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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 测试条件 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电流 - 反向电流@Vr IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2) 噪声系数(dB Typ @ f)
RJH1DF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1DF7RDPQ-80#T2 5.6100
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ECAD 400 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 250W TO-247 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJH1DF7RDPQ-80#T2 EAR99 8541.29.0095 1 600V,35A,5欧姆,15V - 1350伏 60A 2.55V@15V,35A - 58纳秒/144纳秒
RD8.2P(2)-T1-AZ Renesas RD8.2P(2)-T1-AZ 0.8000
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD8.2P(2)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 第378章
RJK1001DPP-E0#T2 Renesas RJK1001DPP-E0#T2 -
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ECAD 7375 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 2156-RJK1001DPP-E0#T2 1 N沟道 100伏 80A(塔) 10V 5.5毫欧@40A,10V 4V@1mA 147nC@10V ±20V 10000pF@10V - 30W(温度)
2SK4178-ZK-E1-AY Renesas 2SK4178-ZK-E1-AY 0.7100
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ECAD 27号 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZK) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK4178-ZK-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 48A(温度) 4.5V、10V 9毫欧@30A,10V 2.5V@250μA 24nC@10V ±20V 1500pF@10V - 1W(Ta)、33W(Tc)
HZM22NB2TL-E Renesas HZM22NB2TL-E 0.1600
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ECAD 21 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.11% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM22NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 17V时为2μA 22.01V 55欧姆
HZM18NB2TL-E Renesas HZM18NB2TL-E 0.1600
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ECAD 72 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.2% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM18NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 13V时为2μA 17.96V 45欧姆
RD68P-T2-AZ Renesas RD68P-T2-AZ 0.3500
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ECAD 13 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD68P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1
HZM4.7NB1TR-E Renesas HZM4.7NB1TR-E 0.1600
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.1% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM4.7NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1 1V时为10μA 4.52V 130欧姆
2SC2721-AZ Renesas 2SC2721-AZ -
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ECAD 9912 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SSIP 1W - - 2156-2SC2721-AZ 1 - 60V 700毫安 NPN 90@100mA,1V 110兆赫 -
2SD571(1)-T(ND)-AZ Renesas 2SD571(1)-T(ND)-AZ -
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ECAD 4035 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SD571(1)-T(ND)-AZ 1
RJK0225DNS-00#J5 Renesas RJK0225DNS-00#J5 -
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ECAD 9419 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-PowerVDFN MOSFET(金属O化物) 8-HVSON (3x3.3) - 2156-RJK0225DNS-00#J5 1 N沟道 25V 30A(塔) 4.5V、10V 7.2毫欧@15A,10V 2.5V@1mA 8.5nC@4.5V +16V,-12V 10V时为2310pF - 30W(塔)
UPA2793GR(0)-E1-AZ Renesas UPA2793GR(0)-E1-AZ 1.7100
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ECAD 75 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) UPA2793 MOSFET(金属O化物) 2W(塔) 8-SOP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA2793GR(0)-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N 和 P 沟道 40V 7A(塔) 15mOhm @ 3.5A, 10V, 26mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V@1mA 10V时为40nC,10V时为45nC 2200pF@10V -
HZM20NB2TL-E Renesas HZM20NB2TL-E 0.1600
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ECAD 57 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.18% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM20NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 15V时为2μA 19.96V 50欧姆
RD36FS(0)-T1-AY Renesas RD36FS(0)-T1-AY -
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ECAD 5281 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD36FS(0)-T1-AY 1
CR08AS-12-ET14#F10 Renesas CR08AS-12-ET14#F10 -
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ECAD 3423 0.00000000 瑞萨 - 大部分 的积极 - 2156-CR08AS-12-ET14#F10 1
2SD1581-AZ Renesas 2SD1581-AZ -
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ECAD 6243 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 3-SSIP - - 2156-2SD1581-AZ 1 100nA(ICBO) NPN 300mV@10mA,1A 800@500mA,5V 350兆赫
CE2F3P-T-AZ Renesas CE2F3P-T-AZ 0.7000
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 通孔 3-SSIP CE2F3P 1W - - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-CE2F3P-T-AZ EAR99 8541.29.0095 第431章 60V 2A 100纳安 NPN - 预偏置 - 1000 @ 1A,5V 2.2欧姆 10欧姆
RD33FS(0)-T1-AY Renesas RD33FS(0)-T1-AY -
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ECAD 7729 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD33FS(0)-T1-AY 1
RKZ27TWAQE#H1 Renesas RKZ27TWAQE#H1 -
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ECAD 5064 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-RKZ27TWAQE#H1-1833 1
RD22FS(0)-T1-AY Renesas RD22FS(0)-T1-AY -
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ECAD 2260 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD22FS(0)-T1-AY 1
RD10P-T1-AZ Renesas RD10P-T1-AZ 0.3500
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ECAD 38 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD10P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 7V时为10μA 10V 20欧姆
2SA1871-T1-AZ Renesas 2SA1871-T1-AZ 0.8100
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ECAD 5 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 2W MP-2 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SA1871-T1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 600伏 1A 10μA(ICBO) 国民党 1V@60mA、300mA 30@100mA,5V 30兆赫兹
RD5.6P-T1-AZ Renesas RD5.6P-T1-AZ 0.2200
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.25% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W SOT-89 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD5.6P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 1.5V时为20μA 5.6V 40欧姆
RJK0703DPP-E0#T2 Renesas RJK0703DPP-E0#T2 -
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ECAD 9258 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 2156-RJK0703DPP-E0#T2 1 N沟道 75V 70A(塔) 10V 6.7毫欧@35A,10V 4V@1mA 56nC@10V ±20V 4150pF@10V - 25W(温度)
2SK4070-ZK-E1-AY Renesas 2SK4070-ZK-E1-AY -
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ECAD 4128 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZK) - 2156-2SK4070-ZK-E1-AY 1 N沟道 600伏 1A(温度) 10V 11欧姆@500mA,10V 3.5V@1mA 5nC@10V ±30V 110pF@10V - 1W(Ta)、22W(Tc)
2SJ162-E Renesas 2SJ162-E -
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ECAD 第1385章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 的积极 150℃ 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 MOSFET(金属O化物) TO-3P - 2156-2SJ162-E 1 P沟道 160伏 7A(塔) 10V - 1.45V@100mA ±15V 900pF@10V - 100W(温度)
RD13P(1)-T1-AZ Renesas RD13P(1)-T1-AZ 0.3900
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ECAD 19 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.54% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 1W 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD13P(1)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10V时为10μA 13伏 30欧姆
BCR20CM-12LB#BB0 Renesas BCR20CM-12LB#BB0 1.7300
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR20CM-12LB#BB0 174 单身的 标准 600伏 20A 1.5V 200A@60Hz 30毫安
RD22FM(0)-T1-AY Renesas RD22FM(0)-T1-AY -
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ECAD 7445 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD22FM(0)-T1-AY 1
HZM24NB2TR-E Renesas HZM24NB2TR-E 0.1600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.19% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM24NB2TR-E EAR99 8541.10.0050 1 19V时为2μA 24.25V 60欧姆
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