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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 测试条件 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电流 - 反向电流@Vr IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 噪声系数(dB Typ @ f)
RD10P-T1-AZ Renesas RD10P-T1-AZ 0.3500
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ECAD 38 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD10P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 7V时为10μA 10V 20欧姆
2SK2858(0)-T1-AT Renesas 2SK2858(0)-T1-AT -
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ECAD 4525 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK2858(0)-T1-AT 1
1SS270ATD-E Renesas 1SS270ATD-E 1.0000
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ECAD 7815 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 供应商未定义 2156-1SS270ATD-E-1833 1
RD30P-T1-AZ Renesas RD30P-T1-AZ 0.3300
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ECAD 72 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.67% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD30P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10μA@23V 30V 80欧姆
HZM5.6NB2TL-E Renesas HZM5.6NB2TL-E 0.1600
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ECAD 49 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.14% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM5.6NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 2.5V时为5μA 5.61V 80欧姆
T1900N16TOFVTXPSA1 Renesas T1900N16TOFVTXPSA1 413.0600
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ECAD 4 0.00000000 瑞萨 - 大部分 的积极 - 2156-T1900N16TOFVTXPSA1 1
RKZ27TWAQE#H1 Renesas RKZ27TWAQE#H1 -
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ECAD 5064 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-RKZ27TWAQE#H1-1833 1
2SC3380ASTR-E Renesas 2SC3380ASTR-E 0.3300
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ECAD 16 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W 尤帕克 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SC3380ASTR-E EAR99 8541.29.0095 1 300伏 100毫安 1微安 NPN 1.5V@2mA、20mA 30@20mA,20V 80兆赫
2SK2925L06-E Renesas 2SK2925L06-E -
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ECAD 6499 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK2925L06-E 1
RD12P(0)-T1-AZ Renesas RD12P(0)-T1-AZ 0.4000
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ECAD 12 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD12P(0)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 9V时为10μA 12V 25欧姆
HZU27B-JTRF-E Renesas HZU27B-JTRF-E 0.0700
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ECAD 24 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZU27B-JTRF-E-1833 1
RD8.2P-T2-AZ Renesas RD8.2P-T2-AZ 0.3500
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ECAD 18 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.1% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD8.2P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1 5V时为20μA 8.2V 15欧姆
HZU2.4BTRF-E Renesas HZU2.4BTRF-E 0.1300
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ECAD 15 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.12% 150°C(太焦) 表面贴装 SC-76A 200毫W 2-URP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZU2.4BTRF-E EAR99 8541.10.0050 1 1V时为120μA 2.45V 100欧姆
RJH1DF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1DF7RDPQ-80#T2 5.6100
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ECAD 400 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 250W TO-247 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJH1DF7RDPQ-80#T2 EAR99 8541.29.0095 1 600V,35A,5欧姆,15V - 1350伏 60A 2.55V@15V,35A - 58纳秒/144纳秒
RD33P-T1-AZ Renesas RD33P-T1-AZ -
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ECAD 2271 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.06% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD33P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 10μA@25V 33V 80欧姆
RD8.2P(2)-T1-AZ Renesas RD8.2P(2)-T1-AZ 0.8000
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ECAD 2 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD8.2P(2)-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 第378章
RJK1001DPP-E0#T2 Renesas RJK1001DPP-E0#T2 -
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ECAD 7375 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 2156-RJK1001DPP-E0#T2 1 N沟道 100V 80A(塔) 10V 5.5毫欧@40A,10V 4V@1mA 147nC@10V ±20V 10000pF@10V - 30W(温度)
2SK4178-ZK-E1-AY Renesas 2SK4178-ZK-E1-AY 0.7100
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ECAD 27 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZK) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK4178-ZK-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 48A(温度) 4.5V、10V 9毫欧@30A,10V 2.5V@250μA 24nC@10V ±20V 1500pF@10V - 1W(Ta)、33W(Tc)
HZM22NB2TL-E Renesas HZM22NB2TL-E 0.1600
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ECAD 21 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.11% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM22NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 17V时为2μA 22.01V 55欧姆
HZM4.7NB1TR-E Renesas HZM4.7NB1TR-E 0.1600
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.1% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM4.7NB1TR-E EAR99 8541.10.0050 1 1V时为10μA 4.52V 130欧姆
2SC2721-AZ Renesas 2SC2721-AZ -
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ECAD 9912 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SSIP 1W - - 2156-2SC2721-AZ 1 - 60V 700毫安 NPN 90@100mA,1V 110兆赫 -
RD68P-T2-AZ Renesas RD68P-T2-AZ 0.3500
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ECAD 13 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD68P-T2-AZ EAR99 8541.10.0050 1
HZM18NB2TL-E Renesas HZM18NB2TL-E 0.1600
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ECAD 72 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.2% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM18NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 13V时为2μA 17.96V 45欧姆
UPA2793GR(0)-E1-AZ Renesas UPA2793GR(0)-E1-AZ 1.7100
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ECAD 75 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) UPA2793 MOSFET(金属O化物) 2W(塔) 8-SOP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA2793GR(0)-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N 和 P 沟道 40V 7A(塔) 15mOhm @ 3.5A, 10V, 26mOhm @ 3.5A, 10V 2.5V@1mA 10V时为40nC,10V时为45nC 2200pF@10V -
2SK3433(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3433(0)-Z-E1-AZ 1.3300
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ECAD 第714章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263、TO-220SMD - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3433(0)-Z-E1-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 40A(温度) 4V、10V 26毫欧@20A,10V 2.5V@1mA 30nC@10V ±20V 1500pF@10V - 1.5W(Ta)、47W(Tc)
CR08AS-12-ET14#F10 Renesas CR08AS-12-ET14#F10 -
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ECAD 3423 0.00000000 瑞萨 - 大部分 的积极 - 2156-CR08AS-12-ET14#F10 1
HZM20NB2TL-E Renesas HZM20NB2TL-E 0.1600
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ECAD 57 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.18% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM20NB2TL-E EAR99 8541.10.0050 1 15V时为2μA 19.96V 50欧姆
2SK3402-Z-E1-AZ Renesas 2SK3402-Z-E1-AZ -
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ECAD 1817 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3Z) - 2156-2SK3402-Z-E1-AZ 1 N沟道 60V 36A(温度) 4V、10V 15毫欧@18A,10V 2.5V@1mA 61nC@10V ±20V 3200pF@10V - 1W(Ta)、40W(Tc)
HAT2196C-EL-E Renesas HAT2196C-EL-E 0.2600
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ECAD 18 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT2196C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 20V 2.5A(塔) 2.5V、4.5V 58毫欧@1.3A,4.5V 1.4V@1mA 2.8nC@4.5V ±12V 270pF@10V - 850毫W(塔)
UPA1740TP-E1-AZ Renesas UPA1740TP-E1-AZ 1.7300
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ECAD 第282章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-HSOP 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA1740TP-E1-AZ EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 200V 7A(温度) 10V 440毫欧@3.5A,10V 4.5V@1mA 12nC@10V ±30V 420pF@10V - 1W(Ta)、22W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库