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离散半导体产品（（447）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
RJH1DF7RDPQ-80 ＃T2	5.6100	RFQ	400	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		250 w	TO-247	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJH1DF7RDPQ-80 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1					600V，35A，5OHM，15V																									-	1350 v	60 a	2.55V @ 15V，35a	-	58NS/144NS
2SK3714-S12-AZ	2.0100	RFQ	139	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3隔离选项卡			MOSFET （金属 o化物）		MP-45F	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3714-S12-AZ	Ear99	8541.29.0075	1			n通道			60 V	50A（TC）	4V，10V	13mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
FS20LM-5A-E4 ＃C02	-	RFQ	1938年	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-FS20LM-5A-E4 ＃C02			1
2SK3654W-S17-AY	-	RFQ	4030	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-2SK3654W-S17-AY			1
2SB605-AZ	-	RFQ	2348	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	3-SSIP					-	-				2156-2SB605-AZ			1																																				100NA（ICBO）			PNP	350mv @ 50mA，500mA	90 @ 100mA，1V	120MHz
BCR20km-12 磅＃B01	1.8500	RFQ	9	肾脏	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					TO-220FN	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-BCR20km-12 磅＃B01	Ear99	8541.30.0080	1	单身的															标准	600 v	20 a	1.5 v	200a @ 60Hz	30 ma
2SK2461-AZ	2.9800	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡			MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK2461-AZ	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			100 v	20A（TA）	4V，10V	80Mohm @ 10a，10v	2V @ 1mA	51 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 10 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
5p4j-Z-e2-az	1.2300	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					TO-252，（-d-pak）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-5P4J-Z-e2-az	Ear99	8541.30.0080	245				1 MA													400 v					1.6 v	标准恢复
2SD1579-T-AZ	1.3100	RFQ	8	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	3-SSIP				1 w	-	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SD1579-T-AZ	Ear99	8541.21.0075	1																															80 V	1.5 a				1ma			npn-达灵顿	1.5V @ 1mA，1a	2000 @ 1A，2V	60MHz
HZM18NB2TR-E	0.1600	RFQ	117	肾脏	-	大部分	过时的	±2.2％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM18NB2TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																										2 µA @ 13 V											17.96 v	45欧姆
2SK3326 （2）-az	-	RFQ	1431	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-2SK3326（2）-2			1
RD13P （1）-t1-az	0.3900	RFQ	19	肾脏	-	大部分	过时的	±6.54％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				1 w		下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-rd13p （1）-t1-az	Ear99	8541.10.0050	1																										10 µA @ 10 V											13 V	30欧姆
2SK3714（0）-S12-AZ	2.3600	RFQ	7	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3隔离选项卡			MOSFET （金属 o化物）		MP-45F	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3714（0）-s12-az	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			60 V	50A（TC）	4V，10V	13mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	60 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	2W（TA），35W（tc）（TC）
RD6.2P-T1-AZ	0.3500	RFQ	29	肾脏	-	大部分	过时的	±6.45％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD6.2P-T1-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																										20 µA @ 3 V											6.2 v	10欧姆
2SK425-T1B-A	-	RFQ	8928	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-2SK425-T1B-A			1
GA1A4Z-T1-A	0.1100	RFQ	11	肾脏	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	Ga1a4z			150兆	SC-70	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-GA1A4Z-T1-A	Ear99	8541.29.0095	2,719																															50 V	100 ma				100NA			npn-预先偏见	200mv @ 250µA，5mA	135 @ 5mA，5V		10 kohms
RKZ18TJKG＃p1	0.0900	RFQ	402	肾脏	*	大部分	积极的										-		供应商不确定	到达不受影响	2156-RKZ18TJKG ＃P1-1833			1
GA4F3M（0）-t1-a	0.0800	RFQ	63	肾脏	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	GA4F3M			150兆	SC-70	下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-GA4F3M（0）-t1-a	Ear99	8541.29.0095	1																															50 V	100 ma				100NA			npn-预先偏见	200mv @ 250µA，5mA	50 @ 50mA，5V		2个科姆斯	2个科姆斯
RJK0225DNS-00＃j5	-	RFQ	9419	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hvson（3x3.3）	-				2156-RJK0225DNS-00＃j5			1			n通道			25 v	30a（TA）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 15A，10V	2.5V @ 1mA	8.5 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	2310 pf @ 10 V	-	30W（TA）
2SC4783-T1-A	-	RFQ	9066	肾脏	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416					SC-75	-				2156-2SC4783-T1-A			1																																				10µA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	90 @ 1mA，6v	250MHz
2SK3402-Z-e1-az	-	RFQ	1817年	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	-				2156-2SK3402-Z-e1-az			1			n通道			60 V	36a（TC）	4V，10V	15mohm @ 18a，10v	2.5V @ 1mA	61 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 10 V	-	1W（ta），40W（40W）TC）
HZM4.3NB2TL-E	0.1600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	±2.24％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM4.3NB2TL-E	Ear99	8541.10.0050	1																										10 µA @ 1 V											4.25 v	130欧姆
HZM4.7NB1TR-E	0.1600	RFQ	9	肾脏	-	大部分	过时的	±2.1％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM4.7NB1TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																										10 µA @ 1 V											4.52 v	130欧姆
RKR104BKH ＃P1	0.1700	RFQ	92	肾脏	-	大部分	过时的			表面安装	2-SMD，平坦的铅			肖特基		turp	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RKR104BKH ＃P1	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						40 V	550 MV @ 700 mA	50 µA @ 40 V	150°C	1a	35pf @ 10V，1MHz
HVL147M1PRF-E	-	RFQ	3530	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-HVL147M1PRF-E			1
HZM24NB2TR-E	0.1600	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的	±2.19％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM24NB2TR-E	Ear99	8541.10.0050	1																										2 µA @ 19 V											24.25 v	60欧姆
HZU4.3B2TRF-E	0.0900	RFQ	18	肾脏	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HZU4.3B2TRF-E-1833			1
RD33P-T1-AZ	-	RFQ	2271	肾脏	-	大部分	过时的	±6.06％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD33P-T1-AZ	Ear99	8541.10.0050	1																										10 µA @ 25 V											33 V	80欧姆
RD43P-T1-AZ	-	RFQ	1155	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-RD43P-T1-AZ			1
rd33fs （0）-t1-ay	-	RFQ	7729	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-RD33FS （0）-t1-ay			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（447）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²