分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 开启状态 (It (AV))（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
HAT1091C-EL-E	0.2500	询价	21	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT1091C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		20V	1.5A（塔）	2.5V、4V	175mOhm@800mA，4.5V	1.4V@1mA	2.6nC@4.5V	±12V	200pF@10V	-	830毫W（塔）
NP160N055TUJ-E1-AY	2.8300	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）		MOSFET（金属O化物）		TO-263-7	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP160N055TUJ-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		55V	160A（温度）	10V	3mOhm@80A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	10350pF@25V	-	1.8W（Ta）、250W（Tc）
HZM11NB1TR-E	0.1600	询价	99	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM11NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1,888																												8V时为2μA					10.66V	30欧姆
RD7.5E-T1-AZ	-	询价	4427	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.2%	175°C（太焦）	通孔	DO-204AH、DO-35、宗教			500毫W	DO-35	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RD7.5E-T1-AZ-1833			1																												500nA@4V					7.04V	8欧姆
HZM3.6NB2TR-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±3.4%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM3.6NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																												1V时为10μA					3.68V	130欧姆
2SJ529L06-E	0.9400	询价	60	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-251-3 长光源、IPak、TO-251AB		MOSFET（金属O化物）		DPAK(L)-(2)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ529L06-E	EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		60V	10A（塔）	4V、10V	160mOhm@5A，10V	2V@1mA		±20V	580pF@10V	-	20W（温度）
HAT2218R0T-EL-E	0.7600	询价	15	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HAT2218R0T-EL-E	EAR99	8541.29.0075	1
CR12CM-12A#B00	-	询价	5157	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-CR12CM-12A#B00			1				30毫安												600伏	18.8A	1.5V	360A@60Hz	30毫安	1.6V	12A	2毫安	标准回报率
NP34N055SLE-E1-AY	1.8500	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP34N055SLE-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		55V	34A（塔）	4.5V、10V	18毫欧@17A，10V	2.5V@250μA	72nC@10V	±20V	3000pF@25V	-	1.2W（Ta）、88W（Tc）
HZU2.0BTRF-EQ	0.0600	询价	63	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU2.0BTRF-EQ-1833			1
HZM5.6NB3TR-E	0.1600	询价	30	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.16%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM5.6NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																												2.5V时为5μA					5.8V	80欧姆
2SK2498-AZ	3.5400	询价	第414章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全封装，隔离片		MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK2498-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		60V	50A（塔）	4V、10V	9毫欧@25A，10V	2V@1mA	152nC@10V	±20V	3400pF@10V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
HZM12NB1TR-E	0.1500	询价	39	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM12NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																												9V时为2μA					11.66V	35欧姆
2SD571(1)-AZ	-	询价	5660	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SD571(1)-AZ			1
RJU60C6TDPP-EJ#T2	1.5700	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的			通孔	TO-220-2全包		标准		TO-220FP-2L	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJU60C6TDPP-EJ#T2	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																							600伏	2V@50A	100纳秒	600V时为1μA	150℃	30A	-
HZM7.5NB3TR-E	0.1600	询价	48	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.08%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM7.5NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																												2μA@4V					7.68V	30欧姆
BCR12CM-12LB#BB0	-	询价	第1451章	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-BCR12CM-12LB#BB0			1	单身的														标准	600伏	12A	1.5V	120A@60Hz	30毫安
2SK3354-AZ	3.7400	询价	第946章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3354-AZ	EAR99	8541.29.0075	1			N沟道		60V	83A（温度）	4V、10V	8毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	10V时为106nC	±20V	6300pF@10V	-	1.5W（Ta）、100W（Tc）
2SA1843(0)-T-AZ	-	询价	1831年	瑞萨	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	3-SIP				-	-				2156-2SA1843(0)-T-AZ			1																																10μA（ICBO）			国民党	500mV@200mA，4A	100 @ 1A，2V	80兆赫
2SK3377-Z-AZ	0.8300	询价	第771章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3377-Z-AZ	EAR99	8541.29.0075	1			N沟道		60V	20A（塔）	4V、10V	44mOhm@10A，10V	2.5V@1mA	17nC@10V	±20V	760pF@10V	-	1W（Ta）、30W（Tc）
HZU5.6B2JTRF-E	0.0700	询价	54	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZU5.6B2JTRF-E-1833			1
NP82N10PUF-E1-AY	2.4900	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP82N10PUF-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		100V	82A（温度）	5.8V、10V	15毫欧@41A，10V	3.3V@250μA	96nC@10V	±20V	4350pF@25V	-	1.8W（Ta）、150W（Tc）
UPA2706GR-E1-A	1.1400	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2706GR-E1-A	EAR99	8541.29.0075	1			N沟道		30V	11A（Ta）、20A（Tc）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	3W（Ta）、15W（Tc）
NP69N03ZHGW-U	-	询价	7422	瑞萨	-	大部分	的积极									-				2156-NP69N03ZHGW-U			1
UPA2756GR-E1-A	0.8200	询价	14	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2756	MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-PowerSOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA2756GR-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）				60V	4A（塔）		105mOhm@2A，10V	2.5V@1mA	6nC@10V		260pF@10V	-
HAT1096C-EL-E	0.2100	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT1096C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		20V	1A（塔）	2.5V、4.5V	293mOhm@500μA，4.5V	1.4V@1mA	2nC@4.5V	±12V	155pF@10V	-	790毫W（塔）
UPA1759G-E1-A	0.5300	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-PowerSOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1759G-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		60V	5A（温度）	4V、10V	150mOhm@2.5A，10V	2.5V@1mA	8nC@10V	±20V	190pF@10V	-	2W（塔）
CR8CM-12B#BB0	-	询价	5160	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-CR8CM-12B#BB0			1				15毫安												600伏	12.6A	1V	120A@50Hz	15毫安	1.4V	8A	2毫安	标准回报率
RJK6012DPP-E0#T2	2.6600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK6012DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		600伏	10A（塔）	10V	920毫欧@5A，10V	4.5V@1mA	30nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	30W（塔）
RD100FS(0)-T1-AY	-	询价	9822	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD100FS(0)-T1-AY			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²