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离散半导体产品（（447）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BCR5cm-12lb ＃BB0	-	RFQ	1651年	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220AB	-				2156-BCR5CM-12LB ＃BB0			1	单身的													标准	600 v	5 a	1.5 v	50a @ 60hz	20 ma
HAT2202C-EL-E	0.2900	RFQ	46	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HAT2202C-EL-E	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	40mohm @ 1.5A，4.5V	1.4V @ 1mA	6 NC @ 4.5 V	±12V	520 pf @ 10 V	-	200MW
2SK4070-ZK-E1-AY	-	RFQ	4128	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	-				2156-2SK4070-ZK-E1-AY			1		n通道		600 v	1A（TC）	10V	11ohm @ 500mA，10v	3.5V @ 1mA	5 NC @ 10 V	±30V	110 pf @ 10 V	-	1W（1W），22W（22W）TC）
HAT2196C-EL-E	0.2600	RFQ	18	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HAT2196C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		20 v	2.5a（ta）	2.5V，4.5V	58mohm @ 1.3A，4.5V	1.4V @ 1mA	2.8 NC @ 4.5 V	±12V	270 pf @ 10 V	-	850MW（TA）
RD27P-T2-AZ	0.4000	RFQ	25	肾脏	-	大部分	过时的	±7.04％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD27P-T2-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																				10 µA @ 21 V				27 V	80欧姆
2SK2858（0）-T1-AT	-	RFQ	4525	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2SK2858（0）-T1-AT			1
RD43P-T1-AZ	-	RFQ	1155	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-RD43P-T1-AZ			1
RD12P-T2-AZ	0.4000	RFQ	10	肾脏	-	大部分	过时的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD12P-T2-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																				10 µA @ 9 V				12 v	25欧姆
RD24P-T2-AZ	-	RFQ	8161	肾脏	-	大部分	过时的	±5.83％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD24P-T2-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																				10 µA @ 19 V				24 V	70欧姆
BCR16CM-12LA ＃B00	1.6300	RFQ	4	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220-3	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-BCR16CM-12LA ＃B00	Ear99	8541.30.0080	1	单身的													标准	600 v	16 a	1.5 v	170a @ 60Hz	30 ma
RKZ27TWAQE＃h1	-	RFQ	5064	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RKZ27TWAQE H1-1833			1
NP89N04PUK-E1-AY	-	RFQ	1610	肾脏	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	-				2156-NP89N04PUK-E1-AY			1		n通道		40 V	90A（TC）	10V	2.95MOHM @ 45A，5V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
RJK6013DPP-E0 ＃T2	4.4900	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJK6013DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	11a（11a）	10V	700MOHM @ 5.5A，10V	4.5V @ 1mA	37.5 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	30W（TC）
Hzu3.3b2trf-e	0.1300	RFQ	111	肾脏	-	大部分	过时的	±3.7％	150°C（TJ）	表面安装	SC-76A			200兆	2-urp	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZU3.3B2TRF-E	Ear99	8541.10.0050	1																				20 µA @ 1 V				3.38 v	130欧姆
2SJ162-E	-	RFQ	1385	肾脏	-	大部分	积极的		150°C	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-				2156-2SJ162-E			1		P通道		160 v	7a（ta）	10V	-	1.45V @ 100mA		±15V	900 pf @ 10 V	-	100W（TC）
RD22P-T1-AZ	0.1900	RFQ	11	肾脏	-	大部分	过时的	±5.68％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD22P-T1-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																				10 µA @ 17 V				22 v	55欧姆
2SC3380ASTR-E	0.3300	RFQ	16	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			1 w	Upak	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SC3380ASTR-E	Ear99	8541.29.0095	1																					300 v	100 ma	1µA			NPN	1.5V @ 2mA，20mA	30 @ 20mA，20v	80MHz
BCR5CM-12LB-1 ＃BB0	-	RFQ	5449	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220AB	-				2156-BCR5CM-12LB-1 BB0			1	单身的													标准	600 v	5 a	1.5 v	50a @ 60hz	20 ma
UPA2793GR（0）-e1-az	1.7100	RFQ	75	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA2793	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-UPA2793GR（0）-e1-az	Ear99	8541.29.0095	1	n和p通道			40V	7a（ta）		15mohm @ 3.5a，10v，26mohm @ 3.5a，10v	2.5V @ 1mA	40NC @ 10V，45nc @ 10V		2200pf @ 10V	-
2SK2925L06-E	-	RFQ	6499	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-2SK2925L06-E			1
N0302P-T1-AT	-	RFQ	9693	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-N0302P-T1-AT	Ear99	8541.21.0095	1		P通道		30 V	4A（ta）	4V，10V	54mohm @ 2.2a，10v	2.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±20V	620 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
UPA1760G-E1-A	1.6700	RFQ	12	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA1760	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	8-sop	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1760G-E1-A	Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）			30V	8a（8a）		26mohm @ 4a，10v	2.5V @ 1mA	14NC @ 10V		760pf @ 10V	-
RD36F（0）-t1-ay	-	RFQ	5281	肾脏	-	大部分	过时的									-				2156-rd36f（0）-t1-ay			1
UPA2706GR-E2-AT	1.1600	RFQ	19	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA2706GR-E2-AT	Ear99	8541.21.0095	1		n通道		30 V	（11a）（ta），20A （TC）	4V，10V	15mohm @ 5.5a，10v	2.5V @ 1mA	7.1 NC @ 5 V	±20V	660 pf @ 10 V	-	（3W）（15W）（15W）TC）
RJK0703DPP-E0 ＃T2	-	RFQ	9258	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-				2156-RJK0703DPP-E0 ＃T2			1		n通道		75 v	70a（ta）	10V	6.7MOHM @ 35A，10V	4V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	25W（TC）
HZM4.7NB1TR-E	0.1600	RFQ	9	肾脏	-	大部分	过时的	±2.1％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM4.7NB1TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																				10 µA @ 1 V				4.52 v	130欧姆
2SJ604-Z-az	1.8100	RFQ	4755	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263，TO-220SMD	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SJ604-Z-AZ	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		60 V	45A（TC）	4V，10V	30mohm @ 23A，10V	2.5V @ 1mA	63 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），70W（70W）TC）
hzu2.0btrf-e	0.0900	RFQ	32	肾脏	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HZU2.0BTRF-E-1833			1
2SC2721-az	-	RFQ	9912	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	3-SSIP			1W	-	-				2156-2SC2721-AZ			1			-																		60V	700mA				NPN		90 @ 100mA，1V	110MHz	-
HZM4.3NB2TL-E	0.1600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	±2.24％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM4.3NB2TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																				10 µA @ 1 V				4.25 v	130欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（447）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²