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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) 当前 - 关闭状态(最大) 可控硅类型 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
HAT1091C-EL-E Renesas HAT1091C-EL-E 0.2500
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ECAD 21 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT1091C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 20V 1.5A(塔) 2.5V、4V 175mOhm@800mA,4.5V 1.4V@1mA 2.6nC@4.5V ±12V 200pF@10V - 830毫W(塔)
NP160N055TUJ-E1-AY Renesas NP160N055TUJ-E1-AY 2.8300
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-263-7,D²Pak(6引脚+接片) MOSFET(金属O化物) TO-263-7 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP160N055TUJ-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V 160A(温度) 10V 3mOhm@80A,10V 4V@250μA 180nC@10V ±20V 10350pF@25V - 1.8W(Ta)、250W(Tc)
HZM11NB1TR-E Renesas HZM11NB1TR-E 0.1600
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ECAD 99 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.06% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM11NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1,888 8V时为2μA 10.66V 30欧姆
RD7.5E-T1-AZ Renesas RD7.5E-T1-AZ -
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ECAD 4427 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.2% 175°C(太焦) 通孔 DO-204AH、DO-35、宗教 500毫W DO-35 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-RD7.5E-T1-AZ-1833 1 500nA@4V 7.04V 8欧姆
HZM3.6NB2TR-E Renesas HZM3.6NB2TR-E 0.1600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±3.4% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM3.6NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 1V时为10μA 3.68V 130欧姆
2SJ529L06-E Renesas 2SJ529L06-E 0.9400
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ECAD 60 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-251-3 长光源、IPak、TO-251AB MOSFET(金属O化物) DPAK(L)-(2) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SJ529L06-E EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 60V 10A(塔) 4V、10V 160mOhm@5A,10V 2V@1mA ±20V 580pF@10V - 20W(温度)
HAT2218R0T-EL-E Renesas HAT2218R0T-EL-E 0.7600
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ECAD 15 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HAT2218R0T-EL-E EAR99 8541.29.0075 1
CR12CM-12A#B00 Renesas CR12CM-12A#B00 -
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ECAD 5157 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-CR12CM-12A#B00 1 30毫安 600伏 18.8A 1.5V 360A@60Hz 30毫安 1.6V 12A 2毫安 标准回报率
NP34N055SLE-E1-AY Renesas NP34N055SLE-E1-AY 1.8500
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ECAD 5 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZK) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP34N055SLE-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V 34A(塔) 4.5V、10V 18毫欧@17A,10V 2.5V@250μA 72nC@10V ±20V 3000pF@25V - 1.2W(Ta)、88W(Tc)
HZU2.0BTRF-E-Q Renesas HZU2.0BTRF-EQ 0.0600
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ECAD 63 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZU2.0BTRF-EQ-1833 1
HZM5.6NB3TR-E Renesas HZM5.6NB3TR-E 0.1600
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ECAD 30 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.16% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM5.6NB3TR-E EAR99 8541.10.0050 1 2.5V时为5μA 5.8V 80欧姆
2SK2498-AZ Renesas 2SK2498-AZ 3.5400
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ECAD 第414章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK2498-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 50A(塔) 4V、10V 9毫欧@25A,10V 2V@1mA 152nC@10V ±20V 3400pF@10V - 2W(Ta)、35W(Tc)
HZM12NB1TR-E Renesas HZM12NB1TR-E 0.1500
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ECAD 39 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.06% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM12NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1 9V时为2μA 11.66V 35欧姆
2SD571(1)-AZ Renesas 2SD571(1)-AZ -
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ECAD 5660 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SD571(1)-AZ 1
RJU60C6TDPP-EJ#T2 Renesas RJU60C6TDPP-EJ#T2 1.5700
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 通孔 TO-220-2全包 标准 TO-220FP-2L 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJU60C6TDPP-EJ#T2 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2V@50A 100纳秒 600V时为1μA 150℃ 30A -
HZM7.5NB3TR-E Renesas HZM7.5NB3TR-E 0.1600
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ECAD 48 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.08% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM7.5NB3TR-E EAR99 8541.10.0050 1 2μA@4V 7.68V 30欧姆
BCR12CM-12LB#BB0 Renesas BCR12CM-12LB#BB0 -
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ECAD 第1451章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR12CM-12LB#BB0 1 单身的 标准 600伏 12A 1.5V 120A@60Hz 30毫安
2SK3354-AZ Renesas 2SK3354-AZ 3.7400
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ECAD 第946章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3354-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 60V 83A(温度) 4V、10V 8毫欧@42A,10V 2.5V@1mA 10V时为106nC ±20V 6300pF@10V - 1.5W(Ta)、100W(Tc)
2SA1843(0)-T-AZ Renesas 2SA1843(0)-T-AZ -
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ECAD 1831年 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 3-SIP - - 2156-2SA1843(0)-T-AZ 1 10μA(ICBO) 国民党 500mV@200mA,4A 100 @ 1A,2V 80兆赫
2SK3377-Z-AZ Renesas 2SK3377-Z-AZ 0.8300
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ECAD 第771章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3Z) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3377-Z-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 60V 20A(塔) 4V、10V 44mOhm@10A,10V 2.5V@1mA 17nC@10V ±20V 760pF@10V - 1W(Ta)、30W(Tc)
HZU5.6B2JTRF-E Renesas HZU5.6B2JTRF-E 0.0700
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ECAD 54 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 供应商未定义 2156-HZU5.6B2JTRF-E-1833 1
NP82N10PUF-E1-AY Renesas NP82N10PUF-E1-AY 2.4900
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ECAD 6 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263-3 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP82N10PUF-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100V 82A(温度) 5.8V、10V 15毫欧@41A,10V 3.3V@250μA 96nC@10V ±20V 4350pF@25V - 1.8W(Ta)、150W(Tc)
UPA2706GR-E1-A Renesas UPA2706GR-E1-A 1.1400
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ECAD 10 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA2706GR-E1-A EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 30V 11A(Ta)、20A(Tc) 4V、10V 15毫欧@5.5A,10V 2.5V@1mA 7.1nC@5V ±20V 660pF@10V - 3W(Ta)、15W(Tc)
NP69N03ZHGW-U Renesas NP69N03ZHGW-U -
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ECAD 7422 0.00000000 瑞萨 - 大部分 的积极 - 2156-NP69N03ZHGW-U 1
UPA2756GR-E1-A Renesas UPA2756GR-E1-A 0.8200
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ECAD 14 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) UPA2756 MOSFET(金属O化物) 2W(塔) 8-PowerSOP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA2756GR-E1-A EAR99 8541.29.0095 1 2 个 N 沟道(双) 60V 4A(塔) 105mOhm@2A,10V 2.5V@1mA 6nC@10V 260pF@10V -
HAT1096C-EL-E Renesas HAT1096C-EL-E 0.2100
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT1096C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 20V 1A(塔) 2.5V、4.5V 293mOhm@500μA,4.5V 1.4V@1mA 2nC@4.5V ±12V 155pF@10V - 790毫W(塔)
UPA1759G-E1-A Renesas UPA1759G-E1-A 0.5300
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ECAD 5 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-PowerSOP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA1759G-E1-A EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 5A(温度) 4V、10V 150mOhm@2.5A,10V 2.5V@1mA 8nC@10V ±20V 190pF@10V - 2W(塔)
CR8CM-12B#BB0 Renesas CR8CM-12B#BB0 -
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ECAD 5160 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-CR8CM-12B#BB0 1 15毫安 600伏 12.6A 1V 120A@50Hz 15毫安 1.4V 8A 2毫安 标准回报率
RJK6012DPP-E0#T2 Renesas RJK6012DPP-E0#T2 2.6600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJK6012DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 600伏 10A(塔) 10V 920毫欧@5A,10V 4.5V@1mA 30nC@10V ±30V 1100pF@25V - 30W(塔)
RD100FS(0)-T1-AY Renesas RD100FS(0)-T1-AY -
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ECAD 9822 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD100FS(0)-T1-AY 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库