分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 开启状态 (It (AV))（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr、F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
HAT2202C-EL-E	0.2900	询价	46	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT2202C-EL-E	EAR99	8541.21.0095	1			N沟道		20V	3A（塔）	2.5V、4.5V	40毫欧@1.5A，4.5V	1.4V@1mA	6nC@4.5V	±12V	520pF@10V	-	200毫W
2SC4554(7)-S6-AZ	-	询价	4586	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SC4554(7)-S6-AZ			1
HZM24NB2TR-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.19%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM24NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																											19V时为2μA							24.25V	60欧姆
UPA1602GS-E1-A	1.5500	询价	62	瑞萨	-	大部分	过时的		-40℃～85℃	表面贴装	16-SOIC（0.220英寸，5.59毫米宽）	UPA1602	MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	16-SOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1602GS-E1-A	EAR99	8542.39.0001	1	7 N 沟道				30V	430mA（塔）		5.3欧姆@150mA，4.5V	1V@150mA	-		10皮法	-
RD150S-T1-AT	-	询价	6133	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD150S-T1-AT			1
HZ18-1JREB-E	0.4300	询价	第312章	瑞萨	赫兹	大部分	过时的	-	175°C（太焦）	通孔	DO-204AL、DO-41、矫正			1W	DO-41	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZ18-1JREB-E	EAR99	8541.10.0050	1																											13V时为10μA
RKZ18TJKG#P1	0.0900	询价	第402章	瑞萨	*	大部分	的积极									-		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RKZ18TJKG#P1-1833			1
RD27P-T2-AZ	0.4000	询价	25	瑞萨	-	大部分	过时的	±7.04%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD27P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																											10μA@21V							27V	80欧姆
CR08AS-12-BT14#F10	-	询价	1690	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				尤帕克	-				2156-CR08AS-12-BT14#F10			1				3毫安												600伏	1.26A	800毫伏	10A@60Hz	100微安	1.5V	800毫安	500微安	标准回报率
BCR12CM-12LBA8#BB0	-	询价	3018	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-BCR12CM-12LBA8#BB0			1	单身的														标准	600伏	12A	1.5V	120A@60Hz	30毫安
5P4M-AZ	-	询价	6123	瑞萨	-	大部分	过时的			通孔	TO-220-3					-				2156-5P4M-AZ			1
RKR104BKH#P1	0.1700	询价	92	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	2-SMD，写入		肖特基		经尿道电切术	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RKR104BKH#P1	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																							40V	550 毫伏 @ 700 毫安	40V时为50μA	150℃	1A	35pF@10V，1MHz
HZM6.8NB3TR-E	0.1500	询价	42	瑞萨	-	大部分	过时的	±2%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM6.8NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																											2μA@3.5V							7V	30欧姆
UPA1722G-E2-A	-	询价	6348	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-				2156-UPA1722G-E2-A			1			N沟道		30V	9A（塔）	4V、10V	21毫欧@4.5A，10V	2.5V@1mA	20nC@10V	±20V	980pF@10V	-	2W（塔）
RD43P-T1-AZ	-	询价	第1155章	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD43P-T1-AZ			1
RD12P-T2-AZ	0.4000	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的	±5%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD12P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																											9V时为10μA							12V	25欧姆
UPA2378T1P-E1-A	0.3700	询价	60	瑞萨	-	大部分	过时的									-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA2378T1P-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1
HZM5.6NB1TR-E	0.1600	询价	63	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.21%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM5.6NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																											2.5V时为5μA							5.43V	80欧姆
FA4L4L-T1B-A	0.0300	询价	第348章	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	FA4L4L		200毫W	SC-59	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-FA4L4L-T1B-A	EAR99	8541.29.0095	1																															50V	100毫安	100纳安			NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	90@5mA，5V	47欧姆	22欧姆
2SK3714(0)-S12-AZ	2.3600	询价	7	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3隔离片		MOSFET（金属O化物）		MP-45F	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3714(0)-S12-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		60V	50A（温度）	4V、10V	13毫欧@25A，10V	2.5V@1mA	60nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
HZU3.3B2TRF-E	0.1300	询价	111	瑞萨	-	大部分	过时的	±3.7%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-76A			200毫W	2-URP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZU3.3B2TRF-E	EAR99	8541.10.0050	1																											1V时为20μA							3.38V	130欧姆
RJK6002DPH-E0#T2	0.8700	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		TO-251	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK6002DPH-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		600伏	2A（塔）	10V	6.8欧姆@1A，10V	4.5V@1mA	6.2nC@10V	±30V	165pF@25V	-	30W（温度）
HZM20NB2TR-E	0.1600	询价	18	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.18%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM20NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1,888																											15V时为2μA							19.96V	50欧姆
T1040N20TOFVTXPSA1	275.6000	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的		125°C（太焦）	的	TO-200AC、K-PUK				-	-				2156-T1040N20TOFVTXPSA1			2				300毫安												2kV	2200A	2.2V	21500A@50Hz	250毫安	1.53V	1040A	160毫安	标准回报率
NP80N055MHE-S18-AY	2.2400	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		MP-25K	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP80N055MHE-S18-AY	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		55V	80A（温度）	10V	11毫欧@40A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	3600pF@25V	-	1.8W（Ta）、120W（Tc）
N0302P-T1-AT	-	询价	9693	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	SOT-23-3 读写		MOSFET（金属O化物）		SOT-23F	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-N0302P-T1-AT	EAR99	8541.21.0095	1			P沟道		30V	4A（塔）	4V、10V	54毫欧@2.2A，10V	2.5V@1mA	14nC@10V	±20V	620pF@10V	-	200毫W（塔）
2SJ607-ZJ-AZ	1.0000	询价	5250	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ607-ZJ-AZ	EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		60V	83A（温度）	4V、10V	11毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	188nC@10V	±20V	7500pF@10V	-	1.5W（Ta）、160W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²