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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
HZU30B90TRF-E Renesas HZU30B90TRF-E 0.0700
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ECAD 96 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 供应商未定义 2156-HZU30B90TRF-E-1833 1
RD39P-T1-AY Renesas RD39P-T1-AY 1.0000
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ECAD 8627 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.13% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD39P-T1-AY EAR99 8541.10.0050 1 10μA@30V 39伏 130欧姆
HZM5.6NB1TL-E Renesas HZM5.6NB1TL-E 0.1600
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ECAD 12 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.21% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM5.6NB1TL-E EAR99 8541.10.0050 1,888 2.5V时为5μA 5.43V 80欧姆
HR1F3P(0)-T1-AZ Renesas HR1F3P(0)-T1-AZ 0.4600
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ECAD 25 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 TO-243AA HR1F3P 2W SC-62 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HR1F3P(0)-T1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 60V 1A 100纳安 PNP - 预偏置 350mV@10mA、500mA 100@500mA,2V 2欧姆 10欧姆
RD2.0P-T1-AZ Renesas RD2.0P-T1-AZ 0.8100
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ECAD 50 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD2.0P-T1-AZ EAR99 8541.10.0080 1
RQM2201DNS#P0 Renesas RQM2201DNS#P0 1.1800
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ECAD 32 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 RQM2201 MOSFET(金属O化物) 1.5W(塔) 6-HWSON (3x3) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RQM2201DNS#P0 EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 60V 2A(塔) 225毫欧@1A,4.5V 1.4V@1mA 2.4nC@4.5V 200pF@10V -
RD2.7M(3)-T1B-A Renesas RD2.7M(3)-T1B-A 1.0000
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ECAD 8651 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD2.7M(3)-T1B-A EAR99 8541.10.0050 1
HZM6.8NB2TL-E Renesas HZM6.8NB2TL-E 0.1500
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ECAD 10 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.06% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM6.8NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2μA@3.5V 6.79V 30欧姆
2SC5292(0)-T-AZ Renesas 2SC5292(0)-T-AZ -
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ECAD 8914 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SC5292(0)-T-AZ 1
RD16ES-T1 Renesas RD16ES-T1 -
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ECAD 1233 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-RD16ES-T1-1833 1
AC03FGM(CY)-AZ Renesas AC03FGM(CY)-AZ 1.7400
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ECAD 10 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 TO-202 长翼片 TO-202 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-AC03FGM(CY)-AZ EAR99 8541.30.0080 1 单身的 10毫安 标准 600伏 3A 1.5V 30A、33A 12毫安
RQA0005AQS#H1 Renesas RQA0005AQS#H1 0.5300
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ECAD 6 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RQA0005AQS#H1 EAR99 8541.29.0095 1
2SK4150TZ-E Renesas 2SK4150TZ-E 0.6300
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ECAD 19 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET(金属O化物) TO-92 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-2SK4150TZ-E EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 250伏 400mA(塔) 2.5V、4V 5.7欧姆@200mA,4V 1.5V@1mA 3.7nC@4V ±10V 80pF@25V - 750毫W(塔)
HZM12NB1TL-E Renesas HZM12NB1TL-E 0.1500
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ECAD 6 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.06% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM12NB1TL-E EAR99 8541.10.0050 1 9V时为2μA 11.66V 35欧姆
HAT2203C-EL-E Renesas HAT2203C-EL-E 0.2300
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT2203C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 20V 2A(塔) 2.5V、4.5V 90毫欧@1A,4.5V 1.4V@1mA 1.8nC@4.5V ±12V 165pF@10V - 830毫W(塔)
RD18P-T2-AZ Renesas RD18P-T2-AZ 0.3900
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ECAD 4 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.39% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD18P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1 13V时为10μA 18V 45欧姆
RJK6035DPP-E3#T2 Renesas RJK6035DPP-E3#T2 -
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ECAD 5414 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RJK6035DPP-E3#T2 1
CR04AM-12-TB#F00 Renesas CR04AM-12-TB#F00 0.4700
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ECAD 22号 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 - 供应商未定义 REACH 不出行 2156-CR04AM-12-TB#F00-1833 1
2SK1958-T1-A Renesas 2SK1958-T1-A 0.0700
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ECAD 69 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-TSSOP、8-MSOP(0.110英寸,2.80毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-MMPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-2SK1958-T1-A EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 16V 100mA(塔) 1.5V、4V 12欧姆@10mA,4V 1.1V@10μA ±7V 10pF@3V - 150毫W(塔)
RD11M(0)-T1B-A Renesas RD11M(0)-T1B-A 0.1400
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ECAD 87 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD11M(0)-T1B-A EAR99 8541.10.0050 1
HZM3.9NB2TL-E Renesas HZM3.9NB2TL-E 0.1600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.88% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM3.9NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 1V时为10μA 3.99V 130欧姆
HZM5.1NB2TL-E Renesas HZM5.1NB2TL-E 0.1600
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ECAD 44 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.16% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM5.1NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 1.5V时为5μA 5.09V 130欧姆
2SK3813-AZ Renesas 2SK3813-AZ -
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ECAD 4491 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA MOSFET(金属O化物) MP-3 - 2156-2SK3813-AZ 1 N沟道 40V 60A(温度) 4.5V、10V 5.3毫欧@30A,10V 2.5V@1mA 96nC@10V ±20V 5500pF@10V - 1W(Ta)、84W(Tc)
RD100FS(0)-T1-AY Renesas RD100FS(0)-T1-AY -
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ECAD 9822 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD100FS(0)-T1-AY 1
RD24FS(0)-T1-AY Renesas RD24FS(0)-T1-AY -
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ECAD 第1452章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD24FS(0)-T1-AY 1
UPA2756GR-E1-A Renesas UPA2756GR-E1-A 0.8200
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ECAD 14 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) UPA2756 MOSFET(金属O化物) 2W(塔) 8-PowerSOP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA2756GR-E1-A EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 60V 4A(塔) 105mOhm@2A,10V 2.5V@1mA 6nC@10V 260pF@10V -
2SJ358-T1-AZ Renesas 2SJ358-T1-AZ 0.8400
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ECAD 5 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) MP-2 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SJ358-T1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 60V 3A(塔) 4V、10V 300mOhm@1.5A,10V 2V@1mA 10V时为23.9nC +10V,-20V 600pF@10V - 2W(塔)
UPA2706GR-E1-AT Renesas UPA2706GR-E1-AT 1.1600
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ECAD 7 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SOP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA2706GR-E1-AT EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 11A(Ta)、20A(Tc) 4V、10V 15毫欧@5.5A,10V 2.5V@1mA 7.1nC@5V ±20V 660pF@10V - 3W(Ta)、15W(Tc)
RD12P-T1-AZ Renesas RD12P-T1-AZ 0.4000
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ECAD 41 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD12P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 9V时为10μA 12V 25欧姆
RD8.2P-T1-AZ Renesas RD8.2P-T1-AZ 0.1800
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ECAD 32 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.1% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD8.2P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 5V时为20μA 8.2V 15欧姆
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