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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
UPA1727G-E1-AT Renesas UPA1727G-E1-AT 1.5400
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ECAD 5 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SOP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA1727G-E1-AT EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 10A(塔) 4V、10V 19毫欧@5A,10V 2.5V@1mA 45nC@10V ±20V 2400pF@10V - 2W(塔)
2SA952-T-A Renesas 2SA952-TA 0.2400
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-2SA952-TA-1833 1
2SJ461-T1B-A Renesas 2SJ461-T1B-A -
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ECAD 9937 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SJ461-T1B-A 1
RD7.5P-T2-AZ Renesas RD7.5P-T2-AZ 0.3600
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ECAD 36 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W SOT-89 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD7.5P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1 4V时为20μA 7.5V 15欧姆
HZM15NB2TL-E Renesas HZM15NB2TL-E 0.1600
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ECAD 28 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.18% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM15NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 11V时为2μA 14.66V 40欧姆
HZM12NB3TR-E Renesas HZM12NB3TR-E 0.1600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.11% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM12NB3TR-E EAR99 8541.10.0050 1 9V时为2μA 12.34V 35欧姆
2SK3353-AZ Renesas 2SK3353-AZ 3.4500
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3353-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 82A(温度) 4V、10V 9.5毫欧@41A,10V 2.5V@1mA 90nC@10V ±20V 4650pF@10V - 1.5W(Ta)、95W(Tc)
2SK3902-ZK-E1-AY Renesas 2SK3902-ZK-E1-AY 1.2100
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263-3 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3902-ZK-E1-AY EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 60V 30A(温度) 4.5V、10V 21毫欧@15A,10V 2.5V@1mA 25nC@10V ±20V 1200pF@10V - 1.5W(Ta)、45W(Tc)
2SB736-D-T1-A Renesas 2SB736-D-T1-A -
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ECAD 3910 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SB736-D-T1-A 1
2SK3455B-S17-AY Renesas 2SK3455B-S17-AY 3.3600
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) ITO-220 (MP-45F) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3455B-S17-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 500V 12A(温度) 10V 600mOhm@6A,10V 3.5V@1mA 30nC@10V ±30V 1800pF@10V - 2W(Ta)、50W(Tc)
RJL5014DPP-E0#T2 Renesas RJL5014DPP-E0#T2 5.7400
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-RJL5014DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 500V 19A(塔) 10V 400毫欧@9.5A,10V 4V@1mA 43nC@10V ±30V 1700pF@25V - 35W(温度)
HAT1108C-EL-E Renesas HAT1108C-EL-E -
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ECAD 8371 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK - 2156-HAT1108C-EL-E 1 P沟道 30V 1.5A(塔) 4.5V 194mOhm@750mA,10V 2V@1mA 3nC@10V ±20V 160pF@10V - 830毫W(塔)
RD30P(2)-T1-AZ Renesas RD30P(2)-T1-AZ 0.3600
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ECAD 21 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.67% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1W 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD30P(2)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10μA@23V 30V 80欧姆
2SK1168-E Renesas 2SK1168-E -
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ECAD 9196 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK1168-E 1
UPA1770G-E1-AT Renesas UPA1770G-E1-AT -
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ECAD 3730 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 750毫W(塔) 8-PowerSOP - 2156-UPA1770G-E1-AT 1 2 N 沟道 20V 6A(塔) 37毫欧@3A,4.5V 1.5V@1mA 11nC@4.5V 1300pF@10V 标准
UPA2700TP-E2-AZ Renesas UPA2700TP-E2-AZ -
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ECAD 7014 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽)裸露焊盘 MOSFET(金属O化物) 8-HSOP - 2156-UPA2700TP-E2-AZ 1 N沟道 30V 17A(塔) 4V、10V 5.3毫欧@9A,10V 2.5V@1mA 26nC@5V ±20V 2600pF@10V - 2W(塔)
UPA1981TE-T1-A Renesas UPA1981TE-T1-A 0.2400
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ECAD 27 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 SC-95 UPA1981 MOSFET(金属O化物) 1W(塔) SC-95 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA1981TE-T1-A EAR99 8542.39.0001 1 N 和 P 沟道 8V 2.8A(塔) 70毫欧@2.8A、5V、105毫欧@1.9A、2.5V 200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A - - -
2SK4092-S35-A Renesas 2SK4092-S35-A 2.8400
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ECAD 5 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 MOSFET(金属O化物) TO-3P (MP-88) 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK4092-S35-A EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 600伏 21A(温度) 10V 400毫欧@10A,10V 3.5V@1mA 50nC@10V ±30V 10V时为3240pF - 3W(Ta)、200W(Tc)
HAT1093C-EL-E Renesas HAT1093C-EL-E 0.2500
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ECAD 30 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT1093C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 12V 3A(塔) 1.8V、4.5V 54毫欧@1.5A,4.5V 1.2V@1mA 11nC@4.5V ±8V 940pF@10V - 900毫W(塔)
RJK5026DPP-E0#T2 Renesas RJK5026DPP-E0#T2 2.9500
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ECAD 4 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJK5026DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 500V 6A(塔) 10V 1.7欧姆@3A,10V 4.5V@1mA 14nC@10V ±30V 440pF@25V - 28.5W(温度)
UPA1774G-E1-A Renesas UPA1774G-E1-A -
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ECAD 5916 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -55℃~150℃ 表面贴装 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 800毫W 8-PowerSOP - 2156-UPA1774G-E1-A 1 2 P 沟道 60V 2.8A 250mOhm@2A,10V 2.5V@1mA 10nC@10V 420pF@10V -
HS54095TZ-E Renesas HS54095TZ-E 0.7900
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ECAD 7 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET(金属O化物) TO-92 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HS54095TZ-E EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 600伏 200mA(塔) 10V 16.5欧姆@100mA,10V 5V@1mA 4.8nC@10V ±30V 66pF@25V - 750毫W(塔)
NP90N04VUG-E1-AY Renesas NP90N04VUG-E1-AY -
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ECAD 8968 0.00000000 瑞萨 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZP) - 2156-NP90N04VUG-E1-AY 1 N沟道 40V 90A(温度) 10V 4mOhm@45A,10V 4V@250μA 135nC@10V ±20V 7500pF@25V - 1.2W(Ta)、105W(Tc)
2SA812B-T1B-AT Renesas 2SA812B-T1B-AT 0.0700
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ECAD 201 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-迷你模具 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SA812B-T1B-AT EAR99 8541.21.0075 1 50V 100毫安 100nA(ICBO) 国民党 300毫伏@10毫安,100毫安 90@1mA,6V 180兆赫
RD2.4E-T1-AZ Renesas RD2.4E-T1-AZ -
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ECAD 9732 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±3.91% 175°C(太焦) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-RD2.4E-T1-AZ-1833 1 1V时为120μA 2.43V 100欧姆
HVD396CKRF-E Renesas HVD396CKRF-E 0.0900
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ECAD 144 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HVD396CKRF-E-1833 1
HZM15NB2TR-E Renesas HZM15NB2TR-E 0.1600
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ECAD 33 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.18% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM15NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 11V时为2μA 14.66V 40欧姆
NP88N04NUG-S18-AY Renesas NP88N04NUG-S18-AY 2.6800
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) TO-262 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP88N04NUG-S18-AY EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 40V 88A(温度) 10V 3.4毫欧@44A,10V 4V@250μA 250nC@10V ±20V 15000pF@25V - 1.8W(Ta)、200W(Tc)
RD5.1SL-T1-AT Renesas RD5.1SL-T1-AT -
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ECAD 4888 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD5.1SL-T1-AT 1
RD4.7P-T1-AZ Renesas RD4.7P-T1-AZ 0.2600
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ECAD 12 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.32% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD4.7P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 1V时为20μA 4.7V 80欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库