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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 电流 - 保持 (Ih)(最大) | 测试条件 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 关闭状态 | 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) | 可控硅类型 | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SK3654W-S17-AY | - | ![]() | 4030 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SK3654W-S17-AY | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB605-AZ | - | ![]() | 2348 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SSIP | - | - | 2156-2SB605-AZ | 1 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 350mV@50mA、500mA | 90@100mA,1V | 120兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HVL147M1PRF-E | - | ![]() | 3530 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-HVL147M1PRF-E | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK1590-T1B-A | - | ![]() | 4271 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SK1590-T1B-A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2157C-T1-AZ | 0.8100 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-243AA | MOSFET(金属O化物) | MP-2 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK2157C-T1-AZ | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N沟道 | 30V | 3.5A(塔) | 2.5V、4.5V | 63毫欧@2A,4.5V | 1.5V@1mA | 4nC@4V | ±12V | 260pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2706GR-E2-AT | 1.1600 | ![]() | 19号 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA2706GR-E2-AT | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N沟道 | 30V | 11A(Ta)、20A(Tc) | 4V、10V | 15毫欧@5.5A,10V | 2.5V@1mA | 7.1nC@5V | ±20V | 660pF@10V | - | 3W(Ta)、15W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK5013DPP-E0#T2 | 4.9400 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJK5013DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 61 | N沟道 | 500V | 14A(塔) | 10V | 465毫欧@7A,10V | 4.5V@1mA | 38nC@10V | ±30V | 1450pF@25V | - | 30W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GA4F3M(0)-T1-A | 0.0800 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | GA4F3M | 150毫W | SC-70 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-GA4F3M(0)-T1-A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 100毫安 | 100纳安 | NPN - 预偏置 | 200mV@250μA,5mA | 50@50mA,5V | 2欧姆 | 2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD24P-T2-AZ | - | ![]() | 8161 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±5.83% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 1W | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD24P-T2-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10μA@19V | 24V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2461-AZ | 2.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | MOSFET(金属O化物) | ITO-220AB | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK2461-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 100伏 | 20A(塔) | 4V、10V | 80毫欧@10A、10V | 2V@1mA | 51nC@10V | ±20V | 1400pF@10V | - | 2W(Ta)、35W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU33B-JTRF-E | 0.0700 | ![]() | 159 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | 供应商未定义 | 2156-HZU33B-JTRF-E-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD20P-T1-AZ | 0.2400 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±6% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 1W | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD20P-T1-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10μA@15V | 20V | 55欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2857-T1-AZ | 0.5000 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-243AA | MOSFET(金属O化物) | SC-62 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK2857-T1-AZ | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 60V | 4A(塔) | 4V、10V | 150mOhm@2.5A,10V | 2V@1mA | 10.6nC@10V | ±20V | 265pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM4.3NB2TL-E | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.24% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM4.3NB2TL-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1V时为10μA | 4.25V | 130欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJH60D1DPP-E0#T2 | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | 标准 | 30W | TO-220FP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJH60D1DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300V,10A,5欧姆,15V | 70纳秒 | 沟 | 600伏 | 20A | 2.5V@15V,10A | 100μJ(开),130μJ(关) | 13nC | 30纳秒/42纳秒 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU5.6B1TRF-EQ | 0.0500 | ![]() | 33 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-HZU5.6B1TRF-EQ-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD5.6UM(91)-T1-AT | - | ![]() | 2139 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-RD5.6UM(91)-T1-AT | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1760G-E1-A | 1.6700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | UPA1760 | MOSFET(金属O化物) | 2W(塔) | 8-SOP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA1760G-E1-A | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | 8A(塔) | 26毫欧@4A,10V | 2.5V@1mA | 14nC@10V | 760pF@10V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KN4A4M(0)-T1-A | - | ![]() | 5321 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | 200毫W | SC-75 | - | 2156-KN4A4M(0)-T1-A | 1 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | PNP - 预偏置 | 200mV@250μA,5mA | 80@50mA,5V | 10欧姆 | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5P4J-Z-E2-AZ | 1.2300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | TO-252,(D-Pak) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-5P4J-Z-E2-AZ | EAR99 | 8541.30.0080 | 245 | 1毫安 | 400伏 | 1.6V | 标准回报率 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM18NB2TR-E | 0.1600 | ![]() | 117 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.2% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM18NB2TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 13V时为2μA | 17.96V | 45欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD39FS(0)-T1-AY | - | ![]() | 2329 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-RD39FS(0)-T1-AY | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS20LM-5A-E4#C02 | - | ![]() | 1938年 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-FS20LM-5A-E4#C02 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ358C-T1-AZ | 0.7700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-243AA | MOSFET(金属O化物) | MP-2 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-2SJ358C-T1-AZ | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | P沟道 | 60V | 3.5A(塔) | 4V、10V | 143毫欧@2A,10V | 2.5V@1mA | 12nC@10V | ±20V | 666pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR16CM-12LBJ6#BB0 | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-BCR16CM-12LBJ6#BB0 | 第582章 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK425-T1B-A | - | ![]() | 8928 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SK425-T1B-A | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4554(7)-S6-AZ | - | ![]() | 4586 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SC4554(7)-S6-AZ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM24NB2TR-E | 0.1600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.19% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM24NB2TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 19V时为2μA | 24.25V | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1602GS-E1-A | 1.5500 | ![]() | 62 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~85℃ | 表面贴装 | 16-SOIC(0.220英寸,5.59毫米宽) | UPA1602 | MOSFET(金属O化物) | 1W(塔) | 16-SOP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-UPA1602GS-E1-A | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | 7 N 沟道 | 30V | 430mA(塔) | 5.3欧姆@150mA,4.5V | 1V@150mA | - | 10皮法 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD150S-T1-AT | - | ![]() | 6133 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-RD150S-T1-AT | 1 |
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