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离散半导体产品（（447）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2SC4942-az	1.2500	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			2 w	MP-2	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SC4942-AZ	Ear99	8541.29.0095	1																									600 v	1 a	10µA（ICBO）			NPN	1V @ 80mA，400mA	30 @ 100mA，5v	30MHz
RQA0005AQS＃h1	0.5300	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RQA0005AQS＃h1	Ear99	8541.29.0095	1
HZU5.6B2JTRF-E	0.0700	RFQ	54	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZU5.6B2JTRF-E-1833			1
HZM6.8NB2TL-E	0.1500	RFQ	10	肾脏	-	大部分	过时的	±2.06％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM6.8NB2TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																								2 µA @ 3.5 V				6.79 v	30欧姆
HZM12NB1TR-E	0.1500	RFQ	39	肾脏	-	大部分	过时的	±2.06％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM12NB1TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																								2 µA @ 9 V				11.66 v	35欧姆
UPA1727G-E1-AT	1.5400	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1727G-E1-AT	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	10a（10a）	4V，10V	19mohm @ 5a，10v	2.5V @ 1mA	45 NC @ 10 V	±20V	2400 pf @ 10 V	-	2W（TA）
2SK3402-ZK-E1-AY	1.3800	RFQ	17	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3402-ZK-E1-AY	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		60 V	36a（TC）	4V，10V	15mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	61 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	1W（ta），40W（40W）TC）
2p6m-az	-	RFQ	6154	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	to-202长标签				到202	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2p6m-az	Ear99	8541.30.0080	1			3 ma												600 v		800 mv	20a @ 60hz	200 µA	2.2 v		100 µA	敏感门
2SK3435-az	2.6000	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3435-az	Ear99	8541.29.0075	116		n通道		60 V	80A（TC）	10V	14mohm @ 40a，10v	2.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），84W（tc）
BCR3AS-12A ＃B00	-	RFQ	5569	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MP-3A	-				2156-BCR3AS-12A ＃B00			1	单身的													标准	600 v	3 a	1.5 v	30a @ 60Hz	15 ma
HZM13NB1TL-E	0.1500	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	±2.2％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM13NB1TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																								2 µA @ 10 V				12.75 v	35欧姆
2SK3402-az	1.3800	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3402-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		60 V	36a（TC）	4V，10V	15mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	61 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	1W（ta），40W（40W）TC）
UPA1601GS-E1-A	1.8400	RFQ	40	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜85°C（TA）	表面安装	16-SOIC （0.220英寸，5.59mm）	UPA1601	MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	16 SOP	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-UPA1601GS-E1-A	Ear99	8542.39.0001	163	7 n通道			30V	270mA（ta）		5.3OHM @ 150mA，4V	800mv @ 150mA	-		15pf @ 10V	-
RD39P-T1-AY	1.0000	RFQ	8627	肾脏	-	大部分	过时的	±5.13％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD39P-T1-AY	Ear99	8541.10.0050	1																								10 µA @ 30 V				39 v	130欧姆
2SK3482-Z-e2-az	-	RFQ	7930	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	-				2156-2SK3482-Z-e2-az			1		n通道		100 v	36a	4.5V，10V	33mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 10 V	-	1W
UPA1774G-E1-A	-	RFQ	5916	肾脏	-	大部分	过时的		-55°C〜150°C	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）	800MW	8-Powersop	-				2156-UPA1774G-E1-A			1	2个p通道			60V	2.8a		250MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	10NC @ 10V		420pf @ 10V	-
2SC5292（0）-t-az	-	RFQ	8914	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2SC5292（0）-t-az			1
CR12CM-12A ＃B00	-	RFQ	5157	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220AB	-				2156-CR12CM-12A ＃B00			1			30 ma												600 v	18.8 a	1.5 v	360a @ 60Hz	30 ma	1.6 v	12 a	2 ma	标准恢复
RD2.27m（（3）-t1b-a	1.0000	RFQ	8651	肾脏	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD2.7M（3）-t1b-a	Ear99	8541.10.0050	1
HZU30B90TRF-E	0.0700	RFQ	96	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZU30B90TRF-E-1833			1
2SK4150TZ-E	0.6300	RFQ	19	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SK4150TZ-E	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		250 v	400mA（TA）	2.5V，4V	5.7OHM @ 200mA，4V	1.5V @ 1mA	3.7 NC @ 4 V	±10V	80 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
2SK2159-T1-AZ	-	RFQ	6837	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2SK2159-T1-AZ			1
RD5.1SL-T1-AT	-	RFQ	4888	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-RD5.1SL-T1-AT			1
UPA2752GR-E2-A	1.3000	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA2752	MOSFET （金属 o化物）	1.7W（TA）	8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2752GR-E2-A	Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）			30V	8A（TC）		23mohm @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	10NC @ 10V		480pf @ 10V	-
HAT2218R0T-EL-E	0.7600	RFQ	15	肾脏	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HAT2218R0T-EL-E	Ear99	8541.29.0075	1
UPA2706GR-E1-AT	1.1600	RFQ	7	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2706GR-E1-AT	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	（11a）（ta），20A （TC）	4V，10V	15mohm @ 5.5a，10v	2.5V @ 1mA	7.1 NC @ 5 V	±20V	660 pf @ 10 V	-	（3W）（15W）（15W）TC）
RD11M（0）-T1B-A	0.1400	RFQ	87	肾脏	-	大部分	过时的									-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD11M （0）-t1b-a	Ear99	8541.10.0050	1
2SK1581-T1B-A	0.1600	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SC-59	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK1581-T1B-A	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		16 V	200ma（ta）	2.5V，4V	5ohm @ 1mA，4V	1.6V @ 10µA		±16V	27 pf @ 3 V	-	200mw（ta）
RD18P-T2-AZ	0.3900	RFQ	4	肾脏	-	大部分	过时的	±6.39％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD18P-T2-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																								10 µA @ 13 V				18 V	45欧姆
2SD1694（4）-s2-az	-	RFQ	4175	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2SD1694（4）-s2-az			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（447）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²