分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 开启状态 (It (AV))（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电流 - 反向电流@Vr	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
RD7.5E-T1-AZ	-	询价	4427	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.2%	175°C（太焦）	通孔	DO-204AH、DO-35、宗教			500毫W	DO-35	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RD7.5E-T1-AZ-1833			1																							500nA@4V				7.04V	8欧姆
HZU2.0BTRF-EQ	0.0600	询价	63	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU2.0BTRF-EQ-1833			1
2SK2498-AZ	3.5400	询价	第414章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全封装，隔离片		MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK2498-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	50A（塔）	4V、10V	9毫欧@25A，10V	2V@1mA	152nC@10V	±20V	3400pF@10V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
CR12CM-12A#B00	-	询价	5157	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-CR12CM-12A#B00			1			30毫安											600伏	18.8A	1.5V	360A@60Hz	30毫安	1.6V	12A	2毫安	标准回报率
NP34N055SLE-E1-AY	1.8500	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP34N055SLE-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		55V	34A（塔）	4.5V、10V	18毫欧@17A，10V	2.5V@250μA	72nC@10V	±20V	3000pF@25V	-	1.2W（Ta）、88W（Tc）
HAT2218R0T-EL-E	0.7600	询价	15	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HAT2218R0T-EL-E	EAR99	8541.29.0075	1
2SJ529L06-E	0.9400	询价	60	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-251-3 长光源、IPak、TO-251AB		MOSFET（金属O化物）		DPAK(L)-(2)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ529L06-E	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		60V	10A（塔）	4V、10V	160mOhm@5A，10V	2V@1mA		±20V	580pF@10V	-	20W（温度）
2SK3482-Z-E2-AZ	-	询价	7930	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-				2156-2SK3482-Z-E2-AZ			1		N沟道		100V	36A	4.5V、10V	33毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	72nC@10V	±20V	3600pF@10V	-	1W
2SC4942-AZ	1.2500	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			2W	MP-2	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SC4942-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																								600伏	1A	10μA（ICBO）			NPN	1V@80mA、400mA	30@100mA，5V	30兆赫兹
2SK3366-AZ	-	询价	5372	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		MP-3	-				2156-2SK3366-AZ			1		N沟道		30V	20A（塔）	10V	21毫欧@10A，10V	2.5V@1mA	15nC@10V	±20V	730pF@10V	-	1W（Ta）、30W（Tc）
2SK1581-T1B-A	0.1600	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SC-59	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK1581-T1B-A	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道		16V	200mA（塔）	2.5V、4V	5欧姆@1mA，4V	1.6V@10μA		±16V	27pF@3V	-	200毫W（塔）
2SK3430-Z-E2-AZ	-	询价	2663	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-				2156-2SK3430-Z-E2-AZ			1		N沟道		40V	80A（温度）	4V、10V	7.3毫欧@40A，10V	2.5V@1mA	50nC@10V	±20V	2800pF@10V	-	1.5W（Ta）、84W（Tc）
UPA2752GR-E2-A	1.3000	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2752	MOSFET（金属O化物）	1.7W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2752GR-E2-A	EAR99	8541.21.0095	1	2 个 N 沟道（双）			30V	8A（温度）		23毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	10nC@10V		480pF@10V	-
HZU5.6B2JTRF-E	0.0700	询价	54	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZU5.6B2JTRF-E-1833			1
2SK3377-Z-AZ	0.8300	询价	第771章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3377-Z-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道		60V	20A（塔）	4V、10V	44mOhm@10A，10V	2.5V@1mA	17nC@10V	±20V	760pF@10V	-	1W（Ta）、30W（Tc）
2SA1843(0)-T-AZ	-	询价	1831年	瑞萨	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	3-SIP				-	-				2156-2SA1843(0)-T-AZ			1																										10μA（ICBO）			国民党	500mV@200mA，4A	100 @ 1A，2V	80兆赫
HZU5.1B1JTRF-E	0.0700	询价	183	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZU5.1B1JTRF-E-1833			1
RJK1003DPP-E0#T2	2.4000	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK1003DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		100V	50A（塔）	10V	11毫欧@25A，10V	4V@1mA	59nC@10V	±20V	4150pF@10V	-	25W（温度）
RD16P-T1-AZ	0.1900	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.63%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD16P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																							12V时为10μA				16V	40欧姆
UPA1601GS-E1-A	1.8400	询价	40	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 85°C (TA)	表面贴装	16-SOIC（0.220英寸，5.59毫米宽）	UPA1601	MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	16-SOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1601GS-E1-A	EAR99	8542.39.0001	163	7 N 沟道			30V	270毫安（塔）		5.3欧姆@150mA，4V	800毫伏@150毫安	-		15pF@10V	-
2SA1836-T1-A	0.0900	询价	42	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416			200毫W	SC-75	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SA1836-T1-A	EAR99	8541.29.0095	1																								50V	100毫安	100nA（ICBO）			国民党	300毫伏@10毫安，100毫安	90@1mA，6V	180兆赫
RD18ES-T1-AZ	-	询价	6992	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RD18ES-T1-AZ-1833			1
BCR25CM-12LBAR#BB0	-	询价	4502	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-BCR25CM-12LBAR#BB0			1
2SD1694(4)-S2-AZ	-	询价	4175	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SD1694(4)-S2-AZ			1
RJK5030DPD-03#J2	0.9900	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		MP-3A	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK5030DPD-03#J2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		500V	5A（塔）	10V	1.6欧姆@2A，10V	4.5V@1mA		±30V	550pF@25V	-	41.7W（温度）
UPA2718GR-E1-AT	1.0200	询价	2	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-UPA2718GR-E1-AT-1833			1
HZM3.0NB2TL-E	0.1600	询价	18	瑞萨	-	大部分	过时的	±4.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM3.0NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																							1V时为50μA				3.08V	120欧姆
RD6.8P-T1-AZ	-	询价	7185	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.88%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD6.8P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																							3.5V时为20μA				6.8V	15欧姆
RD3.0ES	-	询价	3711	瑞萨	-	大部分	过时的	-	175°C（太焦）	通孔	DO-204AG、DO-34、矫正			400毫W	DO-34	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RD3.0ES-1833			1
2SJ603(0)-Z-E1-AZ	-	询价	9402	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-				2156-2SJ603(0)-Z-E1-AZ			1		P沟道		60V	25A（温度）	10V	48毫欧@13A，10V	2.5V@1mA	38nC@10V	±20V	1900pF@10V	-	1.5W（Ta）、50W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²