分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电流 - 反向电流@Vr	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
UPA1911ATE(0)-T1-A	-	询价	第1649章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	SC-95		MOSFET（金属O化物）		SC-95	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA1911ATE(0)-T1-A	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	20V	2.5A（塔）	2.5V、4.5V	115毫欧@1.5A，4.5V	1.5V@1mA	2.3nC@4V	±12V	370pF@10V	-	200毫W（塔）
HAT2196C-EL-E	0.2600	询价	18	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT2196C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	20V	2.5A（塔）	2.5V、4.5V	58毫欧@1.3A，4.5V	1.4V@1mA	2.8nC@4.5V	±12V	270pF@10V	-	850毫W（塔）
UPA1740TP-E1-AZ	1.7300	询价	第282章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1740TP-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	200V	7A（温度）	10V	440毫欧@3.5A，10V	4.5V@1mA	12nC@10V	±30V	420pF@10V	-	1W（Ta）、22W（Tc）
2SC4554(7)-S6-AZ	-	询价	4586	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SC4554(7)-S6-AZ			1
2SK3402-Z-E1-AZ	-	询价	1817	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-				2156-2SK3402-Z-E1-AZ			1		N沟道	60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
RKZ18TWJQE#H1	0.2200	询价	63	瑞萨	*	大部分	的积极									-		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RKZ18TWAJQE#H1-1833			1
2SK3813-Z-AZ	-	询价	7024	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		MP-3	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3813-Z-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	40V	60A（温度）	4.5V、10V	5.3毫欧@30A，10V	2.5V@1mA	96nC@10V	±20V	5500pF@10V	-	1W（Ta）、84W（Tc）
CR04AM-12-ATB#F00	0.5300	询价	21	瑞萨	*	大部分	的积极									-		供应商未定义	REACH 不出行	2156-CR04AM-12-ATB#F00-1833			1
2SB605-AZ	-	询价	2348	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SSIP				-	-				2156-2SB605-AZ			1																						100nA（ICBO）			国民党	350mV@50mA、500mA	90@100mA，1V	120兆赫
2SK3654W-S17-AY	-	询价	4030	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-2SK3654W-S17-AY			1
RD6.2P-T1-AZ	0.3500	询价	29	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.45%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD6.2P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																			3V时为20μA				6.2V	10欧姆
RJK6013DPP-E0#T2	4.4900	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK6013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	11A（塔）	10V	700毫欧@5.5A，10V	4.5V@1mA	10V时为37.5nC	±30V	1450pF@25V	-	30W（温度）
2SJ604-Z-AZ	1.8100	询价	4755	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SJ604-Z-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	60V	45A（温度）	4V、10V	30毫欧@23A，10V	2.5V@1mA	63nC@10V	±20V	3300pF@10V	-	1.5W（Ta）、70W（Tc）
HZM5.6NB3TL-E	0.1600	询价	27	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.16%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM5.6NB3TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																			2.5V时为5μA				5.8V	80欧姆
BCR5CM-12LB#BB0	-	询价	第1651章	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-BCR5CM-12LB#BB0			1	单身的												标准	600伏	5A	1.5V	50A@60Hz	20毫安
BCR16CM-12LA#B00	1.6300	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-220-3				TO-220-3	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BCR16CM-12LA#B00	EAR99	8541.30.0080	1	单身的												标准	600伏	16A	1.5V	170A@60Hz	30毫安
2SK3714-S12-AZ	2.0100	询价	139	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3隔离片		MOSFET（金属O化物）		MP-45F	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3714-S12-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道	60V	50A（温度）	4V、10V	13毫欧@25A，10V	2.5V@1mA	60nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
RD15P-T1-AZ	0.2000	询价	36	瑞萨	-	大部分	过时的	±6%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA			1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD15P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																			11V时为10μA				15V	30欧姆
2SD1579-T-AZ	1.3100	询价	8	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SSIP			1W	-	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SD1579-T-AZ	EAR99	8541.21.0075	1																				80V	1.5A	1毫安			NPN-达林顿	1.5V@1mA、1A	2000 @ 1A，2V	60兆赫
BCR10CM-12LB-1#BB0	-	询价	5273	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-BCR10CM-12LB-1#BB0			1	单身的												标准	600伏	10A	1.5V	100A@60Hz	30毫安
2SC4783-T1-A	-	询价	9066	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416				SC-75	-				2156-2SC4783-T1-A			1																						10μA（ICBO）			NPN	300毫伏@10毫安，100毫安	90@1mA，6V	250兆赫
2SK2157C-T1-AZ	0.8100	询价	34	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		MP-2	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK2157C-T1-AZ	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	30V	3.5A（塔）	2.5V、4.5V	63毫欧@2A，4.5V	1.5V@1mA	4nC@4V	±12V	260pF@10V	-	2W（塔）
BCR10CM-12LB#BB0	-	询价	7449	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3				TO-220ABS	-				2156-BCR10CM-12LB#BB0			1	单身的												标准	600伏	10A	1.5V	100A@60Hz	30毫安
UPA2706GR-E2-AT	1.1600	询价	19	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2706GR-E2-AT	EAR99	8541.21.0095	1		N沟道	30V	11A（Ta）、20A（Tc）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	3W（Ta）、15W（Tc）
GA4F3M(0)-T1-A	0.0800	询价	63	瑞萨	-	大部分	过时的			表面贴装	SC-70、SOT-323	GA4F3M		150毫W	SC-70	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-GA4F3M(0)-T1-A	EAR99	8541.29.0095	1																				50V	100毫安	100纳安			NPN - 预偏置	200mV@250μA，5mA	50@50mA，5V		2欧姆	2欧姆
RJK5013DPP-E0#T2	4.9400	询价	17号	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK5013DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	61		N沟道	500V	14A（塔）	10V	465毫欧@7A，10V	4.5V@1mA	38nC@10V	±30V	1450pF@25V	-	30W（温度）
2SK3433(0)-Z-E1-AZ	1.3300	询价	第714章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3433(0)-Z-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	40A（温度）	4V、10V	26毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	30nC@10V	±20V	1500pF@10V	-	1.5W（Ta）、47W（Tc）
BCR16CM-12LBJ6#BB0	0.5200	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的									-				2156-BCR16CM-12LBJ6#BB0			第582章
2SJ358C-T1-AZ	0.7700	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA		MOSFET（金属O化物）		MP-2	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SJ358C-T1-AZ	EAR99	8541.21.0075	1		P沟道	60V	3.5A（塔）	4V、10V	143毫欧@2A，10V	2.5V@1mA	12nC@10V	±20V	666pF@10V	-	2W（塔）
HZU2.0BTRF-E	0.0900	询价	32	瑞萨	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU2.0BTRF-E-1833			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²