分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电流 - 反向电流@Vr	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)	噪声系数（dB Typ @ f）
RJH1DF7RDPQ-80#T2	5.6100	询价	400	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		250W	TO-247	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJH1DF7RDPQ-80#T2	EAR99	8541.29.0095	1			600V，35A，5欧姆，15V																			-	1350伏	60A	2.55V@15V，35A	-	58纳秒/144纳秒
RD8.2P(2)-T1-AZ	0.8000	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的										下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD8.2P(2)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	第378章
RJK1001DPP-E0#T2	-	询价	7375	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-				2156-RJK1001DPP-E0#T2			1		N沟道			100伏	80A（塔）	10V	5.5毫欧@40A，10V	4V@1mA	147nC@10V	±20V	10000pF@10V	-	30W（温度）
2SK4178-ZK-E1-AY	0.7100	询价	27号	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK4178-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			30V	48A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1500pF@10V	-	1W（Ta）、33W（Tc）
HZM22NB2TL-E	0.1600	询价	21	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.11%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM22NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																					17V时为2μA								22.01V	55欧姆
HZM18NB2TL-E	0.1600	询价	72	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.2%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM18NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																					13V时为2μA								17.96V	45欧姆
RD68P-T2-AZ	0.3500	询价	13	瑞萨	-	大部分	过时的										-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD68P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1
HZM4.7NB1TR-E	0.1600	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.1%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM4.7NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																					1V时为10μA								4.52V	130欧姆
2SC2721-AZ	-	询价	9912	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SSIP				1W	-	-				2156-2SC2721-AZ			1				-																			60V	700毫安							NPN		90@100mA，1V	110兆赫			-
2SD571(1)-T(ND)-AZ	-	询价	4035	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-2SD571(1)-T(ND)-AZ			1
RJK0225DNS-00#J5	-	询价	9419	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerVDFN			MOSFET（金属O化物）		8-HVSON (3x3.3)	-				2156-RJK0225DNS-00#J5			1		N沟道			25V	30A（塔）	4.5V、10V	7.2毫欧@15A，10V	2.5V@1mA	8.5nC@4.5V	+16V，-12V	10V时为2310pF	-	30W（塔）
UPA2793GR(0)-E1-AZ	1.7100	询价	75	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2793		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA2793GR(0)-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道				40V	7A（塔）		15mOhm @ 3.5A, 10V, 26mOhm @ 3.5A, 10V	2.5V@1mA	10V时为40nC，10V时为45nC		2200pF@10V	-
HZM20NB2TL-E	0.1600	询价	57	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.18%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM20NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																					15V时为2μA								19.96V	50欧姆
RD36FS(0)-T1-AY	-	询价	5281	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD36FS(0)-T1-AY			1
CR08AS-12-ET14#F10	-	询价	3423	瑞萨	-	大部分	的积极										-				2156-CR08AS-12-ET14#F10			1
2SD1581-AZ	-	询价	6243	瑞萨	-	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	3-SSIP					-	-				2156-2SD1581-AZ			1																												100nA（ICBO）			NPN	300mV@10mA，1A	800@500mA，5V	350兆赫
CE2F3P-T-AZ	0.7000	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的			通孔	3-SSIP	CE2F3P			1W	-	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-CE2F3P-T-AZ	EAR99	8541.29.0095	第431章																							60V	2A				100纳安			NPN - 预偏置	-	1000 @ 1A，5V		2.2欧姆	10欧姆
RD33FS(0)-T1-AY	-	询价	7729	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD33FS(0)-T1-AY			1
RKZ27TWAQE#H1	-	询价	5064	瑞萨	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RKZ27TWAQE#H1-1833			1
RD22FS(0)-T1-AY	-	询价	2260	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD22FS(0)-T1-AY			1
RD10P-T1-AZ	0.3500	询价	38	瑞萨	-	大部分	过时的	±6%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD10P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																					7V时为10μA								10V	20欧姆
2SA1871-T1-AZ	0.8100	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				2W	MP-2	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SA1871-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																							600伏	1A				10μA（ICBO）			国民党	1V@60mA、300mA	30@100mA，5V	30兆赫兹
RD5.6P-T1-AZ	0.2200	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.25%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W	SOT-89	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD5.6P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																					1.5V时为20μA								5.6V	40欧姆
RJK0703DPP-E0#T2	-	询价	9258	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-				2156-RJK0703DPP-E0#T2			1		N沟道			75V	70A（塔）	10V	6.7毫欧@35A，10V	4V@1mA	56nC@10V	±20V	4150pF@10V	-	25W（温度）
2SK4070-ZK-E1-AY	-	询价	4128	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-				2156-2SK4070-ZK-E1-AY			1		N沟道			600伏	1A（温度）	10V	11欧姆@500mA，10V	3.5V@1mA	5nC@10V	±30V	110pF@10V	-	1W（Ta）、22W（Tc）
2SJ162-E	-	询价	第1385章	瑞萨	-	大部分	的积极		150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3P	-				2156-2SJ162-E			1		P沟道			160伏	7A（塔）	10V	-	1.45V@100mA		±15V	900pF@10V	-	100W（温度）
RD13P(1)-T1-AZ	0.3900	询价	19	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.54%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				1W		下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD13P(1)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																					10V时为10μA								13伏	30欧姆
BCR20CM-12LB#BB0	1.7300	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3					TO-220ABS	-				2156-BCR20CM-12LB#BB0			174	单身的														标准	600伏	20A	1.5V	200A@60Hz	30毫安
RD22FM(0)-T1-AY	-	询价	7445	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-RD22FM(0)-T1-AY			1
HZM24NB2TR-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.19%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM24NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																					19V时为2μA								24.25V	60欧姆

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²