分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
RD24P-T1-AZ	-	询价	7690	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.83%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD24P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																								10μA@19V						24V	70欧姆
HZM15NB1TR-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.19%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM15NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																								11V时为2μA						14.15V	40欧姆
RD16P(0)-T1-AZ	0.3800	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.63%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD16P(0)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																								12V时为10μA						16V	40欧姆
HZM10NB2TR-E	0.0900	询价	51	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZM10NB2TR-E-1833			1
HAT1089C-EL-E	-	询价	9103	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-				2156-HAT1089C-EL-E			1			P沟道		20V	2A（塔）	2.5V、4.5V	103mOhm@1A，4.5V	1.4V@1mA	4.5nC@4.5V	±12V	365pF@10V	-	850毫W（塔）
HZM2.2NBTR-E	0.1600	询价	78	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.67%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM2.2NBTR-E	EAR99	8541.10.0050	1																								700mV时为120μA						2.25V	100欧姆
RQA0008RXDQS#H1	0.5900	询价	40	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		尤帕克	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RQA0008RXDQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		16V	2.4A（塔）	-	-	800毫伏@1毫安		±5V	44pF@0V	-	10W（温度）
2SJ604-ZJ-E1-AZ	2.1600	询价	第662章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		60V	45A（温度）	4V、10V	30毫欧@23A，10V	2.5V@1mA	63nC@10V	±20V	3300pF@10V	-	1.5W（Ta）、70W（Tc）
RJP4301APP-00#T2	-	询价	4204	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RJP4301APP-00#T2			1
BCR16KM-12LA-1#B00	1.6300	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				TO-220FN	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BCR16KM-12LA-1#B00	EAR99	8541.30.0080	1	单身的														标准	600伏	16A	1.5V	160A@60Hz	30毫安
UPA1770G-E1-A	1.6800	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA1770	MOSFET（金属O化物）	750毫W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA1770G-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）				20V	6A（塔）		37毫欧@3A，4.5V	1.5V@1mA	11nC@4.5V		1300pF@10V	-
HAT2292C-EL-E	0.3400	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的		-	表面贴装	6-SMD，写入	HAT2292	MOSFET（金属O化物）	-	6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT2292C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）				20V	1.5A		205毫欧@1.5A，4.5V	-	-		-	-
2SK3435-Z-AZ	-	询价	6748	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3435-Z-AZ	EAR99	8541.29.0075	75			N沟道		60V	80A（温度）	10V	14毫欧@40A，10V	2.5V@1mA	60nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1.5W（Ta）、84W（Tc）
BCR3AS-12A#B00	-	询价	5569	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				MP-3A	-				2156-BCR3AS-12A#B00			1	单身的														标准	600伏	3A	1.5V	30A@60Hz	15毫安
HAT1096C-EL-E	0.2100	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT1096C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		20V	1A（塔）	2.5V、4.5V	293mOhm@500μA，4.5V	1.4V@1mA	2nC@4.5V	±12V	155pF@10V	-	790毫W（塔）
BCR12CM-12LB#BB0	-	询价	第1451章	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-BCR12CM-12LB#BB0			1	单身的														标准	600伏	12A	1.5V	120A@60Hz	30毫安
NP82N10PUF-E1-AY	2.4900	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP82N10PUF-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		100伏	82A（温度）	5.8V、10V	15毫欧@41A，10V	3.3V@250μA	96nC@10V	±20V	4350pF@25V	-	1.8W（Ta）、150W（Tc）
NP69N03ZHGW-U	-	询价	7422	瑞萨	-	大部分	的积极									-				2156-NP69N03ZHGW-U			1
2SJ179-T2-AZ	-	询价	5513	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SJ179-T2-AZ			1
HAT3043C-EL-E	0.3100	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		-	表面贴装	6-SMD，写入	HAT3043	MOSFET（金属O化物）	-	6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT3043C-EL-E	EAR99	8541.29.0075	1	N 和 P 沟道				20V	1.5A		205毫欧@1.5A，4.5V	-	-		-	-
HZU5.6B3TRF-EQ	0.1100	询价	57	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU5.6B3TRF-EQ-1833			2,704
2SK1954-Z-E1-AZ	-	询价	3177	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		MP-3Z	-				2156-2SK1954-Z-E1-AZ			1			N沟道		180伏	4A（塔）	10V	650mOhm@2A，10V	4V@1mA	10nC@10V	±20V	300pF@10V	-	1W（Ta）、20W（Tc）
2SC4901YK-TL-E	-	询价	5033	瑞萨	2SC4901	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323			100毫W	3-CMPAK	-				2156-2SC4901YK-TL-E			1				-																								9V	50毫安			NPN	50@20mA，5V	9GHz	1.2dB@900MHz
NP32N055SLE-E1-AZ	1.6400	询价	60	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP32N055SLE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1			N沟道		55V	32A（塔）	4.5V、10V	24毫欧@16A，10V	2.5V@250μA	41nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	1.2W（Ta）、66W（Tc）
T1900N18TOFVTXPSA1	435.4800	询价	4	瑞萨	-	大部分	的积极									-				2156-T1900N18TOFVTXPSA1			1
RD47FM-T1-AY	-	询价	4251	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD47FM-T1-AY			1
RQA0004LXAQS#H1	-	询价	8694	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		尤帕克	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RQA0004LXAQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		16V	300mA（塔）	-	-	900毫伏@1毫安		±5V	10pF@0V	-	3W（塔）
RJU6052TDPP-EJ#T2	0.9200	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的			通孔	TO-220-2全包		标准		TO-220FP-2L	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJU6052TDPP-EJ#T2	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																			600伏	3V@10A	25纳秒	600V时为1μA	150℃	10A	-
RD3.3P-D-T2-AZ	0.3900	询价	8	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD3.3P-D-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1
RD3.0P-T2-AZ	0.6800	询价	15	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD3.0P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0080	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²