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离散半导体产品（（447）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
2SD571（1）-az	-	RFQ	5660	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2SD571（1）-az			1
HAT2292C-EL-E	0.3400	RFQ	9	肾脏	-	大部分	过时的		-	表面安装	6-SMD，平坦的铅	HAT2292	MOSFET （金属 o化物）	-	6-cmfpak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HAT2292C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			20V	1.5a		205mohm @ 1.5A，4.5V	-	-		-	-
HAT1093C-EL-E	0.2500	RFQ	30	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HAT1093C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1			P通道	12 v	3A（3A）	1.8V，4.5V	54mohm @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 1mA	11 NC @ 4.5 V	±8V	940 pf @ 10 V	-	900MW（TA）
NP80N04KHE-E1-AZ	1.6500	RFQ	800	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP80N04KHE-E1-AZ	Ear99	8541.29.0075	1			n通道	40 V	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），120W（tc）
RD3.0ES	-	RFQ	3711	肾脏	-	大部分	过时的	-	175°C（TJ）	通过洞	do-204Ag，do-34，轴向			400兆	do-34	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RD3.0ES-1833			1
UPA2718GR-E1-AT	1.0200	RFQ	2	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-UPA2718GR-E1-AT-1833			1
NP160N055TUJ-E1-AY	2.8300	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP160N055TUJ-E1-AY	Ear99	8541.29.0095	1			n通道	55 v	160a（TC）	10V	3mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	10350 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），250W（TC）
2SJ604-ZJ-e1-az	2.1600	RFQ	662	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SJ604-ZJ-E1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1			P通道	60 V	45A（TC）	4V，10V	30mohm @ 23A，10V	2.5V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），70W（70W）TC）
HZM12NB1TL-E	0.1500	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的	±2.06％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM12NB1TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																						2 µA @ 9 V				11.66 v	35欧姆
Hzu18b2jtrf-e	0.1300	RFQ	141	肾脏	-	大部分	过时的	±2.2％	150°C（TJ）	表面安装	SC-76A			200兆	2-urp	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZU18B2JTRF-E	Ear99	8541.10.0050	2,308																						2 µA @ 13 V				17.96 v	45欧姆
UPA2371T1P-E1-A	0.5800	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的		-	表面安装	4-uflga	UPA2371	MOSFET （金属 o化物）	-	4-Eflip（1.62x1.62）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2371T1P-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			24V	6a		-	-	-		-	-
HZM5.6NB1TL-E	0.1600	RFQ	12	肾脏	-	大部分	过时的	±2.21％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM5.6NB1TL-E	Ear99	8541.10.0050	1,888																						5 µA @ 2.5 V				5.43 v	80欧姆
UPA1770G-E1-AT	-	RFQ	3730	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）	750MW（TA）	8-Powersop	-				2156-UPA1770G-E1-AT			1	2 n通道			20V	6a（6a）		37MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	11NC @ 4.5V		1300pf @ 10V	标准
RJK5030DPD-03＃j2	0.9900	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJK5030DPD-03＃j2	Ear99	8541.29.0095	1			n通道	500 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2A，10V	4.5V @ 1mA		±30V	550 pf @ 25 V	-	41.7W（TC）
2SK3353-az	3.4500	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3353-az	Ear99	8541.29.0095	1			n通道	60 V	82A（TC）	4V，10V	9.5MOHM @ 41A，10V	2.5V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	4650 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），95W（（（（（（（（（（
UPA1770G-E1-A	1.6800	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA1770	MOSFET （金属 o化物）	750MW（TA）	8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1770G-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			20V	6a（6a）		37MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	11NC @ 4.5V		1300pf @ 10V	-
RD12P-T1-AZ	0.4000	RFQ	41	肾脏	-	大部分	过时的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-rd12p-t1-az	Ear99	8541.10.0050	1																						10 µA @ 9 V				12 v	25欧姆
RD8.2P-T1-AZ	0.1800	RFQ	32	肾脏	-	大部分	过时的	±6.1％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD8.2P-T1-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																						20 µA @ 5 V				8.2 v	15欧姆
CR04AM-12-TB＃f00	0.4700	RFQ	22	肾脏	*	大部分	积极的									-		供应商不确定	到达不受影响	2156-CR04AM-12-TB ＃F00-1833			1
HZM3.9NB2TL-E	0.1600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	±2.88％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM3.9NB2TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																						10 µA @ 1 V				3.99 v	130欧姆
Hzu5.6b3trf-eq	0.1100	RFQ	57	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HZU5.6B3TRF-EQ-1833			2,704
HZM15NB3TL-E	-	RFQ	2581	肾脏	-	大部分	过时的	±2.21％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM15NB3TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																						2 µA @ 11 V				15.19 v	40欧姆
BCR25cm-12lbar ＃BB0	-	RFQ	4502	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-BCR25CM-12LBAR ＃BB0			1
2SB736-D-T1-A	-	RFQ	3910	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2SB736-D-T1-A			1
HZM5.6NB3TR-E	0.1600	RFQ	30	肾脏	-	大部分	过时的	±2.16％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM5.6NB3TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																						5 µA @ 2.5 V				5.8 v	80欧姆
HAT1096C-EL-E	0.2100	RFQ	9	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HAT1096C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1			P通道	20 v	1A（1A）	2.5V，4.5V	293MOHM @ 500µA，4.5V	1.4V @ 1mA	2 NC @ 4.5 V	±12V	155 pf @ 10 V	-	790MW（TA）
BCR25KR-12LB ＃B00	5.5000	RFQ	729	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				TO-220FN	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-BCR25KR-12LB ＃B00	Ear99	8541.30.0080	1	单身的													标准	600 v	25 a	250a @ 60Hz	50 mA
RD24P-T1-AZ	-	RFQ	7690	肾脏	-	大部分	过时的	±5.83％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD24P-T1-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																						10 µA @ 19 V				24 V	70欧姆
HSC119JTRF-E	0.1000	RFQ	80	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HSC119JTRF-E-1833			1
RJU4352SDPE-00＃j3	1.3600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的			表面安装	SC-83		标准		ldpak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RJU4352SDPE-00＃j3	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	430 v	1.5 V @ 20 A	23 ns		-	20a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（447）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²