分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
NP32N055SLE-E1-AZ	1.6400	询价	60	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP32N055SLE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1			N沟道				55V	32A（塔）	4.5V、10V	24毫欧@16A，10V	2.5V@250μA	41nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	1.2W（Ta）、66W（Tc）
T1900N18TOFVTXPSA1	435.4800	询价	4	瑞萨	-	大部分	的积极										-				2156-T1900N18TOFVTXPSA1			1
UPA2371T1P-E1-A	0.5800	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		-	表面贴装	4-UFLGA	UPA2371		MOSFET（金属O化物）	-	4-EFLIP (1.62x1.62)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2371T1P-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）						24V	6A		-	-	-		-	-
BCR10KM-12LA-1#B00	1.2600	询价	第936章	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包					TO-220FN	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BCR10KM-12LA-1#B00	EAR99	8541.30.0080	1	单身的																标准	600伏	10A	1.5V	100A@60Hz	30毫安
2SK1954-Z-E1-AZ	-	询价	3177	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		MP-3Z	-				2156-2SK1954-Z-E1-AZ			1			N沟道				180伏	4A（塔）	10V	650mOhm@2A，10V	4V@1mA	10nC@10V	±20V	300pF@10V	-	1W（Ta）、20W（Tc）
HZM13NB1TL-E	0.1500	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.2%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM13NB1TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																													10V时为2μA												12.75V	35欧姆
HZM15NB3TL-E	-	询价	2581	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.21%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM15NB3TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																													11V时为2μA												15.19V	40欧姆
2P6M-AZ	-	询价	6154	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-202 长翼片					TO-202	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2P6M-AZ	EAR99	8541.30.0080	1				3毫安														600伏		800毫伏	20A@60Hz	200微安	2.2V	100微安	灵敏门
HZM15NB3TR-E	0.1600	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.21%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM15NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1,888																													11V时为2μA												15.19V	40欧姆
HZM3.0NB2TR-E	0.1600	询价	54	瑞萨	-	大部分	过时的	±4.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM3.0NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																													1V时为50μA												3.08V	120欧姆
BCR25KR-12LB#B00	5.5000	询价	第729章	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包					TO-220FN	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BCR25KR-12LB#B00	EAR99	8541.30.0080	1	单身的																标准	600伏	25A		250A@60Hz	50毫安
RJH65D27BDPQ-A0#T2	-	询价	7829	瑞萨	-	大部分	过时的		175°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		375W	TO-247A	-				2156-RJH65D27BDPQ-A0#T2			1					400V，50A，10欧姆，15V																							80纳秒					沟	650伏	100A	200A	1.65V@15V，50A	1mJ（开）、1.5mJ（关）	175 纳克	20纳秒/165纳秒
RD36P-T1-AZ	0.1900	询价	16	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.56%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD36P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																													10μA@27V												36V	90欧姆
HSC119JTRF-E	0.1000	询价	80	瑞萨	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HSC119JTRF-E-1833			1
RQA0009TXDQS#H1	-	询价	第1446章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA			MOSFET（金属O化物）		尤帕克	-				2156-RQA0009TXDQS#H1			1			N沟道				16V	3.2A（塔）	-	-	0.8V@1mA		±5V	76pF@0V	-	15W（温度）
RJU4352SDPE-00#J3	1.3600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-83			标准		LDPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RJU4352SDPE-00#J3	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																								430伏	1.5V@20A	23纳秒		-	20A	-
RJH1BF7RDPQ-80#T2	6.2300	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		250W	TO-247	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJH1BF7RDPQ-80#T2	EAR99	8541.29.0095	1					-																												-	1100伏	60A	100A	2.35V@15V，60A	-		-
RD30FS(0)-T1-AY	-	询价	3778	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD30FS(0)-T1-AY			1
RD16P(2)-T1-AZ	0.3800	询价	15	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.63%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD16P(2)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	第785章																													12V时为10μA												16V	40欧姆
HZM13NB3TL-E	0.1500	询价	33	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.16%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM13NB3TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																													10V时为2μA												13.67V	35欧姆
RD5.6FS(0)-T1-AY	-	询价	9843	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD5.6FS(0)-T1-AY			1
HZU6.2B2JTRF-E	0.0700	询价	84	瑞萨	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZU6.2B2JTRF-E-1833			1
RD6.2P-T2-AZ	0.3700	询价	14	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.45%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD6.2P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																													3V时为20μA												6.2V	10欧姆
2SA1226(0)-T1B-A	-	询价	5482	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	SC-59	-				2156-2SA1226(0)-T1B-A			1						-																												40V	30毫安								国民党	40@1mA，10V	400兆赫	3.5dB@1MHz
HZM8.2NB2TR-E	0.1500	询价	21	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.08%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM8.2NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																													5V时为2μA												8.19V	30欧姆
RD3.0UM-T1-AT	-	询价	2708	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD3.0UM-T1-AT			1
RD6.2E-AZ	0.0600	询价	139	瑞萨	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RD6.2E-AZ-1833			1
NP32N055SDE-E1-AZ	1.0700	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP32N055SDE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道				55V	32A（温度）	4.5V、10V	24毫欧@16A，10V	2.5V@250μA	41nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	1.2W（Ta）、66W（Tc）
NP60N04ILF-E1-AZ	1.9300	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP60N04ILF-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道				40V	60A（温度）	4.5V、10V	6.5毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	75nC@10V	±20V	3900pF@25V	-	1.2W（Ta）、100W（Tc）
HSU83WTRF-E	-	询价	5254	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-76A			标准		2-URP	-				2156-HSU83WTRF-E			1		小信号=< 200mA (Io)，任意速度																								250伏	1.2V@100mA	100纳秒	100μA@300V	150℃	100毫安	3pF @ 0V、1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²