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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 场效应管类型 | 电流 - 保持 (Ih)(最大) | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 多种可控硅类型 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电压-感应触发(Vgt)(最大) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) | 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) | 当前 - 关闭状态(最大) | 可控硅类型 | 电流 - 反向电流@Vr | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NP88N075EUE-E2-AY | 4.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263-3 | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP88N075EUE-E2-AY | EAR99 | 8541.29.0095 | 62 | N沟道 | 75V | 88A(温度) | 10V | 8.5毫欧@44A,10V | 4V@250μA | 230nC@10V | ±20V | 12300pF@25V | - | 1.8W(Ta)、288W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM12NB3TL-E | 0.1500 | ![]() | 87 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.11% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM12NB3TL-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 9V时为2μA | 12.34V | 35欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3480(0)-Z-E1-AZ | - | ![]() | 第2272章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263、TO-220SMD | - | 2156-2SK3480(0)-Z-E1-AZ | 1 | N沟道 | 100V | 50A(温度) | 4.5V、10V | 31毫欧@25A,10V | 2.5V@1mA | 74nC@10V | ±20V | 3600pF@10V | - | 1.5W(Ta)、84W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR8AS-14LJ#B01 | - | ![]() | 7350 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MP-3A | - | 2156-BCR8AS-14LJ#B01 | 1 | 单身的 | 标准 | 700伏 | 8A | 1.5V | 80A@50Hz | 30毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RD6.8FS(0)-T1-AY | 0.3000 | ![]() | 750 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-RD6.8FS(0)-T1-AY-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3357-A | 4.0400 | ![]() | 294 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-3P (MP-88) | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-2SK3357-A | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 60V | 75A(塔) | 4V、10V | 5.8毫欧@38A,10V | 2.5V@1mA | 170nC@10V | ±20V | 9800pF@10V | - | 3W(Ta)、150W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2701WTP-E1-AZ | - | ![]() | 8096 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 2156-UPA2701WTP-E1-AZ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP75N04YUG-E1-AY | - | ![]() | 1050 | 0.00000000 | 瑞萨 | 汽车,AEC-Q101 | 大部分 | 的积极 | 175℃ | 表面贴装 | 8-SMD、裸露焊盘 | MOSFET(金属O化物) | 8-HSON | - | 2156-NP75N04YUG-E1-AY | 1 | N沟道 | 40V | 75A(温度) | 10V | 4.8毫欧@37.5A,10V | 4V@250μA | 116nC@10V | ±20V | 6450pF@25V | - | 1W(Ta)、138W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1808GR-9JG-E1-A | 0.6000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-PowerTSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8 电源 TSSOP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-UPA1808GR-9JG-E1-A | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 30V | 9.5A(塔) | 4V、10V | 17毫欧@5A,10V | 2.5V@1mA | 13nC@10V | ±20V | 660pF@10V | - | 2W(塔) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2730TP-E2-AZ | 0.9900 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-PowerSOIC(0.173英寸,4.40毫米宽) | MOSFET(金属O化物) | 8-HSOP | - | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-UPA2730TP-E2-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 305 | P沟道 | 30V | 20A(Ta)、42A(Tc) | 4V、10V | 7毫欧@7.5A,10V | 2.5V@1mA | 97nC@10V | ±20V | 4670pF@10V | - | 3W(Ta)、40W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NP80N06MLG-S18-AY | 2.0000 | ![]() | 22号 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | MP-25K | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP80N06MLG-S18-AY | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 80A(温度) | 4.5V、10V | 8.6毫欧@40A,10V | 2.5V@250μA | 128nC@10V | ±20V | 6900pF@25V | - | 1.8W(Ta)、115W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3434(0)-Z-E1-AZ | - | ![]() | 7024 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263、TO-220SMD | - | 2156-2SK3434(0)-Z-E1-AZ | 1 | N沟道 | 60V | 48A(温度) | 4V、10V | 20毫欧@24A,10V | 2.5V@1mA | 40nC@10V | ±20V | 2100pF@10V | - | 1.5W(Ta)、56W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR8KM-12LA-1AR#X2 | 1.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全包 | TO-220FN | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-BCR8KM-12LA-1AR#X2 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 标准 | 600伏 | 8A | 1.5V | 80A@60Hz | 30毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR6CM-12B#BB0 | 1.0000 | ![]() | 8257 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220ABS | - | 2156-CR6CM-12B#BB0 | 1 | 15毫安 | 600伏 | 9.4A | 1V | 90A@50Hz | 10毫安 | 1.7V | 6A | 2毫安 | 标准回报率 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RQA0002DNSTB-E | 3.9600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 3-DFN裸露焊盘 | MOSFET(金属O化物) | 2-HWSON (5x4) | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RQA0002DNSTB-E | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | N沟道 | 16V | 3.8A(塔) | - | - | 750mV@1mA | ±5V | 102pF@0V | - | 15W(温度) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD571-T-AZ | - | ![]() | 5984 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | 3-SSIP | - | - | 2156-2SD571-T-AZ | 1 | 100nA(ICBO) | NPN | 600mV@2mA、20mA | - | 110兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SA673BTZ-E | - | ![]() | 2996 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | TO-92 | - | 2156-2SA673BTZ-E | 1 | 500nA(ICBO) | 国民党 | 600毫伏@15毫安,150毫安 | 60@10mA,3V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK5035DPP-E0#T2 | - | ![]() | 5014 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3全包 | MOSFET(金属O化物) | TO-220FP | - | 2156-RJK5035DPP-E0#T2 | 1 | N沟道 | 500V | 10A(塔) | 10V | 850mOhm@5A,10V | 5V@1mA | 23nC@10V | ±30V | 765pF@25V | - | 29.5W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3483-Z-AZ | 1.2100 | ![]() | 第635章 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | MP-3 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-2SK3483-Z-AZ | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 100V | 28A(塔) | 4.5V、10V | 52毫欧@14A,10V | 2.5V@1mA | 49nC@10V | ±20V | 2300pF@10V | - | 1W(Ta)、40W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3354(0)-Z-E1-AY | - | ![]() | 9228 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263、TO-220SMD | - | 2156-2SK3354(0)-Z-E1-AY | 1 | N沟道 | 60V | 83A(温度) | 4V、10V | 8毫欧@42A,10V | 2.5V@1mA | 10V时为106nC | ±20V | 6300pF@10V | - | 1.5W(Ta)、100W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCR16CM-12LB#BB0 | 0.1000 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | TO-220ABS | - | 2156-BCR16CM-12LB#BB0 | 2,996 | 单身的 | 标准 | 600伏 | 16A | 1.5V | 170A@60Hz | 30毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RKZ27TJKG#P1 | 0.1100 | ![]() | 105 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RKZ27TJKG#P1 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HZM11NB3TR-E | 0.1500 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | ±2.03% | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | 200毫W | 3-MPAK | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-HZM11NB3TR-E | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 8V时为2μA | 11.33V | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3AS-8UE#B00 | - | ![]() | 1222 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C ~ 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MP-3A | - | 2156-CR3AS-8UE#B00 | 1 | 5毫安 | 400伏 | 4A | 800毫伏 | 40A@50Hz | 100微安 | 1.4V | 3A | 1毫安 | 标准回报率 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0601DPN-E0#T2 | 3.5400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220ABS | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-RJK0601DPN-E0#T2 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 110A(塔) | 10V | 3.1毫欧@55A,10V | 4V@1mA | 141nC@10V | ±20V | 10000pF@10V | - | 200W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NP110N055PUJ-E1B-AY | 5.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 175℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263-3 | - | 不符合 RoHS 指令 | REACH 不出行 | 2156-NP110N055PUJ-E1B-AY | EAR99 | 8541.21.0095 | 51 | N沟道 | 55V | 110A(温度) | 10V | 2.4毫欧@55A,10V | 4V@250μA | 230nC@10V | ±20V | 14250pF@25V | - | 1.8W(Ta)、288W(Tc) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3899(0)-ZK-E1-AY | - | ![]() | 6127 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | MOSFET(金属O化物) | TO-263-3 | - | 2156-2SK3899(0)-ZK-E1-AY | 1 | N沟道 | 60V | 84A(温度) | 4.5V、10V | 5.3毫欧@42A,10V | 2.5V@1mA | 96nC@10V | ±20V | 5500pF@10V | - | 1.5W(塔)、146W(塔) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT2205C-EL-E | 0.2600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 6-SMD,写入 | MOSFET(金属O化物) | 6-CMFPAK | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 供应商未定义 | 2156-HAT2205C-EL-E | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 12V | 3A(塔) | 1.8V、4.5V | 50毫欧@1.5A,4.5V | 1.2V@1mA | 6nC@4.5V | ±8V | 430pF@10V | - | 200毫W(塔) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | HZU6.2B2TRF-EQ | 0.0500 | ![]() | 177 | 0.00000000 | 瑞萨 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH 不出行 | 2156-HZU6.2B2TRF-EQ-1833 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2701TP-E1-AZ | - | ![]() | 1268 | 0.00000000 | 瑞萨 | - | 大部分 | 过时的 | 150℃ | 表面贴装 | 8-SOIC(0.173英寸,4.40毫米宽)裸露焊盘 | MOSFET(金属O化物) | 8-HSOP | - | 2156-UPA2701TP-E1-AZ | 1 | N沟道 | 30V | 16A(Ta), 35A(Tc) | 4V、10V | 7.5毫欧@7A,10V | 2.5V@1mA | 12nC@5V | ±20V | 1200pF@10V | - | 3W(Ta)、28W(Tc) |
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