分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电流 - 反向电流@Vr	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	噪声系数（dB Typ @ f）
RD10P-T1-AZ	0.3500	询价	38	瑞萨	-	大部分	过时的	±6%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD10P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1															7V时为10μA								10V	20欧姆
2SK2858(0)-T1-AT	-	询价	4525	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-2SK2858(0)-T1-AT			1
1SS270ATD-E	1.0000	询价	7815	瑞萨	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-1SS270ATD-E-1833			1
RD30P-T1-AZ	0.3300	询价	72	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.67%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD30P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1															10μA@23V								30V	80欧姆
HZM5.6NB2TL-E	0.1600	询价	49	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.14%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM5.6NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1															2.5V时为5μA								5.61V	80欧姆
T1900N16TOFVTXPSA1	413.0600	询价	4	瑞萨	-	大部分	的积极										-				2156-T1900N16TOFVTXPSA1			1
RKZ27TWAQE#H1	-	询价	5064	瑞萨	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RKZ27TWAQE#H1-1833			1
2SC3380ASTR-E	0.3300	询价	16	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W	尤帕克	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SC3380ASTR-E	EAR99	8541.29.0095	1																	300伏	100毫安				1微安			NPN	1.5V@2mA、20mA	30@20mA，20V	80兆赫
2SK2925L06-E	-	询价	6499	瑞萨	-	大部分	过时的										-				2156-2SK2925L06-E			1
RD12P(0)-T1-AZ	0.4000	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的	±5%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD12P(0)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1															9V时为10μA								12V	25欧姆
HZU27B-JTRF-E	0.0700	询价	24	瑞萨	*	大部分	的积极										下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU27B-JTRF-E-1833			1
RD8.2P-T2-AZ	0.3500	询价	18	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.1%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD8.2P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1															5V时为20μA								8.2V	15欧姆
HZU2.4BTRF-E	0.1300	询价	15	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.12%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-76A				200毫W	2-URP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZU2.4BTRF-E	EAR99	8541.10.0050	1															1V时为120μA								2.45V	100欧姆
RJH1DF7RDPQ-80#T2	5.6100	询价	400	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		250W	TO-247	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJH1DF7RDPQ-80#T2	EAR99	8541.29.0095	1			600V，35A，5欧姆，15V													-	1350伏	60A	2.55V@15V，35A	-	58纳秒/144纳秒
RD33P-T1-AZ	-	询价	2271	瑞萨	-	大部分	过时的	±6.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA				1W		-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD33P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1															10μA@25V								33V	80欧姆
RD8.2P(2)-T1-AZ	0.8000	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的										下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD8.2P(2)-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	第378章
RJK1001DPP-E0#T2	-	询价	7375	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-				2156-RJK1001DPP-E0#T2			1		N沟道			100V	80A（塔）	10V	5.5毫欧@40A，10V	4V@1mA	147nC@10V	±20V	10000pF@10V	-	30W（温度）
2SK4178-ZK-E1-AY	0.7100	询价	27	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3ZK)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK4178-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			30V	48A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@30A，10V	2.5V@250μA	24nC@10V	±20V	1500pF@10V	-	1W（Ta）、33W（Tc）
HZM22NB2TL-E	0.1600	询价	21	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.11%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM22NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1															17V时为2μA								22.01V	55欧姆
HZM4.7NB1TR-E	0.1600	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.1%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM4.7NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1															1V时为10μA								4.52V	130欧姆
2SC2721-AZ	-	询价	9912	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SSIP				1W	-	-				2156-2SC2721-AZ			1				-													60V	700毫安							NPN		90@100mA，1V	110兆赫	-
RD68P-T2-AZ	0.3500	询价	13	瑞萨	-	大部分	过时的										-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RD68P-T2-AZ	EAR99	8541.10.0050	1
HZM18NB2TL-E	0.1600	询价	72	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.2%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM18NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1															13V时为2μA								17.96V	45欧姆
UPA2793GR(0)-E1-AZ	1.7100	询价	75	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	UPA2793		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA2793GR(0)-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1	N 和 P 沟道				40V	7A（塔）		15mOhm @ 3.5A, 10V, 26mOhm @ 3.5A, 10V	2.5V@1mA	10V时为40nC，10V时为45nC		2200pF@10V	-
2SK3433(0)-Z-E1-AZ	1.3300	询价	第714章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3433(0)-Z-E1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			60V	40A（温度）	4V、10V	26毫欧@20A，10V	2.5V@1mA	30nC@10V	±20V	1500pF@10V	-	1.5W（Ta）、47W（Tc）
CR08AS-12-ET14#F10	-	询价	3423	瑞萨	-	大部分	的积极										-				2156-CR08AS-12-ET14#F10			1
HZM20NB2TL-E	0.1600	询价	57	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.18%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3				200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM20NB2TL-E	EAR99	8541.10.0050	1															15V时为2μA								19.96V	50欧姆
2SK3402-Z-E1-AZ	-	询价	1817	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-				2156-2SK3402-Z-E1-AZ			1		N沟道			60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
HAT2196C-EL-E	0.2600	询价	18	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入			MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT2196C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			20V	2.5A（塔）	2.5V、4.5V	58毫欧@1.3A，4.5V	1.4V@1mA	2.8nC@4.5V	±12V	270pF@10V	-	850毫W（塔）
UPA1740TP-E1-AZ	1.7300	询价	第282章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1740TP-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道			200V	7A（温度）	10V	440毫欧@3.5A，10V	4.5V@1mA	12nC@10V	±30V	420pF@10V	-	1W（Ta）、22W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²