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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 噪声系数(dB Typ @ f)
RD24P-T1-AZ Renesas RD24P-T1-AZ -
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ECAD 7690 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.83% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD24P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10μA@19V 24V 70欧姆
HZM15NB1TR-E Renesas HZM15NB1TR-E 0.1600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.19% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM15NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1 11V时为2μA 14.15V 40欧姆
RD16P(0)-T1-AZ Renesas RD16P(0)-T1-AZ 0.3800
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ECAD 12 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.63% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD16P(0)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 12V时为10μA 16V 40欧姆
HZM10NB2TR-E Renesas HZM10NB2TR-E 0.0900
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ECAD 51 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 供应商未定义 2156-HZM10NB2TR-E-1833 1
HAT1089C-EL-E Renesas HAT1089C-EL-E -
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ECAD 9103 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK - 2156-HAT1089C-EL-E 1 P沟道 20V 2A(塔) 2.5V、4.5V 103mOhm@1A,4.5V 1.4V@1mA 4.5nC@4.5V ±12V 365pF@10V - 850毫W(塔)
HZM2.2NBTR-E Renesas HZM2.2NBTR-E 0.1600
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ECAD 78 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.67% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM2.2NBTR-E EAR99 8541.10.0050 1 700mV时为120μA 2.25V 100欧姆
RQA0008RXDQS#H1 Renesas RQA0008RXDQS#H1 0.5900
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ECAD 40 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) 尤帕克 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-RQA0008RXDQS#H1 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 16V 2.4A(塔) - - 800毫伏@1毫安 ±5V 44pF@0V - 10W(温度)
2SJ604-ZJ-E1-AZ Renesas 2SJ604-ZJ-E1-AZ 2.1600
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ECAD 第662章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 60V 45A(温度) 4V、10V 30毫欧@23A,10V 2.5V@1mA 63nC@10V ±20V 3300pF@10V - 1.5W(Ta)、70W(Tc)
RJP4301APP-00#T2 Renesas RJP4301APP-00#T2 -
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ECAD 4204 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RJP4301APP-00#T2 1
BCR16KM-12LA-1#B00 Renesas BCR16KM-12LA-1#B00 1.6300
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ECAD 4 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 TO-220FN - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-BCR16KM-12LA-1#B00 EAR99 8541.30.0080 1 单身的 标准 600伏 16A 1.5V 160A@60Hz 30毫安
UPA1770G-E1-A Renesas UPA1770G-E1-A 1.6800
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) UPA1770 MOSFET(金属O化物) 750毫W(塔) 8-SOP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA1770G-E1-A EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 20V 6A(塔) 37毫欧@3A,4.5V 1.5V@1mA 11nC@4.5V 1300pF@10V -
HAT2292C-EL-E Renesas HAT2292C-EL-E 0.3400
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 表面贴装 6-SMD,写入 HAT2292 MOSFET(金属O化物) - 6-CMFPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT2292C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 20V 1.5A 205毫欧@1.5A,4.5V - - - -
2SK3435-Z-AZ Renesas 2SK3435-Z-AZ -
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ECAD 6748 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263、TO-220SMD - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3435-Z-AZ EAR99 8541.29.0075 75 N沟道 60V 80A(温度) 10V 14毫欧@40A,10V 2.5V@1mA 60nC@10V ±20V 3200pF@10V - 1.5W(Ta)、84W(Tc)
BCR3AS-12A#B00 Renesas BCR3AS-12A#B00 -
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ECAD 5569 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MP-3A - 2156-BCR3AS-12A#B00 1 单身的 标准 600伏 3A 1.5V 30A@60Hz 15毫安
HAT1096C-EL-E Renesas HAT1096C-EL-E 0.2100
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT1096C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 20V 1A(塔) 2.5V、4.5V 293mOhm@500μA,4.5V 1.4V@1mA 2nC@4.5V ±12V 155pF@10V - 790毫W(塔)
BCR12CM-12LB#BB0 Renesas BCR12CM-12LB#BB0 -
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ECAD 第1451章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR12CM-12LB#BB0 1 单身的 标准 600伏 12A 1.5V 120A@60Hz 30毫安
NP82N10PUF-E1-AY Renesas NP82N10PUF-E1-AY 2.4900
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ECAD 6 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263-3 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP82N10PUF-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100伏 82A(温度) 5.8V、10V 15毫欧@41A,10V 3.3V@250μA 96nC@10V ±20V 4350pF@25V - 1.8W(Ta)、150W(Tc)
NP69N03ZHGW-U Renesas NP69N03ZHGW-U -
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ECAD 7422 0.00000000 瑞萨 - 大部分 的积极 - 2156-NP69N03ZHGW-U 1
2SJ179-T2-AZ Renesas 2SJ179-T2-AZ -
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ECAD 5513 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SJ179-T2-AZ 1
HAT3043C-EL-E Renesas HAT3043C-EL-E 0.3100
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 表面贴装 6-SMD,写入 HAT3043 MOSFET(金属O化物) - 6-CMFPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT3043C-EL-E EAR99 8541.29.0075 1 N 和 P 沟道 20V 1.5A 205毫欧@1.5A,4.5V - - - -
HZU5.6B3TRF-E-Q Renesas HZU5.6B3TRF-EQ 0.1100
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ECAD 57 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZU5.6B3TRF-EQ-1833 2,704
2SK1954-Z-E1-AZ Renesas 2SK1954-Z-E1-AZ -
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ECAD 3177 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) MP-3Z - 2156-2SK1954-Z-E1-AZ 1 N沟道 180伏 4A(塔) 10V 650mOhm@2A,10V 4V@1mA 10nC@10V ±20V 300pF@10V - 1W(Ta)、20W(Tc)
2SC4901YK-TL-E Renesas 2SC4901YK-TL-E -
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ECAD 5033 0.00000000 瑞萨 2SC4901 大部分 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 100毫W 3-CMPAK - 2156-2SC4901YK-TL-E 1 - 9V 50毫安 NPN 50@20mA,5V 9GHz 1.2dB@900MHz
NP32N055SLE-E1-AZ Renesas NP32N055SLE-E1-AZ 1.6400
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ECAD 60 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZK) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP32N055SLE-E1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 55V 32A(塔) 4.5V、10V 24毫欧@16A,10V 2.5V@250μA 41nC@10V ±20V 2000pF@25V - 1.2W(Ta)、66W(Tc)
T1900N18TOFVTXPSA1 Renesas T1900N18TOFVTXPSA1 435.4800
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ECAD 4 0.00000000 瑞萨 - 大部分 的积极 - 2156-T1900N18TOFVTXPSA1 1
RD47FM-T1-AY Renesas RD47FM-T1-AY -
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ECAD 4251 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD47FM-T1-AY 1
RQA0004LXAQS#H1 Renesas RQA0004LXAQS#H1 -
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ECAD 8694 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) 尤帕克 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RQA0004LXAQS#H1 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 16V 300mA(塔) - - 900毫伏@1毫安 ±5V 10pF@0V - 3W(塔)
RJU6052TDPP-EJ#T2 Renesas RJU6052TDPP-EJ#T2 0.9200
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 通孔 TO-220-2全包 标准 TO-220FP-2L 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJU6052TDPP-EJ#T2 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 3V@10A 25纳秒 600V时为1μA 150℃ 10A -
RD3.3P-D-T2-AZ Renesas RD3.3P-D-T2-AZ 0.3900
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ECAD 8 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD3.3P-D-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1
RD3.0P-T2-AZ Renesas RD3.0P-T2-AZ 0.6800
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ECAD 15 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD3.0P-T2-AZ EAR99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库