SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
UPA1911ATE(0)-T1-A Renesas UPA1911ATE(0)-T1-A -
询价
ECAD 第1649章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 SC-95 MOSFET(金属O化物) SC-95 - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA1911ATE(0)-T1-A EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 20V 2.5A(塔) 2.5V、4.5V 115毫欧@1.5A,4.5V 1.5V@1mA 2.3nC@4V ±12V 370pF@10V - 200毫W(塔)
HAT2196C-EL-E Renesas HAT2196C-EL-E 0.2600
询价
ECAD 18 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT2196C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 20V 2.5A(塔) 2.5V、4.5V 58毫欧@1.3A,4.5V 1.4V@1mA 2.8nC@4.5V ±12V 270pF@10V - 850毫W(塔)
UPA1740TP-E1-AZ Renesas UPA1740TP-E1-AZ 1.7300
询价
ECAD 第282章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-HSOP 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA1740TP-E1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 200V 7A(温度) 10V 440毫欧@3.5A,10V 4.5V@1mA 12nC@10V ±30V 420pF@10V - 1W(Ta)、22W(Tc)
2SC4554(7)-S6-AZ Renesas 2SC4554(7)-S6-AZ -
询价
ECAD 4586 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SC4554(7)-S6-AZ 1
2SK3402-Z-E1-AZ Renesas 2SK3402-Z-E1-AZ -
询价
ECAD 1817 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3Z) - 2156-2SK3402-Z-E1-AZ 1 N沟道 60V 36A(温度) 4V、10V 15毫欧@18A,10V 2.5V@1mA 61nC@10V ±20V 3200pF@10V - 1W(Ta)、40W(Tc)
RKZ18TWAJQE#H1 Renesas RKZ18TWJQE#H1 0.2200
询价
ECAD 63 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 - 供应商未定义 REACH 不出行 2156-RKZ18TWAJQE#H1-1833 1
2SK3813-Z-AZ Renesas 2SK3813-Z-AZ -
询价
ECAD 7024 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA MOSFET(金属O化物) MP-3 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3813-Z-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 40V 60A(温度) 4.5V、10V 5.3毫欧@30A,10V 2.5V@1mA 96nC@10V ±20V 5500pF@10V - 1W(Ta)、84W(Tc)
CR04AM-12-ATB#F00 Renesas CR04AM-12-ATB#F00 0.5300
询价
ECAD 21 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 - 供应商未定义 REACH 不出行 2156-CR04AM-12-ATB#F00-1833 1
2SB605-AZ Renesas 2SB605-AZ -
询价
ECAD 2348 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SSIP - - 2156-2SB605-AZ 1 100nA(ICBO) 国民党 350mV@50mA、500mA 90@100mA,1V 120兆赫
2SK3654W-S17-AY Renesas 2SK3654W-S17-AY -
询价
ECAD 4030 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK3654W-S17-AY 1
RD6.2P-T1-AZ Renesas RD6.2P-T1-AZ 0.3500
询价
ECAD 29 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.45% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD6.2P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 3V时为20μA 6.2V 10欧姆
RJK6013DPP-E0#T2 Renesas RJK6013DPP-E0#T2 4.4900
询价
ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJK6013DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 600伏 11A(塔) 10V 700毫欧@5.5A,10V 4.5V@1mA 10V时为37.5nC ±30V 1450pF@25V - 30W(温度)
2SJ604-Z-AZ Renesas 2SJ604-Z-AZ 1.8100
询价
ECAD 4755 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263、TO-220SMD - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SJ604-Z-AZ EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 60V 45A(温度) 4V、10V 30毫欧@23A,10V 2.5V@1mA 63nC@10V ±20V 3300pF@10V - 1.5W(Ta)、70W(Tc)
HZM5.6NB3TL-E Renesas HZM5.6NB3TL-E 0.1600
询价
ECAD 27 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.16% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM5.6NB3TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2.5V时为5μA 5.8V 80欧姆
BCR5CM-12LB#BB0 Renesas BCR5CM-12LB#BB0 -
询价
ECAD 第1651章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR5CM-12LB#BB0 1 单身的 标准 600伏 5A 1.5V 50A@60Hz 20毫安
BCR16CM-12LA#B00 Renesas BCR16CM-12LA#B00 1.6300
询价
ECAD 4 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 TO-220-3 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-BCR16CM-12LA#B00 EAR99 8541.30.0080 1 单身的 标准 600伏 16A 1.5V 170A@60Hz 30毫安
2SK3714-S12-AZ Renesas 2SK3714-S12-AZ 2.0100
询价
ECAD 139 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3隔离片 MOSFET(金属O化物) MP-45F 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3714-S12-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 60V 50A(温度) 4V、10V 13毫欧@25A,10V 2.5V@1mA 60nC@10V ±20V 3200pF@10V - 2W(Ta)、35W(Tc)
RD15P-T1-AZ Renesas RD15P-T1-AZ 0.2000
询价
ECAD 36 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD15P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 11V时为10μA 15V 30欧姆
2SD1579-T-AZ Renesas 2SD1579-T-AZ 1.3100
询价
ECAD 8 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SSIP 1W - - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SD1579-T-AZ EAR99 8541.21.0075 1 80V 1.5A 1毫安 NPN-达林顿 1.5V@1mA、1A 2000 @ 1A,2V 60兆赫
BCR10CM-12LB-1#BB0 Renesas BCR10CM-12LB-1#BB0 -
询价
ECAD 5273 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR10CM-12LB-1#BB0 1 单身的 标准 600伏 10A 1.5V 100A@60Hz 30毫安
2SC4783-T1-A Renesas 2SC4783-T1-A -
询价
ECAD 9066 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-75、SOT-416 SC-75 - 2156-2SC4783-T1-A 1 10μA(ICBO) NPN 300毫伏@10毫安,100毫安 90@1mA,6V 250兆赫
2SK2157C-T1-AZ Renesas 2SK2157C-T1-AZ 0.8100
询价
ECAD 34 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) MP-2 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK2157C-T1-AZ EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 30V 3.5A(塔) 2.5V、4.5V 63毫欧@2A,4.5V 1.5V@1mA 4nC@4V ±12V 260pF@10V - 2W(塔)
BCR10CM-12LB#BB0 Renesas BCR10CM-12LB#BB0 -
询价
ECAD 7449 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR10CM-12LB#BB0 1 单身的 标准 600伏 10A 1.5V 100A@60Hz 30毫安
UPA2706GR-E2-AT Renesas UPA2706GR-E2-AT 1.1600
询价
ECAD 19 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SOP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA2706GR-E2-AT EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 30V 11A(Ta)、20A(Tc) 4V、10V 15毫欧@5.5A,10V 2.5V@1mA 7.1nC@5V ±20V 660pF@10V - 3W(Ta)、15W(Tc)
GA4F3M(0)-T1-A Renesas GA4F3M(0)-T1-A 0.0800
询价
ECAD 63 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 SC-70、SOT-323 GA4F3M 150毫W SC-70 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-GA4F3M(0)-T1-A EAR99 8541.29.0095 1 50V 100毫安 100纳安 NPN - 预偏置 200mV@250μA,5mA 50@50mA,5V 2欧姆 2欧姆
RJK5013DPP-E0#T2 Renesas RJK5013DPP-E0#T2 4.9400
询价
ECAD 17号 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJK5013DPP-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 61 N沟道 500V 14A(塔) 10V 465毫欧@7A,10V 4.5V@1mA 38nC@10V ±30V 1450pF@25V - 30W(温度)
2SK3433(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3433(0)-Z-E1-AZ 1.3300
询价
ECAD 第714章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263、TO-220SMD - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3433(0)-Z-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 40A(温度) 4V、10V 26毫欧@20A,10V 2.5V@1mA 30nC@10V ±20V 1500pF@10V - 1.5W(Ta)、47W(Tc)
BCR16CM-12LBJ6#BB0 Renesas BCR16CM-12LBJ6#BB0 0.5200
询价
ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-BCR16CM-12LBJ6#BB0 第582章
2SJ358C-T1-AZ Renesas 2SJ358C-T1-AZ 0.7700
询价
ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) MP-2 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-2SJ358C-T1-AZ EAR99 8541.21.0075 1 P沟道 60V 3.5A(塔) 4V、10V 143毫欧@2A,10V 2.5V@1mA 12nC@10V ±20V 666pF@10V - 2W(塔)
HZU2.0BTRF-E Renesas HZU2.0BTRF-E 0.0900
询价
ECAD 32 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZU2.0BTRF-E-1833 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库