SIC
close
参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 多种可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) 当前 - 关闭状态(最大) 可控硅类型 电流 - 反向电流@Vr 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) 阻抗(最大)(Zzt) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
HZU4.7B2JTRF-E Renesas HZU4.7B2JTRF-E 0.0900
询价
ECAD 第372章 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 供应商未定义 2156-HZU4.7B2JTRF-E-1833 1
UPA1760G-E1-AT Renesas UPA1760G-E1-AT 1.6000
询价
ECAD 80 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) UPA1760 MOSFET(金属O化物) 2W(塔) 8-SOP - 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA1760G-E1-AT EAR99 8541.29.0075 1 2 个 N 沟道(双) 30V 8A(塔) 26毫欧@4A,10V 2.5V@1mA 14nC@10V 760pF@10V -
KA4L4M(0)-T1-A Renesas KA4L4M(0)-T1-A -
询价
ECAD 2905 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 表面贴装 SC-75、SOT-416 200毫W SC-75 - 2156-KA4L4M(0)-T1-A 1 50V 100毫安 100nA(ICBO) NPN - 预偏置 200mV@250μA,5mA 85@50mA,5V 47欧姆 47欧姆
2SC1623B-T1B-AT Renesas 2SC1623B-T1B-AT -
询价
ECAD 3602 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SC1623B-T1B-AT 1
RD24F-AZ Renesas RD24F-AZ 0.2400
询价
ECAD 15 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-RD24F-AZ-1833 1
2SJ494-AZ Renesas 2SJ494-AZ 1.0000
询价
ECAD 3579 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3隔离片 MOSFET(金属O化物) MP-45F 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SJ494-AZ EAR99 8541.29.0075 1 P沟道 60V 20A(塔) 4V、10V 50毫欧@10A,10V 2V@1mA 74nC@10V ±20V 2360pF@10V - 2W(Ta)、35W(Tc)
2SK2055-T1-AZ Renesas 2SK2055-T1-AZ -
询价
ECAD 5339 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-243AA MOSFET(金属O化物) MP-2 - 2156-2SK2055-T1-AZ 1 N沟道 100V 2A(塔) 4V、10V 350mOhm@1A,10V 2V@1mA ±20V 650pF@10V - 2W(塔)
UPA2790GR-E1-AT Renesas UPA2790GR-E1-AT 0.9400
询价
ECAD 10 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) UPA2790 MOSFET(金属O化物) 1.7W(塔) 8-SOP 下载 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-UPA2790GR-E1-AT EAR99 8541.29.0095 1 N 和 P 沟道 30V 6A(塔) 28毫欧@3A、10V、60毫欧@3A、10V 2.5V@1mA 12.6nC@10V,11nC@10V 500pF@10V,460pF@10V -
2SJ532-E Renesas 2SJ532-E 1.9900
询价
ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3全包 MOSFET(金属O化物) TO-220CFM - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-2SJ532-E EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 60V 20A(塔) 4V、10V 55mOhm@10A,10V 2V@1mA ±20V 1750pF@10V - 30W(温度)
UPA1902TE-T1-AT Renesas UPA1902TE-T1-AT 0.3000
询价
ECAD 111 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 SC-95 MOSFET(金属O化物) SC-95 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA1902TE-T1-AT EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 7A(塔) 4.5V、10V 22毫欧@3.5A,10V 2.5V@1mA 8nC@5V ±20V 780pF@10V - 200毫W(塔)
RD47P-T2-AZ Renesas RD47P-T2-AZ 0.4300
询价
ECAD 9 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD47P-T2-AZ EAR99 8541.10.0080 1
RD4.7UM-T1-AT Renesas RD4.7UM-T1-AT -
询价
ECAD 9393 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-RD4.7UM-T1-AT 1
HZU2.2BTRF-E Renesas HZU2.2BTRF-E 0.1300
询价
ECAD 30 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±6.67% 150°C(太焦) 表面贴装 SC-76A 200毫W 2-URP - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZU2.2BTRF-E EAR99 8541.10.0050 1 700mV时为120μA 2.25V 100欧姆
UPA2782GR-E1-A Renesas UPA2782GR-E1-A 1.7700
询价
ECAD 7 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-UPA2782GR-E1-A EAR99 8541.29.0075 1 N沟道 30V 11A(塔) 4V、10V 15毫欧@5.5A,10V 2.5V@1mA 7.1nC@5V ±20V 660pF@10V - 2W(塔)
BCR16CM-12LBAP#BB0 Renesas BCR16CM-12LBAP#BB0 3.2000年
询价
ECAD 第376章 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-BCR16CM-12LBAP#BB0 94
HAT2195R-EL-E Renesas HAT2195R-EL​​​​-E -
询价
ECAD 1128 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -55℃~150℃ 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) MOSFET(金属O化物) 8-SOP - 2156-HAT2195R-EL​​​​-E 1 N沟道 30V 18A 4.5V、10V 5.8毫欧@9A,10V 2.5V@1mA 23nC@4.5V ±20V 3400pF@10V - 2.5W
NP32N055SLE-E1-AY Renesas NP32N055SLE-E1-AY -
询价
ECAD 1281 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252 (MP-3ZK) - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP32N055SLE-E1-AY EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V 32A(塔) 4.5V、10V 24毫欧@16A,10V 2.5V@250μA 41nC@10V ±20V 2000pF@25V - 1.2W(Ta)、66W(Tc)
2SK2112W-T1-AZ Renesas 2SK2112W-T1-AZ -
询价
ECAD 5869 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 2156-2SK2112W-T1-AZ 1
2SK3899(0)-ZK-E1-AY Renesas 2SK3899(0)-ZK-E1-AY -
询价
ECAD 6127 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263-3 - 2156-2SK3899(0)-ZK-E1-AY 1 N沟道 60V 84A(温度) 4.5V、10V 5.3毫欧@42A,10V 2.5V@1mA 96nC@10V ±20V 5500pF@10V - 1.5W(塔)、146W(塔)
NP110N055PUJ-E1B-AY Renesas NP110N055PUJ-E1B-AY 5.9800
询价
ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 175℃ 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) TO-263-3 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-NP110N055PUJ-E1B-AY EAR99 8541.21.0095 51 N沟道 55V 110A(温度) 10V 2.4毫欧@55A,10V 4V@250μA 230nC@10V ±20V 14250pF@25V - 1.8W(Ta)、288W(Tc)
HAT2205C-EL-E Renesas HAT2205C-EL-E 0.2600
询价
ECAD 3 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 表面贴装 6-SMD,写入 MOSFET(金属O化物) 6-CMFPAK 下载 不符合 RoHS 指令 供应商未定义 2156-HAT2205C-EL-E EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 12V 3A(塔) 1.8V、4.5V 50毫欧@1.5A,4.5V 1.2V@1mA 6nC@4.5V ±8V 430pF@10V - 200毫W(塔)
RD5.1P-T1-AZ Renesas RD5.1P-T1-AZ 0.2100
询价
ECAD 20 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±5.88% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 1W - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RD5.1P-T1-AZ EAR99 8541.10.0050 1 1V时为20μA 5.1V 60欧姆
2SA1611(0)-T1-A Renesas 2SA1611(0)-T1-A -
询价
ECAD 1026 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 SC-70 - 2156-2SA1611(0)-T1-A 1 100nA(ICBO) 国民党 300毫伏@10毫安,100毫安 90@1mA,6V 180兆赫
RKZ27TJKG#P1 Renesas RKZ27TJKG#P1 0.1100
询价
ECAD 105 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RKZ27TJKG#P1 EAR99 8541.10.0050 1
BCR16CM-12LB#BB0 Renesas BCR16CM-12LB#BB0 0.1000
询价
ECAD 96 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 TO-220ABS - 2156-BCR16CM-12LB#BB0 2,996 单身的 标准 600伏 16A 1.5V 170A@60Hz 30毫安
RJK0601DPN-E0#T2 Renesas RJK0601DPN-E0#T2 3.5400
询价
ECAD 1 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 150℃ 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220ABS - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-RJK0601DPN-E0#T2 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 110A(塔) 10V 3.1毫欧@55A,10V 4V@1mA 141nC@10V ±20V 10000pF@10V - 200W(温度)
CR3AS-8UE#B00 Renesas CR3AS-8UE#B00 -
询价
ECAD 1222 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -40°C ~ 125°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MP-3A - 2156-CR3AS-8UE#B00 1 5毫安 400伏 4A 800毫伏 40A@50Hz 100微安 1.4V 3A 1毫安 标准回报率
HZM11NB3TR-E Renesas HZM11NB3TR-E 0.1500
询价
ECAD 36 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 ±2.03% 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W 3-MPAK - 不符合 RoHS 指令 REACH 不出行 2156-HZM11NB3TR-E EAR99 8541.10.0050 1 8V时为2μA 11.33V 30欧姆
2SB798(0)-T1-AZ Renesas 2SB798(0)-T1-AZ -
询价
ECAD 2144 0.00000000 瑞萨 - 大部分 过时的 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA SC-62 - 2156-2SB798(0)-T1-AZ 1 100nA(ICBO) 国民党 400mV@100mA,1A 90@100mA,1V 110兆赫
HZU6.2B2TRF-E-Q Renesas HZU6.2B2TRF-EQ 0.0500
询价
ECAD 177 0.00000000 瑞萨 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH 不出行 2156-HZU6.2B2TRF-EQ-1833 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库