分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
RQA0005AQS#H1	0.5300	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RQA0005AQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1
HZM12NB1TL-E	0.1500	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM12NB1TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																		9V时为2μA						11.66V	35欧姆
HAT2203C-EL-E	0.2300	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT2203C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		20V	2A（塔）	2.5V、4.5V	90毫欧@1A，4.5V	1.4V@1mA	1.8nC@4.5V	±12V	165pF@10V	-	830毫W（塔）
RD24P-T1-AZ	-	询价	7690	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.83%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD24P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																		10μA@19V						24V	70欧姆
RD12P-T1-AZ	0.4000	询价	41	瑞萨	-	大部分	过时的	±5%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD12P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																		9V时为10μA						12V	25欧姆
RD16P(0)-T1-AZ	0.3800	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.63%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD16P(0)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																		12V时为10μA						16V	40欧姆
RD8.2P-T1-AZ	0.1800	询价	32	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.1%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD8.2P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																		5V时为20μA						8.2V	15欧姆
HZM15NB1TR-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.19%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM15NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																		11V时为2μA						14.15V	40欧姆
HZM10NB2TR-E	0.0900	询价	51	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZM10NB2TR-E-1833			1
UPA2706GR-E1-AT	1.1600	询价	7	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2706GR-E1-AT	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		30V	11A（Ta）、20A（Tc）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	3W（Ta）、15W（Tc）
HZU5.6B3TRF-EQ	0.1100	询价	57	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU5.6B3TRF-EQ-1833			2,704
2SJ179-T2-AZ	-	询价	5513	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SJ179-T2-AZ			1
HAT3043C-EL-E	0.3100	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		-	表面贴装	6-SMD，写入	HAT3043	MOSFET（金属O化物）	-	6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT3043C-EL-E	EAR99	8541.29.0075	1	N 和 P 沟道				20V	1.5A		205毫欧@1.5A，4.5V	-	-		-	-
HZM2.2NBTR-E	0.1600	询价	78	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.67%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM2.2NBTR-E	EAR99	8541.10.0050	1																		700mV时为120μA						2.25V	100欧姆
HAT1089C-EL-E	-	询价	9103	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-				2156-HAT1089C-EL-E			1			P沟道		20V	2A（塔）	2.5V、4.5V	103mOhm@1A，4.5V	1.4V@1mA	4.5nC@4.5V	±12V	365pF@10V	-	850毫W（塔）
2SK1958-T1-A	0.0700	询价	69	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.110英寸，2.80毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-MMPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SK1958-T1-A	EAR99	8541.21.0095	1			N沟道		16V	100mA（塔）	1.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.1V@10μA		±7V	10pF@3V	-	150毫W（塔）
RQA0008RXDQS#H1	0.5900	询价	40	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		尤帕克	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RQA0008RXDQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		16V	2.4A（塔）	-	-	800毫伏@1毫安		±5V	44pF@0V	-	10W（温度）
2SJ604-ZJ-E1-AZ	2.1600	询价	第662章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		60V	45A（温度）	4V、10V	30毫欧@23A，10V	2.5V@1mA	63nC@10V	±20V	3300pF@10V	-	1.5W（Ta）、70W（Tc）
2SK4150TZ-E	0.6300	询价	19	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET（金属O化物）		TO-92	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SK4150TZ-E	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		250伏	400mA（塔）	2.5V、4V	5.7欧姆@200mA，4V	1.5V@1mA	3.7nC@4V	±10V	80pF@25V	-	750毫W（塔）
RQA0004LXAQS#H1	-	询价	8694	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		尤帕克	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RQA0004LXAQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		16V	300mA（塔）	-	-	900毫伏@1毫安		±5V	10pF@0V	-	3W（塔）
RJU6052TDPP-EJ#T2	0.9200	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的			通孔	TO-220-2全包		标准		TO-220FP-2L	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJU6052TDPP-EJ#T2	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													600伏	3V@10A	25纳秒	600V时为1μA	150℃	10A	-
RD18P-T2-AZ	0.3900	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.39%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD18P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																		13V时为10μA						18V	45欧姆
RD3.0P-T2-AZ	0.6800	询价	15	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD3.0P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0080	1
RD3.3P-D-T2-AZ	0.3900	询价	8	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD3.3P-D-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1
HZM5.1NB2TR-E	0.1600	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.16%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM5.1NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																		1.5V时为5μA						5.09V	130欧姆
RD11M(0)-T1B-A	0.1400	询价	87	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD11M(0)-T1B-A	EAR99	8541.10.0050	1
2SK2159-T1-AZ	-	询价	6837	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SK2159-T1-AZ			1
RD13P-T1-AZ	0.3900	询价	22	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.54%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD13P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																		10V时为10μA						13伏	30欧姆
RD47FM-T1-AY	-	询价	4251	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD47FM-T1-AY			1
2SC4901YK-TL-E	-	询价	5033	瑞萨	2SC4901	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323			100毫W	3-CMPAK	-				2156-2SC4901YK-TL-E			1				-																		9V	50毫安			NPN	50@20mA，5V	9GHz	1.2dB@900MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²