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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 电流 - 保持 (Ih)(最大) | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 多种可控硅类型 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电压-感应触发(Vgt)(最大) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) | 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) | 当前 - 关闭状态(最大) | 可控硅类型 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HAT1091C-EL-E | 0.2500 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 6-SMD,写入 | MOSFET(金属O化物) | 6-CMFPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-HAT1091C-EL-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 20V | 1.5A(塔) | 2.5V、4V | 175mOhm@800mA,4.5V | 1.4V@1mA | 2.6nC@4.5V | ±12V | 200pF@10V | - | 830毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP160N055TUJ-E1-AY | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 表面贴装 | TO-263-7,D²Pak(6引脚+接片) | MOSFET(金属O化物) | TO-263-7 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP160N055TUJ-E1-AY | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 55V | 160A(温度) | 10V | 3mOhm@80A,10V | 4V@250μA | 180nC@10V | ±20V | 10350pF@25V | - | 1.8W(Ta)、250W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM11NB1TR-E | 0.1600 | ![]() | 99 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.06% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM11NB1TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,888 | 8V时为2μA | 10.66V | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD7.5E-T1-AZ | - | ![]() | 4427 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.2% | 175°C(太焦) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-RD7.5E-T1-AZ-1833 | 1 | 500nA@4V | 7.04V | 8欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM3.6NB2TR-E | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±3.4% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM3.6NB2TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1V时为10μA | 3.68V | 130欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ529L06-E | 0.9400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-251-3 长光源、IPak、TO-251AB | MOSFET(金属O化物) | DPAK(L)-(2) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SJ529L06-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 60V | 10A(塔) | 4V、10V | 160mOhm@5A,10V | 2V@1mA | ±20V | 580pF@10V | - | 20W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT2218R0T-EL-E | 0.7600 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HAT2218R0T-EL-E | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR12CM-12A#B00 | - | ![]() | 5157 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220ABS | - | 2156-CR12CM-12A#B00 | 1 | 30毫安 | 600伏 | 18.8A | 1.5V | 360A@60Hz | 30毫安 | 1.6V | 12A | 2毫安 | 标准回报率 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP34N055SLE-E1-AY | 1.8500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252 (MP-3ZK) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP34N055SLE-E1-AY | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 55V | 34A(塔) | 4.5V、10V | 18毫欧@17A,10V | 2.5V@250μA | 72nC@10V | ±20V | 3000pF@25V | - | 1.2W(Ta)、88W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU2.0BTRF-EQ | 0.0600 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-HZU2.0BTRF-EQ-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM5.6NB3TR-E | 0.1600 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.16% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM5.6NB3TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2.5V时为5μA | 5.8V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2498-AZ | 3.5400 | ![]() | 第414章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | MOSFET(金属O化物) | ITO-220AB | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK2498-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 50A(塔) | 4V、10V | 9毫欧@25A,10V | 2V@1mA | 152nC@10V | ±20V | 3400pF@10V | - | 2W(Ta)、35W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM12NB1TR-E | 0.1500 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.06% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM12NB1TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9V时为2μA | 11.66V | 35欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD571(1)-AZ | - | ![]() | 5660 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SD571(1)-AZ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJU60C6TDPP-EJ#T2 | 1.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | TO-220-2全包 | 标准 | TO-220FP-2L | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJU60C6TDPP-EJ#T2 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2V@50A | 100纳秒 | 600V时为1μA | 150℃ | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM7.5NB3TR-E | 0.1600 | ![]() | 48 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.08% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM7.5NB3TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2μA@4V | 7.68V | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR12CM-12LB#BB0 | - | ![]() | 第1451章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220ABS | - | 2156-BCR12CM-12LB#BB0 | 1 | 单身的 | 标准 | 600伏 | 12A | 1.5V | 120A@60Hz | 30毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3354-AZ | 3.7400 | ![]() | 第946章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3354-AZ | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 60V | 83A(温度) | 4V、10V | 8毫欧@42A,10V | 2.5V@1mA | 10V时为106nC | ±20V | 6300pF@10V | - | 1.5W(Ta)、100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1843(0)-T-AZ | - | ![]() | 1831年 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SIP | - | - | 2156-2SA1843(0)-T-AZ | 1 | 10μA(ICBO) | 国民党 | 500mV@200mA,4A | 100 @ 1A,2V | 80兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3377-Z-AZ | 0.8300 | ![]() | 第771章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252 (MP-3Z) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3377-Z-AZ | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 60V | 20A(塔) | 4V、10V | 44mOhm@10A,10V | 2.5V@1mA | 17nC@10V | ±20V | 760pF@10V | - | 1W(Ta)、30W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU5.6B2JTRF-E | 0.0700 | ![]() | 54 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | 供应商未定义 | 2156-HZU5.6B2JTRF-E-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP82N10PUF-E1-AY | 2.4900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263-3 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP82N10PUF-E1-AY | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 100V | 82A(温度) | 5.8V、10V | 15毫欧@41A,10V | 3.3V@250μA | 96nC@10V | ±20V | 4350pF@25V | - | 1.8W(Ta)、150W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2706GR-E1-A | 1.1400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA2706GR-E1-A | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 30V | 11A(Ta)、20A(Tc) | 4V、10V | 15毫欧@5.5A,10V | 2.5V@1mA | 7.1nC@5V | ±20V | 660pF@10V | - | 3W(Ta)、15W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP69N03ZHGW-U | - | ![]() | 7422 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 的积极 | - | 2156-NP69N03ZHGW-U | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2756GR-E1-A | 0.8200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | UPA2756 | MOSFET(金属O化物) | 2W(塔) | 8-PowerSOP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-UPA2756GR-E1-A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 60V | 4A(塔) | 105mOhm@2A,10V | 2.5V@1mA | 6nC@10V | 260pF@10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT1096C-EL-E | 0.2100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 6-SMD,写入 | MOSFET(金属O化物) | 6-CMFPAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-HAT1096C-EL-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 20V | 1A(塔) | 2.5V、4.5V | 293mOhm@500μA,4.5V | 1.4V@1mA | 2nC@4.5V | ±12V | 155pF@10V | - | 790毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1759G-E1-A | 0.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-PowerSOP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-UPA1759G-E1-A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 5A(温度) | 4V、10V | 150mOhm@2.5A,10V | 2.5V@1mA | 8nC@10V | ±20V | 190pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR8CM-12B#BB0 | - | ![]() | 5160 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220ABS | - | 2156-CR8CM-12B#BB0 | 1 | 15毫安 | 600伏 | 12.6A | 1V | 120A@50Hz | 15毫安 | 1.4V | 8A | 2毫安 | 标准回报率 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK6012DPP-E0#T2 | 2.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJK6012DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 600伏 | 10A(塔) | 10V | 920毫欧@5A,10V | 4.5V@1mA | 30nC@10V | ±30V | 1100pF@25V | - | 30W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD100FS(0)-T1-AY | - | ![]() | 9822 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-RD100FS(0)-T1-AY | 1 |
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