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离散半导体产品（（447）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
HZM5.6NB1TL-E	0.1600	RFQ	12	肾脏	-	大部分	过时的	±2.21％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM5.6NB1TL-E	Ear99	8541.10.0050	1,888																		5 µA @ 2.5 V						5.43 v	80欧姆
RD5.1SL-T1-AT	-	RFQ	4888	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-RD5.1SL-T1-AT			1
HZM12NB1TR-E	0.1500	RFQ	39	肾脏	-	大部分	过时的	±2.06％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM12NB1TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																		2 µA @ 9 V						11.66 v	35欧姆
RJK6012DPP-E0 ＃T2	2.6600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJK6012DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		600 v	10a（10a）	10V	920MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	30W（TA）
2SK4092-S35-A	2.8400	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3P（MP-88）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK4092-S35-A	Ear99	8541.29.0075	1			n通道		600 v	21a（TC）	10V	400mohm @ 10a，10v	3.5V @ 1mA	50 NC @ 10 V	±30V	3240 pf @ 10 V	-	（3W）（200W）（200w tc）
RJU60C6TDPP-ej t2	1.5700	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-2完整包		标准		TO-220FP-2L	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJU60C6TDPP-EJ t2	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2 V @ 50 A	100 ns	1 µA @ 600 V	150°C	30a	-
NP80N055KLE-E1-AY	2.2400	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP80N055KLE-E1-AY	Ear99	8541.29.0075	135			n通道		55 v	80A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），120W（tc）
UPA1981TE-T1-A	0.2400	RFQ	27	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	SC-95	UPA1981	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	SC-95	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1981TE-T1-A	Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道				8V	2.8A（ta）		70mohm @ 2.8a，5v，105mohm @ 1.9a，2.5V	200mv @ 2.8a，200mv @ 1.9a	-		-	-
2SK3813-az	-	RFQ	4491	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		MP-3	-				2156-2SK3813-az			1			n通道		40 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	96 NC @ 10 V	±20V	5500 pf @ 10 V	-	1W（ta），84W tc（TC）
Hzu5.1b1jtrf-e	0.0700	RFQ	183	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZU5.1B1JTRF-E-1833			1
RD6.8P-T1-AZ	-	RFQ	7185	肾脏	-	大部分	过时的	±5.88％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD6.8P-T1-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																		20 µA @ 3.5 V						6.8 v	15欧姆
HZM5.6NB3TR-E	0.1600	RFQ	30	肾脏	-	大部分	过时的	±2.16％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM5.6NB3TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																		5 µA @ 2.5 V						5.8 v	80欧姆
RJK5014DPP-E0 ＃T2	5.4200	RFQ	12	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJK5014DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	56			n通道		500 v	（19a ta）	10V	390MOHM @ 9.5A，10V	4.5V @ 1mA	46 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	35W（TC）
UPA2756GR-E1-A	0.8200	RFQ	14	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）	UPA2756	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-Powersop	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-UPA2756GR-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				60V	4A（ta）		105MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	6NC @ 10V		260pf @ 10V	-
rd2.0p-t1-az	0.8100	RFQ	50	肾脏	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-rd2.0p-t1-az	Ear99	8541.10.0080	1
RD36P-T1-AZ	0.1900	RFQ	16	肾脏	-	大部分	过时的	±5.56％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD36P-T1-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																		10 µA @ 27 V						36 V	90欧姆
2SC3380AS04UR-E	1.0000	RFQ	5490	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2SC3380AS04UR-E			1
2SC4901YK-TR-E	0.5400	RFQ	213	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			100MW	3-CMPAK	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SC4901YK-TR-E	Ear99	8541.29.0095	1				-																		9V	50mA			NPN	50 @ 20mA，5v	9GHz	1.2dB @ 900MHz
RKZ27TWAJQE＃h1	0.2200	RFQ	177	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RKZ27TWAJQE H1-1833			1
HZM27NB-JTR-E	0.1500	RFQ	66	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HZM27NB-JTR-E-1833			1
rd6.8fs （0）-t1-ay	0.3000	RFQ	750	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RD6.8FS（0）-T1-AY-1833			1
Hzu6.8b2jtrf-e	0.1300	RFQ	87	肾脏	-	大部分	过时的	±4.93％	150°C（TJ）	表面安装	SC-76A			200兆	2-urp	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZU6.8B2JTRF-E	Ear99	8541.10.0050	1																		2 µA @ 3.5 V						6.8 v	30欧姆
RD39P-T2-AZ	-	RFQ	5446	肾脏	-	大部分	过时的	±5.13％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD39P-T2-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																		10 µA @ 30 V						39 v	130欧姆
NP80N06MLG-S18-AY	2.0000	RFQ	22	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		MP-25K	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP80N06MLG-S18-AY	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	80A（TC）	4.5V，10V	8.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
2SK3575-az	2.3800	RFQ	824	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3575-az	Ear99	8541.29.0075	1			n通道		30 V	83A（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 1mA	70 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），105W（（（ta）
2SK2109-T1-AZ	0.3800	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-243AA		MOSFET （金属 o化物）		SC-62	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK2109-T1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	500mA（ta）	4V，10V	800mohm @ 300mA，10v	2V @ 1mA		±20V	111 PF @ 10 V	-	2W（TA）
2SK3481-az	-	RFQ	5665	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3481-AZ	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		100 v	30A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），56W（tc）
RD47P-T2-AZ	0.4300	RFQ	9	肾脏	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD47P-T2-AZ	Ear99	8541.10.0080	1
RJH1BF7DPQ-E0 ＃T2	7.7000	RFQ	217	肾脏	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJH1BF7DPQ-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1
UPA2752GR-E1-A	1.3000	RFQ	32	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA2752	MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA）	8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2752GR-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				30V	8A（TC）		23mohm @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	10NC @ 10V		480pf @ 10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（447）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²