分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 开启状态 (It (AV))（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电流 - 反向电流@Vr	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)
NP89N04PUK-E1-AY	-	询价	1610	瑞萨	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-				2156-NP89N04PUK-E1-AY			1		N沟道		40V	90A（温度）	10V	2.95毫欧@45A，5V	4V@250μA	102nC@10V	±20V	5850pF@25V	-	1.8W（Ta）、147W（Tc）
FS20LM-5A-E4#C02	-	询价	1938年	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-FS20LM-5A-E4#C02			1
2SK425-T1B-A	-	询价	8928	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SK425-T1B-A			1
5P4J-Z-E2-AZ	1.2300	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63				TO-252，（D-Pak）	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-5P4J-Z-E2-AZ	EAR99	8541.30.0080	245			1毫安												400伏					1.6V			标准回报率
2SB601-AZ	1.5000	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			1.5W	TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SB601-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																									100V	5A	10微安			PNP-达林顿	1.5V@3mA，3A	2000 @ 3A，2V	-
HZM18NB2TR-E	0.1600	询价	117	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.2%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM18NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																								13V时为2μA				17.96V	45欧姆
RD39FS(0)-T1-AY	-	询价	2329	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD39FS(0)-T1-AY			1
RD36E-T2-AZ	0.0500	询价	995	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RD36E-T2-AZ-1833			1
BCR20KM-12LB#B01	1.8500	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3全包				TO-220FN	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BCR20KM-12LB#B01	EAR99	8541.30.0080	1	单身的													标准	600伏	20A	1.5V	200A@60Hz	30毫安
UPA1602GS-E1-A	1.5500	询价	62	瑞萨	-	大部分	过时的		-40℃～85℃	表面贴装	16-SOIC（0.220英寸，5.59毫米宽）	UPA1602	MOSFET（金属O化物）	1W（塔）	16-SOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1602GS-E1-A	EAR99	8542.39.0001	1	7 N 沟道			30V	430mA（塔）		5.3欧姆@150mA，4.5V	1V@150mA	-		10皮法	-
2SK2933-E	1.6300	询价	261	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220CFM	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	2156-2SK2933-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	15A（塔）	4V、10V	52mOhm@8A，10V	2.5V@1mA		±20V	500pF@10V	-	25W（塔）
HZM16NB1TR-E	0.1600	询价	105	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.04%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM16NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																								12V时为2μA				15.69V	40欧姆
2SK1590-T1B-A	-	询价	4271	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SK1590-T1B-A			1
HVL147M1PRF-E	-	询价	3530	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-HVL147M1PRF-E			1
2SK1521-E1-E#T2	-	询价	4426	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-264-3、TO-264AA		MOSFET（金属O化物）		TO-264	-				2156-2SK1521-E1-E#T2			1		N沟道		450伏	50A	10V	100mOhm@25A，10V	3V@1mA		±30V	8700pF@10V	-	250W（温度）
GA1A4Z-T1-A	0.1100	询价	11	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-70、SOT-323	GA1A4Z		150毫W	SC-70	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-GA1A4Z-T1-A	EAR99	8541.29.0095	2,719																									50V	100毫安	100纳安			NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	135@5mA，5V		10欧姆
2SC5293(0)-T-AZ	-	询价	1101	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SC5293(0)-T-AZ			1
RJL5013DPP-E0#T2	-	询价	2825	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RJL5013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	52		N沟道		500V	14A（塔）	10V	510毫欧@7A，10V	4V@1mA	10V时为37.6nC	±30V	1400pF@25V	-	30W（温度）
HZS3CLLTD-E	0.0900	询价	135	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZS3CLLTD-E-1833			1
RD150S-T1-AT	-	询价	6133	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD150S-T1-AT			1
RD24P-T2-AZ	-	询价	8161	瑞萨	-	大部分	过时的	±5.83%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD24P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																								10μA@19V				24V	70欧姆
RD43P-T1-AZ	-	询价	第1155章	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-RD43P-T1-AZ			1
RD27P-T2-AZ	0.4000	询价	25	瑞萨	-	大部分	过时的	±7.04%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD27P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																								10μA@21V				27V	80欧姆
HZ18-1JREB-E	0.4300	询价	第312章	瑞萨	赫兹	大部分	过时的	-	175°C（太焦）	通孔	DO-204AL、DO-41、矫正			1W	DO-41	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZ18-1JREB-E	EAR99	8541.10.0050	1																								13V时为10μA
RKZ18TJKG#P1	0.0900	询价	第402章	瑞萨	*	大部分	的积极									-		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RKZ18TJKG#P1-1833			1
BCR12CM-12LBA8#BB0	-	询价	3018	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-BCR12CM-12LBA8#BB0			1	单身的													标准	600伏	12A	1.5V	120A@60Hz	30毫安
CR08AS-12-BT14#F10	-	询价	1690	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				尤帕克	-				2156-CR08AS-12-BT14#F10			1			3毫安												600伏	1.26A	800毫伏	10A@60Hz	100微安	1.5V	800毫安	500微安	标准回报率
HAT2202C-EL-E	0.2900	询价	46	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT2202C-EL-E	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道		20V	3A（塔）	2.5V、4.5V	40毫欧@1.5A，4.5V	1.4V@1mA	6nC@4.5V	±12V	520pF@10V	-	200毫W
UPA1722G-E2-A	-	询价	6348	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-				2156-UPA1722G-E2-A			1		N沟道		30V	9A（塔）	4V、10V	21毫欧@4.5A，10V	2.5V@1mA	20nC@10V	±20V	980pF@10V	-	2W（塔）
2SJ607-ZJ-AZ	1.0000	询价	5250	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ607-ZJ-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		60V	83A（温度）	4V、10V	11毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	188nC@10V	±20V	7500pF@10V	-	1.5W（Ta）、160W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²