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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 关闭状态 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) 可控硅类型 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
2SK3654W-S17-AY Renesas 2SK3654W-S17-AY -
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ECAD 4030 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK3654W-S17-AY 1
2SB605-AZ Renesas 2SB605-AZ -
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ECAD 2348 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SSIP - - 2156-2SB605-AZ 1 100nA(ICBO) 国民党 350mV@50mA、500mA 90@100mA,1V 120兆赫
HVL147M1PRF-E Renesas HVL147M1PRF-E -
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ECAD 3530 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-HVL147M1PRF-E 1
2SK1590-T1B-A Renesas 2SK1590-T1B-A -
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ECAD 4271 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK1590-T1B-A 1
2SK2157C-T1-AZ Renesas 2SK2157C-T1-AZ 0.8100
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ECAD 34 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) MP-2 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK2157C-T1-AZ EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 30V 3.5A(塔) 2.5V、4.5V 63毫欧@2A,4.5V 1.5V@1mA 4nC@4V ±12V 260pF@10V - 2W(塔)
UPA2706GR-E2-AT Renesas UPA2706GR-E2-AT 1.1600
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ECAD 19号 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SOP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA2706GR-E2-AT EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 30V 11A(Ta)、20A(Tc) 4V、10V 15毫欧@5.5A,10V 2.5V@1mA 7.1nC@5V ±20V 660pF@10V - 3W(Ta)、15W(Tc)
RJK5013DPP-E0#T2 Renesas RJK5013DPP-E0#T2 4.9400
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ECAD 17号 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJK5013DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 61 N沟道 500V 14A(塔) 10V 465毫欧@7A,10V 4.5V@1mA 38nC@10V ±30V 1450pF@25V - 30W(温度)
GA4F3M(0)-T1-A Renesas GA4F3M(0)-T1-A 0.0800
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ECAD 63 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 SC-70、SOT-323 GA4F3M 150毫W SC-70 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-GA4F3M(0)-T1-A EAR99 8541.29.0095 1 50V 100毫安 100纳安 NPN - 预偏置 200mV@250μA,5mA 50@50mA,5V 2欧姆 2欧姆
RD24P-T2-AZ Renesas RD24P-T2-AZ -
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ECAD 8161 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.83% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD24P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10μA@19V 24V 70欧姆
2SK2461-AZ Renesas 2SK2461-AZ 2.9800
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK2461-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100伏 20A(塔) 4V、10V 80毫欧@10A、10V 2V@1mA 51nC@10V ±20V 1400pF@10V - 2W(Ta)、35W(Tc)
HZU33B-JTRF-E Renesas HZU33B-JTRF-E 0.0700
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ECAD 159 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 供应商未定义 2156-HZU33B-JTRF-E-1833 1
RD20P-T1-AZ Renesas RD20P-T1-AZ 0.2400
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ECAD 34 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD20P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10μA@15V 20V 55欧姆
2SK2857-T1-AZ Renesas 2SK2857-T1-AZ 0.5000
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ECAD 14 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) SC-62 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK2857-T1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 60V 4A(塔) 4V、10V 150mOhm@2.5A,10V 2V@1mA 10.6nC@10V ±20V 265pF@10V - 2W(塔)
HZM4.3NB2TL-E Renesas HZM4.3NB2TL-E 0.1600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.24% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM4.3NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 1V时为10μA 4.25V 130欧姆
RJH60D1DPP-E0#T2 Renesas RJH60D1DPP-E0#T2 1.5200
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 标准 30W TO-220FP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJH60D1DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 300V,10A,5欧姆,15V 70纳秒 600伏 20A 2.5V@15V,10A 100μJ(开),130μJ(关) 13nC 30纳秒/42纳秒
HZU5.6B1TRF-E-Q Renesas HZU5.6B1TRF-EQ 0.0500
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ECAD 33 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZU5.6B1TRF-EQ-1833 1
RD5.6UM(91)-T1-AT Renesas RD5.6UM(91)-T1-AT -
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ECAD 2139 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD5.6UM(91)-T1-AT 1
UPA1760G-E1-A Renesas UPA1760G-E1-A 1.6700
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ECAD 12 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) UPA1760 MOSFET(金属O化物) 2W(塔) 8-SOP 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA1760G-E1-A EAR99 8541.21.0095 1 2 个 N 沟道(双) 30V 8A(塔) 26毫欧@4A,10V 2.5V@1mA 14nC@10V 760pF@10V -
KN4A4M(0)-T1-A Renesas KN4A4M(0)-T1-A -
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ECAD 5321 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 200毫W SC-75 - 2156-KN4A4M(0)-T1-A 1 50V 100毫安 100nA(ICBO) PNP - 预偏置 200mV@250μA,5mA 80@50mA,5V 10欧姆 10欧姆
5P4J-Z-E2-AZ Renesas 5P4J-Z-E2-AZ 1.2300
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 TO-252,(D-Pak) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-5P4J-Z-E2-AZ EAR99 8541.30.0080 245 1毫安 400伏 1.6V 标准回报率
HZM18NB2TR-E Renesas HZM18NB2TR-E 0.1600
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ECAD 117 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.2% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM18NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 13V时为2μA 17.96V 45欧姆
RD39FS(0)-T1-AY Renesas RD39FS(0)-T1-AY -
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ECAD 2329 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD39FS(0)-T1-AY 1
FS20LM-5A-E4#C02 Renesas FS20LM-5A-E4#C02 -
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ECAD 1938年 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-FS20LM-5A-E4#C02 1
2SJ358C-T1-AZ Renesas 2SJ358C-T1-AZ 0.7700
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) MP-2 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-2SJ358C-T1-AZ EAR99 8541.21.0075 1 P沟道 60V 3.5A(塔) 4V、10V 143毫欧@2A,10V 2.5V@1mA 12nC@10V ±20V 666pF@10V - 2W(塔)
BCR16CM-12LBJ6#BB0 Renesas BCR16CM-12LBJ6#BB0 0.5200
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-BCR16CM-12LBJ6#BB0 第582章
2SK425-T1B-A Renesas 2SK425-T1B-A -
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ECAD 8928 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK425-T1B-A 1
2SC4554(7)-S6-AZ Renesas 2SC4554(7)-S6-AZ -
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ECAD 4586 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SC4554(7)-S6-AZ 1
HZM24NB2TR-E Renesas HZM24NB2TR-E 0.1600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.19% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM24NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 19V时为2μA 24.25V 60欧姆
UPA1602GS-E1-A Renesas UPA1602GS-E1-A 1.5500
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ECAD 62 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40℃~85℃ 表面贴装 16-SOIC(0.220英寸,5.59毫米宽) UPA1602 MOSFET(金属O化物) 1W(塔) 16-SOP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA1602GS-E1-A EAR99 8542.39.0001 1 7 N 沟道 30V 430mA(塔) 5.3欧姆@150mA,4.5V 1V@150mA - 10皮法 -
RD150S-T1-AT Renesas RD150S-T1-AT -
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ECAD 6133 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD150S-T1-AT 1
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  • Standard Product Unit

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    标准产品单位

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