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离散半导体产品（（447）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
NP32N055SLE-E1-AZ	1.6400	RFQ	60	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP32N055SLE-E1-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道			55 v	32a（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	1.2W（TA），66W（tc）
NP80N055KLE-E1-AY	2.2400	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP80N055KLE-E1-AY	Ear99	8541.29.0075	135		n通道			55 v	80A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），120W（tc）
2SK3354-az	3.7400	RFQ	946	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3354-az	Ear99	8541.29.0075	1		n通道			60 V	83A（TC）	4V，10V	8mohm @ 42a，10v	2.5V @ 1mA	106 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），100W（TC）
UPA1981TE-T1-A	0.2400	RFQ	27	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	SC-95	UPA1981		MOSFET （金属 o化物）	1W（ta）	SC-95	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1981TE-T1-A	Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道				8V	2.8A（ta）		70mohm @ 2.8a，5v，105mohm @ 1.9a，2.5V	200mv @ 2.8a，200mv @ 1.9a	-		-	-
NP82N10PUF-E1-AY	2.4900	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP82N10PUF-E1-AY	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	82A（TC）	5.8V，10V	15mohm @ 41a，10v	3.3V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	4350 pf @ 25 V	-	1.8W（150W），150w tc）
HAT1091C-EL-E	0.2500	RFQ	21	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HAT1091C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1		P通道			20 v	1.5A（TA）	2.5V，4V	175mohm @ 800mA，4.5V	1.4V @ 1mA	2.6 NC @ 4.5 V	±12V	200 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
2SC4942-T1-AZ	1.2500	RFQ	6	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				2 w	MP-2	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SC4942-T1-AZ	Ear99	8541.29.0095	1																		600 v	1 a						10µA（ICBO）			NPN	1V @ 80mA，400mA	30 @ 100mA，5v	30MHz
2SK3813-az	-	RFQ	4491	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		MP-3	-				2156-2SK3813-az			1		n通道			40 V	60a（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	96 NC @ 10 V	±20V	5500 pf @ 10 V	-	1W（ta），84W tc（TC）
2SJ179-T2-AZ	-	RFQ	5513	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-2SJ179-T2-AZ			1
2SK3366-az	-	RFQ	5372	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		MP-3	-				2156-2SK3366-AZ			1		n通道			30 V	20A（TA）	10V	21mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	730 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
2SK1591W-T1B-A	-	RFQ	3764	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-2SK1591W-T1B-A			1
HAT1108C-EL-E	-	RFQ	8371	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-				2156-HAT1108C-EL-E			1		P通道			30 V	1.5A（TA）	4.5V	194MOHM @ 750mA，10V	2V @ 1mA	3 NC @ 10 V	±20V	160 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
2SJ603（0）-z-e1-az	-	RFQ	9402	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263，TO-220SMD	-				2156-2SJ603（0）-z-e1-az			1		P通道			60 V	25A（TC）	10V	48mohm @ 13a，10v	2.5V @ 1mA	38 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），50W（TC）
RJH65D27BDPQ-A0 ＃T2	-	RFQ	7829	肾脏	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		375 w	TO-247A	-				2156-RJH65D27BDPQ-A0 t2			1			400V，50a，10ohm，15V												80 ns		沟	650 v	100 a	200 a	1.65V @ 15V，50a	1MJ（在）上，1.5MJ（OFF）	175 NC	20NS/165NS
RJP4301APP-00 ＃T2	-	RFQ	4204	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-RJP4301APP-00 ＃T2			1
RD47FM-T1-AY	-	RFQ	4251	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-RD47FM-T1-AY			1
HAT1089C-EL-E	-	RFQ	9103	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-				2156-HAT1089C-EL-E			1		P通道			20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	103MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 1mA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V	365 pf @ 10 V	-	850MW（TA）
2SK2498-az	3.5400	RFQ	414	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡			MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK2498-az	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			60 V	50a（ta）	4V，10V	9mohm @ 25a，10v	2V @ 1mA	152 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 10 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
RD7.5p-T2-az	0.3600	RFQ	36	肾脏	-	大部分	过时的	±6％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w	SOT-89	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD7.5p-T2-az	Ear99	8541.10.0050	1																20 µA @ 4 V										7.5 v	15欧姆
RJK5026DPP-E0 ＃T2	2.9500	RFQ	4	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJK5026DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			500 v	6a（6a）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	4.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	440 pf @ 25 V	-	28.5W（TC）
HZM2.2NBTR-E	0.1600	RFQ	78	肾脏	-	大部分	过时的	±6.67％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM2.2NBTR-E	Ear99	8541.10.0050	1																120 µA @ 700 mV										2.25 v	100欧姆
Hzu2.0btrf-eq	0.0600	RFQ	63	肾脏	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HZU2.0BTRF-EQ-1833			1
HZM3.6NB2TR-E	0.1600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	±3.4％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM3.6NB2TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																10 µA @ 1 V										3.68 v	130欧姆
NP34N055SLE-E1-AY	1.8500	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP34N055SLE-E1-AY	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			55 v	34A（ta）	4.5V，10V	18mohm @ 17a，10v	2.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	1.2W（ta），88W（tc）
Hzu5.1b1jtrf-e	0.0700	RFQ	183	肾脏	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZU5.1B1JTRF-E-1833			1
2SA952-TA	0.2400	RFQ	1	肾脏	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-2SA952-TA-1833			1
NP88N04NUG-S18-AY	2.6800	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP88N04NUG-S18-AY	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			40 V	88A（TC）	10V	3.4MOHM @ 44A，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
2SC4901YK-TL-E	-	RFQ	5033	肾脏	2SC4901	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				100MW	3-CMPAK	-				2156-2SC4901YK-TL-E			1				-														9V	50mA									NPN		50 @ 20mA，5V	9GHz	1.2dB @ 900MHz
RD36P-T1-AZ	0.1900	RFQ	16	肾脏	-	大部分	过时的	±5.56％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD36P-T1-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																10 µA @ 27 V										36 V	90欧姆
HZM7.5NB1TL-E	0.1500	RFQ	105	肾脏	-	大部分	过时的	±2.08％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM7.5NB1TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																2 µA @ 4 V										7.21 v	30欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（447）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²