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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 测试条件 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) 当前 - 关闭状态(最大) 可控硅类型 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 集电极脉冲电流(Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 噪声系数(dB Typ @ f)
NP32N055SLE-E1-AZ Renesas NP32N055SLE-E1-AZ 1.6400
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ECAD 60 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZK) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP32N055SLE-E1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 55V 32A(塔) 4.5V、10V 24毫欧@16A,10V 2.5V@250μA 41nC@10V ±20V 2000pF@25V - 1.2W(Ta)、66W(Tc)
T1900N18TOFVTXPSA1 Renesas T1900N18TOFVTXPSA1 435.4800
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ECAD 4 0.00000000 瑞萨 - 大部分 的积极 - 2156-T1900N18TOFVTXPSA1 1
UPA2371T1P-E1-A Renesas UPA2371T1P-E1-A 0.5800
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ECAD 5 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 表面贴装 4-UFLGA UPA2371 MOSFET(金属O化物) - 4-EFLIP (1.62x1.62) - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA2371T1P-E1-A EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 24V 6A - - - - -
BCR10KM-12LA-1#B00 Renesas BCR10KM-12LA-1#B00 1.2600
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ECAD 第936章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 TO-220FN - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-BCR10KM-12LA-1#B00 EAR99 8541.30.0080 1 单身的 标准 600伏 10A 1.5V 100A@60Hz 30毫安
2SK1954-Z-E1-AZ Renesas 2SK1954-Z-E1-AZ -
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ECAD 3177 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) MP-3Z - 2156-2SK1954-Z-E1-AZ 1 N沟道 180伏 4A(塔) 10V 650mOhm@2A,10V 4V@1mA 10nC@10V ±20V 300pF@10V - 1W(Ta)、20W(Tc)
HZM13NB1TL-E Renesas HZM13NB1TL-E 0.1500
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.2% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM13NB1TL-E EAR99 8541.10.0050 1 10V时为2μA 12.75V 35欧姆
HZM15NB3TL-E Renesas HZM15NB3TL-E -
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ECAD 2581 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.21% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM15NB3TL-E EAR99 8541.10.0050 1 11V时为2μA 15.19V 40欧姆
2P6M-AZ Renesas 2P6M-AZ -
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ECAD 6154 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 TO-202 长翼片 TO-202 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2P6M-AZ EAR99 8541.30.0080 1 3毫安 600伏 800毫伏 20A@60Hz 200微安 2.2V 100微安 灵敏门
HZM15NB3TR-E Renesas HZM15NB3TR-E 0.1600
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ECAD 12 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.21% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM15NB3TR-E EAR99 8541.10.0050 1,888 11V时为2μA 15.19V 40欧姆
HZM3.0NB2TR-E Renesas HZM3.0NB2TR-E 0.1600
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ECAD 54 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±4.06% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM3.0NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 1V时为50μA 3.08V 120欧姆
BCR25KR-12LB#B00 Renesas BCR25KR-12LB#B00 5.5000
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ECAD 第729章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 TO-220FN - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-BCR25KR-12LB#B00 EAR99 8541.30.0080 1 单身的 标准 600伏 25A 250A@60Hz 50毫安
RJH65D27BDPQ-A0#T2 Renesas RJH65D27BDPQ-A0#T2 -
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ECAD 7829 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 375W TO-247A - 2156-RJH65D27BDPQ-A0#T2 1 400V,50A,10欧姆,15V 80纳秒 650伏 100A 200A 1.65V@15V,50A 1mJ(开)、1.5mJ(关) 175 纳克 20纳秒/165纳秒
RD36P-T1-AZ Renesas RD36P-T1-AZ 0.1900
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ECAD 16 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.56% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD36P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10μA@27V 36V 90欧姆
HSC119JTRF-E Renesas HSC119JTRF-E 0.1000
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ECAD 80 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HSC119JTRF-E-1833 1
RQA0009TXDQS#H1 Renesas RQA0009TXDQS#H1 -
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ECAD 第1446章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) 尤帕克 - 2156-RQA0009TXDQS#H1 1 N沟道 16V 3.2A(塔) - - 0.8V@1mA ±5V 76pF@0V - 15W(温度)
RJU4352SDPE-00#J3 Renesas RJU4352SDPE-00#J3 1.3600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 SC-83 标准 LDPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-RJU4352SDPE-00#J3 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 430伏 1.5V@20A 23纳秒 - 20A -
RJH1BF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1BF7RDPQ-80#T2 6.2300
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ECAD 6 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 250W TO-247 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJH1BF7RDPQ-80#T2 EAR99 8541.29.0095 1 - - 1100伏 60A 100A 2.35V@15V,60A - -
RD30FS(0)-T1-AY Renesas RD30FS(0)-T1-AY -
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ECAD 3778 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD30FS(0)-T1-AY 1
RD16P(2)-T1-AZ Renesas RD16P(2)-T1-AZ 0.3800
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ECAD 15 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.63% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD16P(2)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 第785章 12V时为10μA 16V 40欧姆
HZM13NB3TL-E Renesas HZM13NB3TL-E 0.1500
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ECAD 33 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.16% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM13NB3TL-E EAR99 8541.10.0050 1 10V时为2μA 13.67V 35欧姆
RD5.6FS(0)-T1-AY Renesas RD5.6FS(0)-T1-AY -
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ECAD 9843 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD5.6FS(0)-T1-AY 1
HZU6.2B2JTRF-E Renesas HZU6.2B2JTRF-E 0.0700
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ECAD 84 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 供应商未定义 2156-HZU6.2B2JTRF-E-1833 1
RD6.2P-T2-AZ Renesas RD6.2P-T2-AZ 0.3700
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ECAD 14 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.45% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD6.2P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1 3V时为20μA 6.2V 10欧姆
2SA1226(0)-T1B-A Renesas 2SA1226(0)-T1B-A -
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ECAD 5482 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W SC-59 - 2156-2SA1226(0)-T1B-A 1 - 40V 30毫安 国民党 40@1mA,10V 400兆赫 3.5dB@1MHz
HZM8.2NB2TR-E Renesas HZM8.2NB2TR-E 0.1500
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ECAD 21 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.08% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM8.2NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 5V时为2μA 8.19V 30欧姆
RD3.0UM-T1-AT Renesas RD3.0UM-T1-AT -
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ECAD 2708 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD3.0UM-T1-AT 1
RD6.2E-AZ Renesas RD6.2E-AZ 0.0600
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ECAD 139 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-RD6.2E-AZ-1833 1
NP32N055SDE-E1-AZ Renesas NP32N055SDE-E1-AZ 1.0700
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ECAD 10 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZK) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP32N055SDE-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V 32A(温度) 4.5V、10V 24毫欧@16A,10V 2.5V@250μA 41nC@10V ±20V 2000pF@25V - 1.2W(Ta)、66W(Tc)
NP60N04ILF-E1-AZ Renesas NP60N04ILF-E1-AZ 1.9300
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3Z) 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP60N04ILF-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 40V 60A(温度) 4.5V、10V 6.5毫欧@30A,10V 2.5V@250μA 75nC@10V ±20V 3900pF@25V - 1.2W(Ta)、100W(Tc)
HSU83WTRF-E Renesas HSU83WTRF-E -
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ECAD 5254 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 SC-76A 标准 2-URP - 2156-HSU83WTRF-E 1 小信号=< 200mA (Io),任意速度 250伏 1.2V@100mA 100纳秒 100μA@300V 150℃ 100毫安 3pF @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库