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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) 当前 - 关闭状态(最大) 可控硅类型 电流 - 反向电流@Vr 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
NP88N075EUE-E2-AY Renesas NP88N075EUE-E2-AY 4.8900
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263-3 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP88N075EUE-E2-AY EAR99 8541.29.0095 62 N沟道 75V 88A(温度) 10V 8.5毫欧@44A,10V 4V@250μA 230nC@10V ±20V 12300pF@25V - 1.8W(Ta)、288W(Tc)
HZM12NB3TL-E Renesas HZM12NB3TL-E 0.1500
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ECAD 87 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.11% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM12NB3TL-E EAR99 8541.10.0050 1 9V时为2μA 12.34V 35欧姆
2SK3480(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3480(0)-Z-E1-AZ -
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ECAD 第2272章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263、TO-220SMD - 2156-2SK3480(0)-Z-E1-AZ 1 N沟道 100V 50A(温度) 4.5V、10V 31毫欧@25A,10V 2.5V@1mA 74nC@10V ±20V 3600pF@10V - 1.5W(Ta)、84W(Tc)
BCR8AS-14LJ#B01 Renesas BCR8AS-14LJ#B01 -
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ECAD 7350 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MP-3A - 2156-BCR8AS-14LJ#B01 1 单身的 标准 700伏 8A 1.5V 80A@50Hz 30毫安
RD6.8FS(0)-T1-AY Renesas RD6.8FS(0)-T1-AY 0.3000
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ECAD 750 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-RD6.8FS(0)-T1-AY-1833 1
2SK3357-A Renesas 2SK3357-A 4.0400
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ECAD 294 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-3P-3、SC-65-3 MOSFET(金属O化物) TO-3P (MP-88) - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-2SK3357-A EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 60V 75A(塔) 4V、10V 5.8毫欧@38A,10V 2.5V@1mA 170nC@10V ±20V 9800pF@10V - 3W(Ta)、150W(Tc)
UPA2701WTP-E1-AZ Renesas UPA2701WTP-E1-AZ -
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ECAD 8096 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-UPA2701WTP-E1-AZ 1
NP75N04YUG-E1-AY Renesas NP75N04YUG-E1-AY -
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ECAD 1050 0.00000000 瑞萨 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 175℃ 表面贴装 8-SMD、裸露焊盘 MOSFET(金属O化物) 8-HSON - 2156-NP75N04YUG-E1-AY 1 N沟道 40V 75A(温度) 10V 4.8毫欧@37.5A,10V 4V@250μA 116nC@10V ±20V 6450pF@25V - 1W(Ta)、138W(Tc)
UPA1808GR-9JG-E1-A Renesas UPA1808GR-9JG-E1-A 0.6000
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-PowerTSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8 电源 TSSOP 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA1808GR-9JG-E1-A EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 30V 9.5A(塔) 4V、10V 17毫欧@5A,10V 2.5V@1mA 13nC@10V ±20V 660pF@10V - 2W(塔)
UPA2730TP-E2-AZ Renesas UPA2730TP-E2-AZ 0.9900
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ECAD 25 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-HSOP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA2730TP-E2-AZ EAR99 8541.29.0095 305 P沟道 30V 20A(Ta)、42A(Tc) 4V、10V 7毫欧@7.5A,10V 2.5V@1mA 97nC@10V ±20V 4670pF@10V - 3W(Ta)、40W(Tc)
NP80N06MLG-S18-AY Renesas NP80N06MLG-S18-AY 2.0000
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ECAD 22号 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) MP-25K 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP80N06MLG-S18-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 80A(温度) 4.5V、10V 8.6毫欧@40A,10V 2.5V@250μA 128nC@10V ±20V 6900pF@25V - 1.8W(Ta)、115W(Tc)
2SK3434(0)-Z-E1-AZ Renesas 2SK3434(0)-Z-E1-AZ -
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ECAD 7024 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263、TO-220SMD - 2156-2SK3434(0)-Z-E1-AZ 1 N沟道 60V 48A(温度) 4V、10V 20毫欧@24A,10V 2.5V@1mA 40nC@10V ±20V 2100pF@10V - 1.5W(Ta)、56W(Tc)
BCR8KM-12LA-1AR#X2 Renesas BCR8KM-12LA-1AR#X2 1.1100
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ECAD 4 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 TO-220FN - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-BCR8KM-12LA-1AR#X2 EAR99 8541.30.0080 1 单身的 标准 600伏 8A 1.5V 80A@60Hz 30毫安
CR6CM-12B#BB0 Renesas CR6CM-12B#BB0 1.0000
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ECAD 8257 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-CR6CM-12B#BB0 1 15毫安 600伏 9.4A 1V 90A@50Hz 10毫安 1.7V 6A 2毫安 标准回报率
RQA0002DNSTB-E Renesas RQA0002DNSTB-E 3.9600
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ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 3-DFN裸露焊盘 MOSFET(金属O化物) 2-HWSON (5x4) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RQA0002DNSTB-E EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 16V 3.8A(塔) - - 750mV@1mA ±5V 102pF@0V - 15W(温度)
2SD571-T-AZ Renesas 2SD571-T-AZ -
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ECAD 5984 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 3-SSIP - - 2156-2SD571-T-AZ 1 100nA(ICBO) NPN 600mV@2mA、20mA - 110兆赫
2SA673BTZ-E Renesas 2SA673BTZ-E -
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ECAD 2996 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) TO-92 - 2156-2SA673BTZ-E 1 500nA(ICBO) 国民党 600毫伏@15毫安,150毫安 60@10mA,3V -
RJK5035DPP-E0#T2 Renesas RJK5035DPP-E0#T2 -
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ECAD 5014 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220FP - 2156-RJK5035DPP-E0#T2 1 N沟道 500V 10A(塔) 10V 850mOhm@5A,10V 5V@1mA 23nC@10V ±30V 765pF@25V - 29.5W(塔)
2SK3483-Z-AZ Renesas 2SK3483-Z-AZ 1.2100
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ECAD 第635章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA MOSFET(金属O化物) MP-3 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SK3483-Z-AZ EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100V 28A(塔) 4.5V、10V 52毫欧@14A,10V 2.5V@1mA 49nC@10V ±20V 2300pF@10V - 1W(Ta)、40W(Tc)
2SK3354(0)-Z-E1-AY Renesas 2SK3354(0)-Z-E1-AY -
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ECAD 9228 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263、TO-220SMD - 2156-2SK3354(0)-Z-E1-AY 1 N沟道 60V 83A(温度) 4V、10V 8毫欧@42A,10V 2.5V@1mA 10V时为106nC ±20V 6300pF@10V - 1.5W(Ta)、100W(Tc)
BCR16CM-12LB#BB0 Renesas BCR16CM-12LB#BB0 0.1000
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ECAD 96 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR16CM-12LB#BB0 2,996 单身的 标准 600伏 16A 1.5V 170A@60Hz 30毫安
RKZ27TJKG#P1 Renesas RKZ27TJKG#P1 0.1100
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ECAD 105 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RKZ27TJKG#P1 EAR99 8541.10.0050 1
HZM11NB3TR-E Renesas HZM11NB3TR-E 0.1500
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ECAD 36 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.03% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM11NB3TR-E EAR99 8541.10.0050 1 8V时为2μA 11.33V 30欧姆
CR3AS-8UE#B00 Renesas CR3AS-8UE#B00 -
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ECAD 1222 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MP-3A - 2156-CR3AS-8UE#B00 1 5毫安 400伏 4A 800毫伏 40A@50Hz 100微安 1.4V 3A 1毫安 标准回报率
RJK0601DPN-E0#T2 Renesas RJK0601DPN-E0#T2 3.5400
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220ABS - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJK0601DPN-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 110A(塔) 10V 3.1毫欧@55A,10V 4V@1mA 141nC@10V ±20V 10000pF@10V - 200W(温度)
NP110N055PUJ-E1B-AY Renesas NP110N055PUJ-E1B-AY 5.9800
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ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263-3 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP110N055PUJ-E1B-AY EAR99 8541.21.0095 51 N沟道 55V 110A(温度) 10V 2.4毫欧@55A,10V 4V@250μA 230nC@10V ±20V 14250pF@25V - 1.8W(Ta)、288W(Tc)
2SK3899(0)-ZK-E1-AY Renesas 2SK3899(0)-ZK-E1-AY -
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ECAD 6127 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263-3 - 2156-2SK3899(0)-ZK-E1-AY 1 N沟道 60V 84A(温度) 4.5V、10V 5.3毫欧@42A,10V 2.5V@1mA 96nC@10V ±20V 5500pF@10V - 1.5W(塔)、146W(塔)
HAT2205C-EL-E Renesas HAT2205C-EL-E 0.2600
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ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT2205C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 12V 3A(塔) 1.8V、4.5V 50毫欧@1.5A,4.5V 1.2V@1mA 6nC@4.5V ±8V 430pF@10V - 200毫W(塔)
HZU6.2B2TRF-E-Q Renesas HZU6.2B2TRF-EQ 0.0500
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ECAD 177 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZU6.2B2TRF-EQ-1833 1
UPA2701TP-E1-AZ Renesas UPA2701TP-E1-AZ -
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ECAD 1268 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽)裸露焊盘 MOSFET(金属O化物) 8-HSOP - 2156-UPA2701TP-E1-AZ 1 N沟道 30V 16A(Ta), 35A(Tc) 4V、10V 7.5毫欧@7A,10V 2.5V@1mA 12nC@5V ±20V 1200pF@10V - 3W(Ta)、28W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库