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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) 当前 - 关闭状态(最大) 可控硅类型 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1)
NP89N04PUK-E1-AY Renesas NP89N04PUK-E1-AY -
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ECAD 1610 0.00000000 瑞萨 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 175℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263-3 - 2156-NP89N04PUK-E1-AY 1 N沟道 40V 90A(温度) 10V 2.95毫欧@45A,5V 4V@250μA 102nC@10V ±20V 5850pF@25V - 1.8W(Ta)、147W(Tc)
FS20LM-5A-E4#C02 Renesas FS20LM-5A-E4#C02 -
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ECAD 1938年 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-FS20LM-5A-E4#C02 1
2SK425-T1B-A Renesas 2SK425-T1B-A -
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ECAD 8928 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK425-T1B-A 1
5P4J-Z-E2-AZ Renesas 5P4J-Z-E2-AZ 1.2300
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 TO-252,(D-Pak) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-5P4J-Z-E2-AZ EAR99 8541.30.0080 245 1毫安 400伏 1.6V 标准回报率
2SB601-AZ Renesas 2SB601-AZ 1.5000
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ECAD 4 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 1.5W TO-220AB - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SB601-AZ EAR99 8541.29.0095 1 100V 5A 10微安 PNP-达林顿 1.5V@3mA,3A 2000 @ 3A,2V -
HZM18NB2TR-E Renesas HZM18NB2TR-E 0.1600
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ECAD 117 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.2% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM18NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 13V时为2μA 17.96V 45欧姆
RD39FS(0)-T1-AY Renesas RD39FS(0)-T1-AY -
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ECAD 2329 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD39FS(0)-T1-AY 1
RD36E-T2-AZ Renesas RD36E-T2-AZ 0.0500
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ECAD 995 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-RD36E-T2-AZ-1833 1
BCR20KM-12LB#B01 Renesas BCR20KM-12LB#B01 1.8500
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3全包 TO-220FN - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-BCR20KM-12LB#B01 EAR99 8541.30.0080 1 单身的 标准 600伏 20A 1.5V 200A@60Hz 30毫安
UPA1602GS-E1-A Renesas UPA1602GS-E1-A 1.5500
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ECAD 62 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 16-SOIC(0.220英寸,5.59毫米宽) UPA1602 MOSFET(金属O化物) 1W(塔) 16-SOP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA1602GS-E1-A EAR99 8542.39.0001 1 7 N 沟道 30V 430mA(塔) 5.3欧姆@150mA,4.5V 1V@150mA - 10皮法 -
2SK2933-E Renesas 2SK2933-E 1.6300
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ECAD 261 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220CFM - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 2156-2SK2933-E EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 15A(塔) 4V、10V 52mOhm@8A,10V 2.5V@1mA ±20V 500pF@10V - 25W(塔)
HZM16NB1TR-E Renesas HZM16NB1TR-E 0.1600
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ECAD 105 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.04% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM16NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1 12V时为2μA 15.69V 40欧姆
2SK1590-T1B-A Renesas 2SK1590-T1B-A -
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ECAD 4271 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK1590-T1B-A 1
HVL147M1PRF-E Renesas HVL147M1PRF-E -
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ECAD 3530 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-HVL147M1PRF-E 1
2SK1521-E1-E#T2 Renesas 2SK1521-E1-E#T2 -
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ECAD 4426 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-264-3、TO-264AA MOSFET(金属O化物) TO-264 - 2156-2SK1521-E1-E#T2 1 N沟道 450伏 50A 10V 100mOhm@25A,10V 3V@1mA ±30V 8700pF@10V - 250W(温度)
GA1A4Z-T1-A Renesas GA1A4Z-T1-A 0.1100
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ECAD 11 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 SC-70、SOT-323 GA1A4Z 150毫W SC-70 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-GA1A4Z-T1-A EAR99 8541.29.0095 2,719 50V 100毫安 100纳安 NPN - 预偏置 200mV@250μA,5mA 135@5mA,5V 10欧姆
2SC5293(0)-T-AZ Renesas 2SC5293(0)-T-AZ -
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ECAD 1101 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SC5293(0)-T-AZ 1
RJL5013DPP-E0#T2 Renesas RJL5013DPP-E0#T2 -
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ECAD 2825 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-RJL5013DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 52 N沟道 500V 14A(塔) 10V 510毫欧@7A,10V 4V@1mA 10V时为37.6nC ±30V 1400pF@25V - 30W(温度)
HZS3CLLTD-E Renesas HZS3CLLTD-E 0.0900
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ECAD 135 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZS3CLLTD-E-1833 1
RD150S-T1-AT Renesas RD150S-T1-AT -
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ECAD 6133 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD150S-T1-AT 1
RD24P-T2-AZ Renesas RD24P-T2-AZ -
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ECAD 8161 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.83% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD24P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10μA@19V 24V 70欧姆
RD43P-T1-AZ Renesas RD43P-T1-AZ -
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ECAD 第1155章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD43P-T1-AZ 1
RD27P-T2-AZ Renesas RD27P-T2-AZ 0.4000
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ECAD 25 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±7.04% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD27P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10μA@21V 27V 80欧姆
HZ18-1JREB-E Renesas HZ18-1JREB-E 0.4300
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ECAD 第312章 0.00000000 瑞萨 赫兹 大部分 过时的 - 175°C(太焦) 通孔 DO-204AL、DO-41、矫正 1W DO-41 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZ18-1JREB-E EAR99 8541.10.0050 1 13V时为10μA
RKZ18TJKG#P1 Renesas RKZ18TJKG#P1 0.0900
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ECAD 第402章 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 - 供应商未定义 REACH 不出行 2156-RKZ18TJKG#P1-1833 1
BCR12CM-12LBA8#BB0 Renesas BCR12CM-12LBA8#BB0 -
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ECAD 3018 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR12CM-12LBA8#BB0 1 单身的 标准 600伏 12A 1.5V 120A@60Hz 30毫安
CR08AS-12-BT14#F10 Renesas CR08AS-12-BT14#F10 -
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ECAD 1690 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 尤帕克 - 2156-CR08AS-12-BT14#F10 1 3毫安 600伏 1.26A 800毫伏 10A@60Hz 100微安 1.5V 800毫安 500微安 标准回报率
HAT2202C-EL-E Renesas HAT2202C-EL-E 0.2900
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ECAD 46 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT2202C-EL-E EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 20V 3A(塔) 2.5V、4.5V 40毫欧@1.5A,4.5V 1.4V@1mA 6nC@4.5V ±12V 520pF@10V - 200毫W
UPA1722G-E2-A Renesas UPA1722G-E2-A -
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ECAD 6348 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SOP - 2156-UPA1722G-E2-A 1 N沟道 30V 9A(塔) 4V、10V 21毫欧@4.5A,10V 2.5V@1mA 20nC@10V ±20V 980pF@10V - 2W(塔)
2SJ607-ZJ-AZ Renesas 2SJ607-ZJ-AZ 1.0000
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ECAD 5250 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SJ607-ZJ-AZ EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 60V 83A(温度) 4V、10V 11毫欧@42A,10V 2.5V@1mA 188nC@10V ±20V 7500pF@10V - 1.5W(Ta)、160W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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    15,000米2

    智能仓库