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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 多种可控硅类型 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电压-感应触发(Vgt)(最大) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 电流 - 反向电流@Vr | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | UPA1911ATE(0)-T1-A | - | ![]() | 第1649章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | SC-95 | MOSFET(金属O化物) | SC-95 | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA1911ATE(0)-T1-A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 20V | 2.5A(塔) | 2.5V、4.5V | 115毫欧@1.5A,4.5V | 1.5V@1mA | 2.3nC@4V | ±12V | 370pF@10V | - | 200毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT2196C-EL-E | 0.2600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 6-SMD,写入 | MOSFET(金属O化物) | 6-CMFPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-HAT2196C-EL-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 20V | 2.5A(塔) | 2.5V、4.5V | 58毫欧@1.3A,4.5V | 1.4V@1mA | 2.8nC@4.5V | ±12V | 270pF@10V | - | 850毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1740TP-E1-AZ | 1.7300 | ![]() | 第282章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-HSOP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-UPA1740TP-E1-AZ | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 200V | 7A(温度) | 10V | 440毫欧@3.5A,10V | 4.5V@1mA | 12nC@10V | ±30V | 420pF@10V | - | 1W(Ta)、22W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4554(7)-S6-AZ | - | ![]() | 4586 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SC4554(7)-S6-AZ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3402-Z-E1-AZ | - | ![]() | 1817 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252 (MP-3Z) | - | 2156-2SK3402-Z-E1-AZ | 1 | N沟道 | 60V | 36A(温度) | 4V、10V | 15毫欧@18A,10V | 2.5V@1mA | 61nC@10V | ±20V | 3200pF@10V | - | 1W(Ta)、40W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RKZ18TWJQE#H1 | 0.2200 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | - | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-RKZ18TWAJQE#H1-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3813-Z-AZ | - | ![]() | 7024 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | MP-3 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3813-Z-AZ | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 40V | 60A(温度) | 4.5V、10V | 5.3毫欧@30A,10V | 2.5V@1mA | 96nC@10V | ±20V | 5500pF@10V | - | 1W(Ta)、84W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CR04AM-12-ATB#F00 | 0.5300 | ![]() | 21 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | - | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-CR04AM-12-ATB#F00-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB605-AZ | - | ![]() | 2348 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SSIP | - | - | 2156-2SB605-AZ | 1 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 350mV@50mA、500mA | 90@100mA,1V | 120兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3654W-S17-AY | - | ![]() | 4030 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SK3654W-S17-AY | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD6.2P-T1-AZ | 0.3500 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±6.45% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 1W | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD6.2P-T1-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3V时为20μA | 6.2V | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK6013DPP-E0#T2 | 4.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJK6013DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 600伏 | 11A(塔) | 10V | 700毫欧@5.5A,10V | 4.5V@1mA | 10V时为37.5nC | ±30V | 1450pF@25V | - | 30W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ604-Z-AZ | 1.8100 | ![]() | 4755 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263、TO-220SMD | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SJ604-Z-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 60V | 45A(温度) | 4V、10V | 30毫欧@23A,10V | 2.5V@1mA | 63nC@10V | ±20V | 3300pF@10V | - | 1.5W(Ta)、70W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM5.6NB3TL-E | 0.1600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.16% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM5.6NB3TL-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2.5V时为5μA | 5.8V | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR5CM-12LB#BB0 | - | ![]() | 第1651章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220ABS | - | 2156-BCR5CM-12LB#BB0 | 1 | 单身的 | 标准 | 600伏 | 5A | 1.5V | 50A@60Hz | 20毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR16CM-12LA#B00 | 1.6300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-BCR16CM-12LA#B00 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 标准 | 600伏 | 16A | 1.5V | 170A@60Hz | 30毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3714-S12-AZ | 2.0100 | ![]() | 139 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3隔离片 | MOSFET(金属O化物) | MP-45F | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3714-S12-AZ | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 60V | 50A(温度) | 4V、10V | 13毫欧@25A,10V | 2.5V@1mA | 60nC@10V | ±20V | 3200pF@10V | - | 2W(Ta)、35W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RD15P-T1-AZ | 0.2000 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±6% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 1W | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD15P-T1-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 11V时为10μA | 15V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1579-T-AZ | 1.3100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SSIP | 1W | - | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SD1579-T-AZ | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 80V | 1.5A | 1毫安 | NPN-达林顿 | 1.5V@1mA、1A | 2000 @ 1A,2V | 60兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR10CM-12LB-1#BB0 | - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220ABS | - | 2156-BCR10CM-12LB-1#BB0 | 1 | 单身的 | 标准 | 600伏 | 10A | 1.5V | 100A@60Hz | 30毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4783-T1-A | - | ![]() | 9066 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | SC-75 | - | 2156-2SC4783-T1-A | 1 | 10μA(ICBO) | NPN | 300毫伏@10毫安,100毫安 | 90@1mA,6V | 250兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2157C-T1-AZ | 0.8100 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-243AA | MOSFET(金属O化物) | MP-2 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK2157C-T1-AZ | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N沟道 | 30V | 3.5A(塔) | 2.5V、4.5V | 63毫欧@2A,4.5V | 1.5V@1mA | 4nC@4V | ±12V | 260pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR10CM-12LB#BB0 | - | ![]() | 7449 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220ABS | - | 2156-BCR10CM-12LB#BB0 | 1 | 单身的 | 标准 | 600伏 | 10A | 1.5V | 100A@60Hz | 30毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2706GR-E2-AT | 1.1600 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA2706GR-E2-AT | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N沟道 | 30V | 11A(Ta)、20A(Tc) | 4V、10V | 15毫欧@5.5A,10V | 2.5V@1mA | 7.1nC@5V | ±20V | 660pF@10V | - | 3W(Ta)、15W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GA4F3M(0)-T1-A | 0.0800 | ![]() | 63 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | GA4F3M | 150毫W | SC-70 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-GA4F3M(0)-T1-A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 50V | 100毫安 | 100纳安 | NPN - 预偏置 | 200mV@250μA,5mA | 50@50mA,5V | 2欧姆 | 2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK5013DPP-E0#T2 | 4.9400 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJK5013DPP-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 61 | N沟道 | 500V | 14A(塔) | 10V | 465毫欧@7A,10V | 4.5V@1mA | 38nC@10V | ±30V | 1450pF@25V | - | 30W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3433(0)-Z-E1-AZ | 1.3300 | ![]() | 第714章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263、TO-220SMD | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3433(0)-Z-E1-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 40A(温度) | 4V、10V | 26毫欧@20A,10V | 2.5V@1mA | 30nC@10V | ±20V | 1500pF@10V | - | 1.5W(Ta)、47W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR16CM-12LBJ6#BB0 | 0.5200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-BCR16CM-12LBJ6#BB0 | 第582章 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ358C-T1-AZ | 0.7700 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-243AA | MOSFET(金属O化物) | MP-2 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-2SJ358C-T1-AZ | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | P沟道 | 60V | 3.5A(塔) | 4V、10V | 143毫欧@2A,10V | 2.5V@1mA | 12nC@10V | ±20V | 666pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU2.0BTRF-E | 0.0900 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-HZU2.0BTRF-E-1833 | 1 |
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