分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电流 - 反向电流@Vr	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
UPA1727G-E1-AT	1.5400	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA1727G-E1-AT	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	10A（塔）	4V、10V	19毫欧@5A，10V	2.5V@1mA	45nC@10V	±20V	2400pF@10V	-	2W（塔）
2SA952-TA	0.2400	询价	1	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-2SA952-TA-1833			1
2SJ461-T1B-A	-	询价	9937	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SJ461-T1B-A			1
RD7.5P-T2-AZ	0.3600	询价	36	瑞萨	-	大部分	过时的	±6%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W	SOT-89	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD7.5P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1													4V时为20μA				7.5V	15欧姆
HZM15NB2TL-E	0.1600	询价	28	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.18%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM15NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1													11V时为2μA				14.66V	40欧姆
HZM12NB3TR-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.11%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM12NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1													9V时为2μA				12.34V	35欧姆
2SK3353-AZ	3.4500	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3353-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	82A（温度）	4V、10V	9.5毫欧@41A，10V	2.5V@1mA	90nC@10V	±20V	4650pF@10V	-	1.5W（Ta）、95W（Tc）
2SK3902-ZK-E1-AY	1.2100	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3902-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	60V	30A（温度）	4.5V、10V	21毫欧@15A，10V	2.5V@1mA	25nC@10V	±20V	1200pF@10V	-	1.5W（Ta）、45W（Tc）
2SB736-D-T1-A	-	询价	3910	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SB736-D-T1-A			1
2SK3455B-S17-AY	3.3600	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		ITO-220 (MP-45F)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3455B-S17-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	500V	12A（温度）	10V	600mOhm@6A，10V	3.5V@1mA	30nC@10V	±30V	1800pF@10V	-	2W（Ta）、50W（Tc）
RJL5014DPP-E0#T2	5.7400	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RJL5014DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	500V	19A（塔）	10V	400毫欧@9.5A，10V	4V@1mA	43nC@10V	±30V	1700pF@25V	-	35W（温度）
HAT1108C-EL-E	-	询价	8371	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-				2156-HAT1108C-EL-E			1		P沟道	30V	1.5A（塔）	4.5V	194mOhm@750mA，10V	2V@1mA	3nC@10V	±20V	160pF@10V	-	830毫W（塔）
RD30P(2)-T1-AZ	0.3600	询价	21	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.67%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			1W		下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD30P(2)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1													10μA@23V				30V	80欧姆
2SK1168-E	-	询价	9196	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SK1168-E			1
UPA1770G-E1-AT	-	询价	3730	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）	750毫W（塔）	8-PowerSOP	-				2156-UPA1770G-E1-AT			1	2 N 沟道		20V	6A（塔）		37毫欧@3A，4.5V	1.5V@1mA	11nC@4.5V		1300pF@10V	标准
UPA2700TP-E2-AZ	-	询价	7014	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-				2156-UPA2700TP-E2-AZ			1		N沟道	30V	17A（塔）	4V、10V	5.3毫欧@9A，10V	2.5V@1mA	26nC@5V	±20V	2600pF@10V	-	2W（塔）
UPA1981TE-T1-A	0.2400	询价	27	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	SC-95	UPA1981	MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	SC-95	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA1981TE-T1-A	EAR99	8542.39.0001	1	N 和 P 沟道		8V	2.8A（塔）		70毫欧@2.8A、5V、105毫欧@1.9A、2.5V	200mV @ 2.8A, 200mV @ 1.9A	-		-	-
2SK4092-S35-A	2.8400	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		MOSFET（金属O化物）		TO-3P (MP-88)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK4092-S35-A	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	600伏	21A（温度）	10V	400毫欧@10A，10V	3.5V@1mA	50nC@10V	±30V	10V时为3240pF	-	3W（Ta）、200W（Tc）
HAT1093C-EL-E	0.2500	询价	30	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT1093C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	12V	3A（塔）	1.8V、4.5V	54毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@1mA	11nC@4.5V	±8V	940pF@10V	-	900毫W（塔）
RJK5026DPP-E0#T2	2.9500	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK5026DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	500V	6A（塔）	10V	1.7欧姆@3A，10V	4.5V@1mA	14nC@10V	±30V	440pF@25V	-	28.5W（温度）
UPA1774G-E1-A	-	询价	5916	瑞萨	-	大部分	过时的		-55℃～150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）	800毫W	8-PowerSOP	-				2156-UPA1774G-E1-A			1	2 P 沟道		60V	2.8A		250mOhm@2A，10V	2.5V@1mA	10nC@10V		420pF@10V	-
HS54095TZ-E	0.7900	询价	7	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET（金属O化物）		TO-92	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HS54095TZ-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	200mA（塔）	10V	16.5欧姆@100mA，10V	5V@1mA	4.8nC@10V	±30V	66pF@25V	-	750毫W（塔）
NP90N04VUG-E1-AY	-	询价	8968	瑞萨	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZP)	-				2156-NP90N04VUG-E1-AY			1		N沟道	40V	90A（温度）	10V	4mOhm@45A，10V	4V@250μA	135nC@10V	±20V	7500pF@25V	-	1.2W（Ta）、105W（Tc）
2SA812B-T1B-AT	0.0700	询价	201	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-迷你模具	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SA812B-T1B-AT	EAR99	8541.21.0075	1														50V	100毫安	100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	90@1mA，6V	180兆赫
RD2.4E-T1-AZ	-	询价	9732	瑞萨	-	大部分	过时的	±3.91%	175°C（太焦）	通孔	DO-204AH、DO-35、宗教			500毫W	DO-35	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RD2.4E-T1-AZ-1833			1													1V时为120μA				2.43V	100欧姆
HVD396CKRF-E	0.0900	询价	144	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HVD396CKRF-E-1833			1
HZM15NB2TR-E	0.1600	询价	33	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.18%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM15NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1													11V时为2μA				14.66V	40欧姆
NP88N04NUG-S18-AY	2.6800	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		TO-262	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP88N04NUG-S18-AY	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	40V	88A（温度）	10V	3.4毫欧@44A，10V	4V@250μA	250nC@10V	±20V	15000pF@25V	-	1.8W（Ta）、200W（Tc）
RD5.1SL-T1-AT	-	询价	4888	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD5.1SL-T1-AT			1
RD4.7P-T1-AZ	0.2600	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.32%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD4.7P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1													1V时为20μA				4.7V	80欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²