分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电流 - 反向电流@Vr	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
HZU30B90TRF-E	0.0700	询价	96	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZU30B90TRF-E-1833			1
RD39P-T1-AY	1.0000	询价	8627	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.13%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD39P-T1-AY	EAR99	8541.10.0050	1																				10μA@30V				39伏	130欧姆
HZM5.6NB1TL-E	0.1600	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.21%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM5.6NB1TL-E	EAR99	8541.10.0050	1,888																				2.5V时为5μA				5.43V	80欧姆
HR1F3P(0)-T1-AZ	0.4600	询价	25	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	TO-243AA	HR1F3P		2W	SC-62	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HR1F3P(0)-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																					60V	1A	100纳安			PNP - 预偏置	350mV@10mA、500mA	100@500mA，2V	2欧姆	10欧姆
RD2.0P-T1-AZ	0.8100	询价	50	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD2.0P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0080	1
RQM2201DNS#P0	1.1800	询价	32	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	RQM2201	MOSFET（金属O化物）	1.5W（塔）	6-HWSON (3x3)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RQM2201DNS#P0	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			60V	2A（塔）		225毫欧@1A，4.5V	1.4V@1mA	2.4nC@4.5V		200pF@10V	-
RD2.7M(3)-T1B-A	1.0000	询价	8651	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD2.7M(3)-T1B-A	EAR99	8541.10.0050	1
HZM6.8NB2TL-E	0.1500	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM6.8NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																				2μA@3.5V				6.79V	30欧姆
2SC5292(0)-T-AZ	-	询价	8914	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SC5292(0)-T-AZ			1
RD16ES-T1	-	询价	1233	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RD16ES-T1-1833			1
AC03FGM(CY)-AZ	1.7400	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-202 长翼片				TO-202	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-AC03FGM(CY)-AZ	EAR99	8541.30.0080	1	单身的		10毫安											标准	600伏	3A	1.5V	30A、33A	12毫安
RQA0005AQS#H1	0.5300	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RQA0005AQS#H1	EAR99	8541.29.0095	1
2SK4150TZ-E	0.6300	询价	19	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET（金属O化物）		TO-92	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SK4150TZ-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		250伏	400mA（塔）	2.5V、4V	5.7欧姆@200mA，4V	1.5V@1mA	3.7nC@4V	±10V	80pF@25V	-	750毫W（塔）
HZM12NB1TL-E	0.1500	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM12NB1TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																				9V时为2μA				11.66V	35欧姆
HAT2203C-EL-E	0.2300	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT2203C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		20V	2A（塔）	2.5V、4.5V	90毫欧@1A，4.5V	1.4V@1mA	1.8nC@4.5V	±12V	165pF@10V	-	830毫W（塔）
RD18P-T2-AZ	0.3900	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.39%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD18P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																				13V时为10μA				18V	45欧姆
RJK6035DPP-E3#T2	-	询价	5414	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RJK6035DPP-E3#T2			1
CR04AM-12-TB#F00	0.4700	询价	22号	瑞萨	*	大部分	的积极									-		供应商未定义	REACH 不出行	2156-CR04AM-12-TB#F00-1833			1
2SK1958-T1-A	0.0700	询价	69	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-TSSOP、8-MSOP（0.110英寸，2.80毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-MMPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SK1958-T1-A	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道		16V	100mA（塔）	1.5V、4V	12欧姆@10mA，4V	1.1V@10μA		±7V	10pF@3V	-	150毫W（塔）
RD11M(0)-T1B-A	0.1400	询价	87	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD11M(0)-T1B-A	EAR99	8541.10.0050	1
HZM3.9NB2TL-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.88%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM3.9NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																				1V时为10μA				3.99V	130欧姆
HZM5.1NB2TL-E	0.1600	询价	44	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.16%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM5.1NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																				1.5V时为5μA				5.09V	130欧姆
2SK3813-AZ	-	询价	4491	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		MP-3	-				2156-2SK3813-AZ			1		N沟道		40V	60A（温度）	4.5V、10V	5.3毫欧@30A，10V	2.5V@1mA	96nC@10V	±20V	5500pF@10V	-	1W（Ta）、84W（Tc）
RD100FS(0)-T1-AY	-	询价	9822	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD100FS(0)-T1-AY			1
RD24FS(0)-T1-AY	-	询价	第1452章	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD24FS(0)-T1-AY			1
UPA2756GR-E1-A	0.8200	询价	14	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2756	MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-PowerSOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA2756GR-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			60V	4A（塔）		105mOhm@2A，10V	2.5V@1mA	6nC@10V		260pF@10V	-
2SJ358-T1-AZ	0.8400	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		MP-2	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ358-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		60V	3A（塔）	4V、10V	300mOhm@1.5A，10V	2V@1mA	10V时为23.9nC	+10V，-20V	600pF@10V	-	2W（塔）
UPA2706GR-E1-AT	1.1600	询价	7	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2706GR-E1-AT	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	11A（Ta）、20A（Tc）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	3W（Ta）、15W（Tc）
RD12P-T1-AZ	0.4000	询价	41	瑞萨	-	大部分	过时的	±5%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD12P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																				9V时为10μA				12V	25欧姆
RD8.2P-T1-AZ	0.1800	询价	32	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.1%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD8.2P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																				5V时为20μA				8.2V	15欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²