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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 电流 - 保持 (Ih)(最大) | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 多种可控硅类型 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电压-感应触发(Vgt)(最大) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) | 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) | 当前 - 关闭状态(最大) | 可控硅类型 | 电流 - 反向电流@Vr | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 | 电阻器 - 基极 (R1) | 电阻器 - 发射极基极 (R2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HZU4.7B2JTRF-E | 0.0900 | ![]() | 第372章 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | 供应商未定义 | 2156-HZU4.7B2JTRF-E-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1760G-E1-AT | 1.6000 | ![]() | 80 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | UPA1760 | MOSFET(金属O化物) | 2W(塔) | 8-SOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA1760G-E1-AT | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 2 个 N 沟道(双) | 30V | 8A(塔) | 26毫欧@4A,10V | 2.5V@1mA | 14nC@10V | 760pF@10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | KA4L4M(0)-T1-A | - | ![]() | 2905 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 表面贴装 | SC-75、SOT-416 | 200毫W | SC-75 | - | 2156-KA4L4M(0)-T1-A | 1 | 50V | 100毫安 | 100nA(ICBO) | NPN - 预偏置 | 200mV@250μA,5mA | 85@50mA,5V | 47欧姆 | 47欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC1623B-T1B-AT | - | ![]() | 3602 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SC1623B-T1B-AT | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD24F-AZ | 0.2400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-RD24F-AZ-1833 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ494-AZ | 1.0000 | ![]() | 3579 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3隔离片 | MOSFET(金属O化物) | MP-45F | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SJ494-AZ | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | P沟道 | 60V | 20A(塔) | 4V、10V | 50毫欧@10A,10V | 2V@1mA | 74nC@10V | ±20V | 2360pF@10V | - | 2W(Ta)、35W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2055-T1-AZ | - | ![]() | 5339 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-243AA | MOSFET(金属O化物) | MP-2 | - | 2156-2SK2055-T1-AZ | 1 | N沟道 | 100V | 2A(塔) | 4V、10V | 350mOhm@1A,10V | 2V@1mA | ±20V | 650pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2790GR-E1-AT | 0.9400 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | UPA2790 | MOSFET(金属O化物) | 1.7W(塔) | 8-SOP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-UPA2790GR-E1-AT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N 和 P 沟道 | 30V | 6A(塔) | 28毫欧@3A、10V、60毫欧@3A、10V | 2.5V@1mA | 12.6nC@10V,11nC@10V | 500pF@10V,460pF@10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ532-E | 1.9900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220CFM | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SJ532-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 60V | 20A(塔) | 4V、10V | 55mOhm@10A,10V | 2V@1mA | ±20V | 1750pF@10V | - | 30W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1902TE-T1-AT | 0.3000 | ![]() | 111 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | SC-95 | MOSFET(金属O化物) | SC-95 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA1902TE-T1-AT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 30V | 7A(塔) | 4.5V、10V | 22毫欧@3.5A,10V | 2.5V@1mA | 8nC@5V | ±20V | 780pF@10V | - | 200毫W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD47P-T2-AZ | 0.4300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD47P-T2-AZ | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD4.7UM-T1-AT | - | ![]() | 9393 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-RD4.7UM-T1-AT | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU2.2BTRF-E | 0.1300 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±6.67% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-76A | 200毫W | 2-URP | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZU2.2BTRF-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 700mV时为120μA | 2.25V | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2782GR-E1-A | 1.7700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA2782GR-E1-A | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 30V | 11A(塔) | 4V、10V | 15毫欧@5.5A,10V | 2.5V@1mA | 7.1nC@5V | ±20V | 660pF@10V | - | 2W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR16CM-12LBAP#BB0 | 3.2000年 | ![]() | 第376章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-BCR16CM-12LBAP#BB0 | 94 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT2195R-EL-E | - | ![]() | 1128 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -55℃~150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-SOP | - | 2156-HAT2195R-EL-E | 1 | N沟道 | 30V | 18A | 4.5V、10V | 5.8毫欧@9A,10V | 2.5V@1mA | 23nC@4.5V | ±20V | 3400pF@10V | - | 2.5W | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP32N055SLE-E1-AY | - | ![]() | 1281 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252 (MP-3ZK) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP32N055SLE-E1-AY | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 55V | 32A(塔) | 4.5V、10V | 24毫欧@16A,10V | 2.5V@250μA | 41nC@10V | ±20V | 2000pF@25V | - | 1.2W(Ta)、66W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2112W-T1-AZ | - | ![]() | 5869 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-2SK2112W-T1-AZ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3899(0)-ZK-E1-AY | - | ![]() | 6127 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263-3 | - | 2156-2SK3899(0)-ZK-E1-AY | 1 | N沟道 | 60V | 84A(温度) | 4.5V、10V | 5.3毫欧@42A,10V | 2.5V@1mA | 96nC@10V | ±20V | 5500pF@10V | - | 1.5W(塔)、146W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP110N055PUJ-E1B-AY | 5.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263-3 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP110N055PUJ-E1B-AY | EAR99 | 8541.21.0095 | 51 | N沟道 | 55V | 110A(温度) | 10V | 2.4毫欧@55A,10V | 4V@250μA | 230nC@10V | ±20V | 14250pF@25V | - | 1.8W(Ta)、288W(Tc) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT2205C-EL-E | 0.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 6-SMD,写入 | MOSFET(金属O化物) | 6-CMFPAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-HAT2205C-EL-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 12V | 3A(塔) | 1.8V、4.5V | 50毫欧@1.5A,4.5V | 1.2V@1mA | 6nC@4.5V | ±8V | 430pF@10V | - | 200毫W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD5.1P-T1-AZ | 0.2100 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±5.88% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | 1W | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RD5.1P-T1-AZ | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1V时为20μA | 5.1V | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA1611(0)-T1-A | - | ![]() | 1026 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | SC-70 | - | 2156-2SA1611(0)-T1-A | 1 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 300毫伏@10毫安,100毫安 | 90@1mA,6V | 180兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RKZ27TJKG#P1 | 0.1100 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RKZ27TJKG#P1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR16CM-12LB#BB0 | 0.1000 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220ABS | - | 2156-BCR16CM-12LB#BB0 | 2,996 | 单身的 | 标准 | 600伏 | 16A | 1.5V | 170A@60Hz | 30毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0601DPN-E0#T2 | 3.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220ABS | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJK0601DPN-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 110A(塔) | 10V | 3.1毫欧@55A,10V | 4V@1mA | 141nC@10V | ±20V | 10000pF@10V | - | 200W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3AS-8UE#B00 | - | ![]() | 1222 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MP-3A | - | 2156-CR3AS-8UE#B00 | 1 | 5毫安 | 400伏 | 4A | 800毫伏 | 40A@50Hz | 100微安 | 1.4V | 3A | 1毫安 | 标准回报率 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM11NB3TR-E | 0.1500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.03% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM11NB3TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8V时为2μA | 11.33V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB798(0)-T1-AZ | - | ![]() | 2144 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | SC-62 | - | 2156-2SB798(0)-T1-AZ | 1 | 100nA(ICBO) | 国民党 | 400mV@100mA,1A | 90@100mA,1V | 110兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU6.2B2TRF-EQ | 0.0500 | ![]() | 177 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-HZU6.2B2TRF-EQ-1833 | 1 |
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