分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 关闭状态	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	可控硅类型	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SK3654W-S17-AY	-	询价	4030	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-2SK3654W-S17-AY			1
2SB605-AZ	-	询价	2348	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SSIP					-	-				2156-2SB605-AZ			1																											100nA（ICBO）			国民党	350mV@50mA、500mA	90@100mA，1V	120兆赫
HVL147M1PRF-E	-	询价	3530	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-HVL147M1PRF-E			1
2SK1590-T1B-A	-	询价	4271	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-2SK1590-T1B-A			1
2SK2157C-T1-AZ	0.8100	询价	34	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA			MOSFET（金属O化物）		MP-2	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK2157C-T1-AZ	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道			30V	3.5A（塔）	2.5V、4.5V	63毫欧@2A，4.5V	1.5V@1mA	4nC@4V	±12V	260pF@10V	-	2W（塔）
UPA2706GR-E2-AT	1.1600	询价	19号	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2706GR-E2-AT	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道			30V	11A（Ta）、20A（Tc）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	3W（Ta）、15W（Tc）
RJK5013DPP-E0#T2	4.9400	询价	17号	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK5013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	61		N沟道			500V	14A（塔）	10V	465毫欧@7A，10V	4.5V@1mA	38nC@10V	±30V	1450pF@25V	-	30W（温度）
GA4F3M(0)-T1-A	0.0800	询价	63	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-70、SOT-323	GA4F3M			150毫W	SC-70	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-GA4F3M(0)-T1-A	EAR99	8541.29.0095	1																					50V	100毫安					100纳安			NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	50@50mA，5V		2欧姆	2欧姆
RD24P-T2-AZ	-	询价	8161	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.83%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD24P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																			10μA@19V									24V	70欧姆
2SK2461-AZ	2.9800	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全封装，隔离片			MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK2461-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			100伏	20A（塔）	4V、10V	80毫欧@10A、10V	2V@1mA	51nC@10V	±20V	1400pF@10V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
HZU33B-JTRF-E	0.0700	询价	159	瑞萨	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HZU33B-JTRF-E-1833			1
RD20P-T1-AZ	0.2400	询价	34	瑞萨	-	大部分	过时的	±6%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD20P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																			10μA@15V									20V	55欧姆
2SK2857-T1-AZ	0.5000	询价	14	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA			MOSFET（金属O化物）		SC-62	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK2857-T1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			60V	4A（塔）	4V、10V	150mOhm@2.5A，10V	2V@1mA	10.6nC@10V	±20V	265pF@10V	-	2W（塔）
HZM4.3NB2TL-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.24%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM4.3NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																			1V时为10μA									4.25V	130欧姆
RJH60D1DPP-E0#T2	1.5200	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包		标准		30W	TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJH60D1DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1				300V，10A，5欧姆，15V														70纳秒		沟	600伏	20A	2.5V@15V，10A	100μJ（开），130μJ（关）	13nC	30纳秒/42纳秒
HZU5.6B1TRF-EQ	0.0500	询价	33	瑞萨	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU5.6B1TRF-EQ-1833			1
RD5.6UM(91)-T1-AT	-	询价	2139	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD5.6UM(91)-T1-AT			1
UPA1760G-E1-A	1.6700	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA1760		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOP	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA1760G-E1-A	EAR99	8541.21.0095	1	2 个 N 沟道（双）				30V	8A（塔）		26毫欧@4A，10V	2.5V@1mA	14nC@10V		760pF@10V	-
KN4A4M(0)-T1-A	-	询价	5321	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-75、SOT-416				200毫W	SC-75	-				2156-KN4A4M(0)-T1-A			1																					50V	100毫安					100nA（ICBO）			PNP - 预偏置	200mV@250μA，5mA	80@50mA，5V		10欧姆	10欧姆
5P4J-Z-E2-AZ	1.2300	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63					TO-252，（D-Pak）	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-5P4J-Z-E2-AZ	EAR99	8541.30.0080	245			1毫安												400伏	1.6V	标准回报率
HZM18NB2TR-E	0.1600	询价	117	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.2%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM18NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																			13V时为2μA									17.96V	45欧姆
RD39FS(0)-T1-AY	-	询价	2329	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD39FS(0)-T1-AY			1
FS20LM-5A-E4#C02	-	询价	1938年	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-FS20LM-5A-E4#C02			1
2SJ358C-T1-AZ	0.7700	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA			MOSFET（金属O化物）		MP-2	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SJ358C-T1-AZ	EAR99	8541.21.0075	1		P沟道			60V	3.5A（塔）	4V、10V	143毫欧@2A，10V	2.5V@1mA	12nC@10V	±20V	666pF@10V	-	2W（塔）
BCR16CM-12LBJ6#BB0	0.5200	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-BCR16CM-12LBJ6#BB0			第582章
2SK425-T1B-A	-	询价	8928	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-2SK425-T1B-A			1
2SC4554(7)-S6-AZ	-	询价	4586	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-2SC4554(7)-S6-AZ			1
HZM24NB2TR-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.19%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM24NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																			19V时为2μA									24.25V	60欧姆
UPA1602GS-E1-A	1.5500	询价	62	瑞萨	-	大部分	过时的		-40℃～85℃	表面贴装	16-SOIC（0.220英寸，5.59毫米宽）	UPA1602		MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	16-SOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1602GS-E1-A	EAR99	8542.39.0001	1	7 N 沟道				30V	430mA（塔）		5.3欧姆@150mA，4.5V	1V@150mA	-		10皮法	-
RD150S-T1-AT	-	询价	6133	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD150S-T1-AT			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²