.1600	询价	21	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.16%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM13NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																									10V时为2μA				13.67V	35欧姆
BCR3FM-12RB#BB0	0.9500	询价	199	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包				TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BCR3FM-12RB#BB0	EAR99	8541.30.0080	1	单身的														标准	600伏	3A	1.5V	30A@60Hz	15毫安
CR5AS-12A#B00	-	询价	9090	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MP-3A	-				2156-CR5AS-12A#B00			1			3.5毫安													600伏	7.8安	800毫伏	90A@60Hz	100微安	1.8V	5A	1毫安	灵敏门
UPA2702TP-E2-AZ	1.7500	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA2702TP-E2-AZ	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道			30V	14A（Ta）、35A（Tc）	4V、10V	9.5毫欧@7A，10V	2.5V@1mA	9nC@5V	±20V	900pF@10V	-	3W（Ta）、22W（Tc）
2SK2109-T1-AZ	0.3800	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		SC-62	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK2109-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			60V	500mA（塔）	4V、10V	800毫欧@300mA，10V	2V@1mA		±20V	111pF@10V	-	2W（塔）
HZM22NB2TR-E	0.1600	询价	84	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.11%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM22NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																									17V时为2μA				22.01V	55欧姆
2SK2055-T1-AZ	-	询价	5339	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		MP-2	-				2156-2SK2055-T1-AZ			1		N沟道			100V	2A（塔）	4V、10V	350mOhm@1A，10V	2V@1mA		±20V	650pF@10V	-	2W（塔）
2SJ532-E	1.9900	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220CFM	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ532-E	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			60V	20A（塔）	4V、10V	55mOhm@10A，10V	2V@1mA		±20V	1750pF@10V	-	30W（温度）
RD47P-T2-AZ	0.4300	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD47P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0080	1
UPA2790GR-E1-AT	0.9400	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2790	MOSFET（金属O化物）	1.7W（塔）	8-SOP	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA2790GR-E1-AT	EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道				30V	6A（塔）		28毫欧@3A、10V、60毫欧@3A、10V	2.5V@1mA	12.6nC@10V，11nC@10V		500pF@10V，460pF@10V	-
HZU2.2BTRF-E	0.1300	询价	30	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.67%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-76A			200毫W	2-URP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZU2.2BTRF-E	EAR99	8541.10.0050	1																									700mV时为120μA				2.25V	100欧姆
UPA2782GR-E1-A	1.7700	询价	7	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2782GR-E1-A	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			30V	11A（塔）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	2W（塔）
2SK2112W-T1-AZ	-	询价	5869	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SK2112W-T1-AZ			1
RD4.7UM-T1-AT	-	询价	9393	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD4.7UM-T1-AT			1
HAT2195R-EL-E	-	询价	1128	瑞萨	-	大部分	过时的		-55℃～150℃	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-				2156-HAT2195R-EL-E			1		N沟道			30V	18A	4.5V、10V	5.8毫欧@9A，10V	2.5V@1mA	23nC@4.5V	±20V	3400pF@10V	-	2.5W
NP32N055SLE-E1-AY	-	询价	1281	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP32N055SLE-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			55V	32A（塔）	4.5V、10V	24毫欧@16A，10V	2.5V@250μA	41nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	1.2W（Ta）、66W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²