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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电流 - 反向电流@Vr | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UPA1727G-E1-AT | 1.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA1727G-E1-AT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 10A(塔) | 4V、10V | 19毫欧@5A,10V | 2.5V@1mA | 45nC@10V | ±20V | 2400pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||
![]() | 2SA952-TA | 0.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-2SA952-TA-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ461-T1B-A | - | ![]() | 9937 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SJ461-T1B-A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD7.5P-T2-AZ | 0.3600 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±6% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 1W | SOT-89 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD7.5P-T2-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 4V时为20μA | 7.5V | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | HZM15NB2TL-E | 0.1600 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.18% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM15NB2TL-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 11V时为2μA | 14.66V | 40欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | HZM12NB3TR-E | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.11% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM12NB3TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9V时为2μA | 12.34V | 35欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3353-AZ | 3.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3353-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 82A(温度) | 4V、10V | 9.5毫欧@41A,10V | 2.5V@1mA | 90nC@10V | ±20V | 4650pF@10V | - | 1.5W(Ta)、95W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | 2SK3902-ZK-E1-AY | 1.2100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263-3 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3902-ZK-E1-AY | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 60V | 30A(温度) | 4.5V、10V | 21毫欧@15A,10V | 2.5V@1mA | 25nC@10V | ±20V | 1200pF@10V | - | 1.5W(Ta)、45W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | 2SB736-D-T1-A | - | ![]() | 3910 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SB736-D-T1-A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3455B-S17-AY | 3.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | ITO-220 (MP-45F) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3455B-S17-AY | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 500V | 12A(温度) | 10V | 600mOhm@6A,10V | 3.5V@1mA | 30nC@10V | ±30V | 1800pF@10V | - | 2W(Ta)、50W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | RJL5014DPP-E0#T2 | 5.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-RJL5014DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 500V | 19A(塔) | 10V | 400毫欧@9.5A,10V | 4V@1mA | 43nC@10V | ±30V | 1700pF@25V | - | 35W(温度) | ||||||||||||||||
![]() | HAT1108C-EL-E | - | ![]() | 8371 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 6-SMD,写入 | MOSFET(金属O化物) | 6-CMFPAK | - | 2156-HAT1108C-EL-E | 1 | P沟道 | 30V | 1.5A(塔) | 4.5V | 194mOhm@750mA,10V | 2V@1mA | 3nC@10V | ±20V | 160pF@10V | - | 830毫W(塔) | ||||||||||||||||||||
![]() | RD30P(2)-T1-AZ | 0.3600 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±6.67% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 1W | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD30P(2)-T1-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10μA@23V | 30V | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK1168-E | - | ![]() | 9196 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SK1168-E | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1770G-E1-AT | - | ![]() | 3730 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 750毫W(塔) | 8-PowerSOP | - | 2156-UPA1770G-E1-AT | 1 | 2 N 沟道 | 20V | 6A(塔) | 37毫欧@3A,4.5V | 1.5V@1mA | 11nC@4.5V | 1300pF@10V | 标准 | ||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2700TP-E2-AZ | - | ![]() | 7014 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽)裸露焊盘 | MOSFET(金属O化物) | 8-HSOP | - | 2156-UPA2700TP-E2-AZ | 1 | N沟道 | 30V | 17A(塔) | 4V、10V | 5.3毫欧@9A,10V | 2.5V@1mA | 26nC@5V | ±20V | 2600pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||
![]() | UPA1981TE-T1-A | 0.2400 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | SC-95 | UPA1981 | MOSFET(金属O化物) | 1W(塔) | SC-95 | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA1981TE-T1-A | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | N 和 P 沟道 | 8V | 2.8A(塔) | 70毫欧@2.8A、5V、105毫欧@1.9A、2.5V | 200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A | - | - | - | |||||||||||||||||
![]() | 2SK4092-S35-A | 2.8400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-3P (MP-88) | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK4092-S35-A | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 600伏 | 21A(温度) | 10V | 400毫欧@10A,10V | 3.5V@1mA | 50nC@10V | ±30V | 10V时为3240pF | - | 3W(Ta)、200W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | HAT1093C-EL-E | 0.2500 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 6-SMD,写入 | MOSFET(金属O化物) | 6-CMFPAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-HAT1093C-EL-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 12V | 3A(塔) | 1.8V、4.5V | 54毫欧@1.5A,4.5V | 1.2V@1mA | 11nC@4.5V | ±8V | 940pF@10V | - | 900毫W(塔) | ||||||||||||||||
![]() | RJK5026DPP-E0#T2 | 2.9500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJK5026DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 500V | 6A(塔) | 10V | 1.7欧姆@3A,10V | 4.5V@1mA | 14nC@10V | ±30V | 440pF@25V | - | 28.5W(温度) | ||||||||||||||||
![]() | UPA1774G-E1-A | - | ![]() | 5916 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~150℃ | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 800毫W | 8-PowerSOP | - | 2156-UPA1774G-E1-A | 1 | 2 P 沟道 | 60V | 2.8A | 250mOhm@2A,10V | 2.5V@1mA | 10nC@10V | 420pF@10V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | HS54095TZ-E | 0.7900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | MOSFET(金属O化物) | TO-92 | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-HS54095TZ-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 600伏 | 200mA(塔) | 10V | 16.5欧姆@100mA,10V | 5V@1mA | 4.8nC@10V | ±30V | 66pF@25V | - | 750毫W(塔) | ||||||||||||||||
![]() | NP90N04VUG-E1-AY | - | ![]() | 8968 | 0.00000000 | 瑞萨 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 的积极 | 175℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252 (MP-3ZP) | - | 2156-NP90N04VUG-E1-AY | 1 | N沟道 | 40V | 90A(温度) | 10V | 4mOhm@45A,10V | 4V@250μA | 135nC@10V | ±20V | 7500pF@25V | - | 1.2W(Ta)、105W(Tc) | ||||||||||||||||||||
![]() | 2SA812B-T1B-AT | 0.0700 | ![]() | 201 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-迷你模具 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SA812B-T1B-AT | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 300毫伏@10毫安,100毫安 | 90@1mA,6V | 180兆赫 | ||||||||||||||||||||
![]() | RD2.4E-T1-AZ | - | ![]() | 9732 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±3.91% | 175°C(太焦) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-RD2.4E-T1-AZ-1833 | 1 | 1V时为120μA | 2.43V | 100欧姆 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | HVD396CKRF-E | 0.0900 | ![]() | 144 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-HVD396CKRF-E-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM15NB2TR-E | 0.1600 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.18% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM15NB2TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 11V时为2μA | 14.66V | 40欧姆 | |||||||||||||||||||||||
![]() | NP88N04NUG-S18-AY | 2.6800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | MOSFET(金属O化物) | TO-262 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP88N04NUG-S18-AY | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N沟道 | 40V | 88A(温度) | 10V | 3.4毫欧@44A,10V | 4V@250μA | 250nC@10V | ±20V | 15000pF@25V | - | 1.8W(Ta)、200W(Tc) | ||||||||||||||||
![]() | RD5.1SL-T1-AT | - | ![]() | 4888 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-RD5.1SL-T1-AT | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD4.7P-T1-AZ | 0.2600 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±5.32% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 1W | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD4.7P-T1-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1V时为20μA | 4.7V | 80欧姆 |
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