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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 电流 - 保持 (Ih)(最大) | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 多种可控硅类型 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电压-感应触发(Vgt)(最大) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) | 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) | 当前 - 关闭状态(最大) | 可控硅类型 | 电流 - 反向电流@Vr | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) | 噪声系数(dB Typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UPA2752GR-E1-A | 1.3000 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | UPA2752 | MOSFET(金属O化物) | 1.7W(塔) | 8-SOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA2752GR-E1-A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | 8A(温度) | 23毫欧@4A,10V | 2.5V@1mA | 10nC@10V | 480pF@10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP28N10SDE-E1-AY | 1.3400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252 (MP-3ZK) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP28N10SDE-E1-AY | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 100V | 28A(温度) | 4.5V、10V | 52毫欧@14A,10V | 2.5V@250μA | 75nC@10V | ±20V | 3300pF@25V | - | 1.2W(Ta)、100W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KA4F3R(0)-T1-A | - | ![]() | 3352 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | 200毫W | SC-75 | - | 2156-KA4F3R(0)-T1-A | 1 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN - 预偏置 | 200mV@250μA,5mA | 95@50mA,5V | 2.2欧姆 | 47欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR12FM-14LJ#BB0 | - | ![]() | 3991 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3全包 | TO-220FP | - | 2156-BCR12FM-14LJ#BB0 | 1 | 单身的 | 标准 | 800V | 12A | 1.5V | 120A@60Hz | 30毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4901YK-TR-E | 0.5400 | ![]() | 213 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | 100毫W | 3-CMPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-2SC4901YK-TR-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 9V | 50毫安 | NPN | 50@20mA,5V | 9GHz | 1.2dB@900MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB605-T-AZ | - | ![]() | 5729 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SSIP | - | - | 2156-2SB605-T-AZ | 1 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 350mV@50mA、500mA | 90@100mA,1V | 120兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT1044M-EL-E | 0.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 | MOSFET(金属O化物) | 6-TSOP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HAT1044M-EL-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 30V | 4.5A(塔) | 4.5V、10V | 60mOhm@3A,10V | 2.5V@1mA | 13nC@10V | ±20V | 600pF@10V | - | 1.05W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KA4L4M(0)-T1-A | - | ![]() | 2905 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | 200毫W | SC-75 | - | 2156-KA4L4M(0)-T1-A | 1 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN - 预偏置 | 200mV@250μA,5mA | 85@50mA,5V | 47欧姆 | 47欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1760G-E1-AT | 1.6000 | ![]() | 80 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | UPA1760 | MOSFET(金属O化物) | 2W(塔) | 8-SOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA1760G-E1-AT | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | 8A(塔) | 26毫欧@4A,10V | 2.5V@1mA | 14nC@10V | 760pF@10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJH1BF7DPQ-E0#T2 | 7.7000 | ![]() | 217 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJH1BF7DPQ-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU4.7B2JTRF-E | 0.0900 | ![]() | 第372章 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | 供应商未定义 | 2156-HZU4.7B2JTRF-E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU6.8B2JTRF-E | 0.1300 | ![]() | 87 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±4.93% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-76A | 200毫W | 2-URP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZU6.8B2JTRF-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2μA@3.5V | 6.8V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD27FM(D)-T1-AZ | - | ![]() | 8548 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-RD27FM(D)-T1-AZ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU12B2JTRF-E | 0.1000 | ![]() | 42 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-HZU12B2JTRF-E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM9.1NB1TL-E | 0.1500 | ![]() | 80 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.11% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 2156-HZM9.1NB1TL-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2μA@6V | 8.75V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM11NB2TR-E | 0.1500 | ![]() | 72 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.09% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM11NB2TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8V时为2μA | 10.99V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM33NBTR-E | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±6.06% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM33NBTR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2μA@25V | 33V | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RKZ27TWJQE#H1 | 0.2200 | ![]() | 177 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-RKZ27TWAJQE#H1-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD11P-T1-AZ | 0.3400 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±5.45% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 1W | SOT-89 | - | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | 2156-RD11P-T1-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8V时为10μA | 11伏 | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM6.8NB3TL-E | 0.1500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM6.8NB3TL-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2μA@3.5V | 7V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU3BLL-JTRF-E | 0.0700 | ![]() | 第327章 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | 供应商未定义 | 2156-HZU3BLL-JTRF-E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ494-AZ | 1.0000 | ![]() | 3579 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3隔离片 | MOSFET(金属O化物) | MP-45F | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SJ494-AZ | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | P沟道 | 60V | 20A(塔) | 4V、10V | 50毫欧@10A,10V | 2V@1mA | 74nC@10V | ±20V | 2360pF@10V | - | 2W(Ta)、35W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD24F-AZ | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-RD24F-AZ-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC1623B-T1B-AT | - | ![]() | 3602 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SC1623B-T1B-AT | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1902TE-T1-AT | 0.3000 | ![]() | 111 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | SC-95 | MOSFET(金属O化物) | SC-95 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA1902TE-T1-AT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 30V | 7A(塔) | 4.5V、10V | 22毫欧@3.5A,10V | 2.5V@1mA | 8nC@5V | ±20V | 780pF@10V | - | 200毫W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3483-AZ | 1.4600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | MP-3 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3483-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 100V | 28A(塔) | 4.5V、10V | 52毫欧@14A,10V | 2.5V@1mA | 49nC@10V | ±20V | 2300pF@10V | - | 1W(Ta)、40W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR5AS-12A#C01 | - | ![]() | 3436 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MP-3A | - | 2156-CR5AS-12A#C01 | 1 | 3.5毫安 | 600伏 | 7.8安 | 800毫伏 | 90A@60Hz | 100微安 | 1.8V | 5A | 1毫安 | 灵敏门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3447TZ-E | 0.4100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 长体 | MOSFET(金属O化物) | TO-92MOD | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-2SK3447TZ-E | EAR99 | 8541.21.0095 | 第728章 | N沟道 | 150伏 | 1A(塔) | 4V、10V | 1.95欧姆@500mA,10V | 2.5V@1mA | 4.5nC@10V | ±20V | 10V时为85pF | - | 900毫W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM27NB-JTR-E | 0.1500 | ![]() | 66 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-HZM27NB-JTR-E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD8.2M(1)-T1B-A | 0.3000 | ![]() | 132 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD8.2M(1)-T1B-A | EAR99 | 8541.10.0050 | 993 |
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