分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	多种可控硅类型	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 开启状态 (It (AV))（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电流 - 反向电流@Vr	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
NP88N075EUE-E2-AY	4.8900	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP88N075EUE-E2-AY	EAR99	8541.29.0095	62		N沟道		75V	88A（温度）	10V	8.5毫欧@44A，10V	4V@250μA	230nC@10V	±20V	12300pF@25V	-	1.8W（Ta）、288W（Tc）
HZM12NB3TL-E	0.1500	询价	87	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.11%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM12NB3TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																								9V时为2μA		12.34V	35欧姆
2SK3480(0)-Z-E1-AZ	-	询价	第2272章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-				2156-2SK3480(0)-Z-E1-AZ			1		N沟道		100V	50A（温度）	4.5V、10V	31毫欧@25A，10V	2.5V@1mA	74nC@10V	±20V	3600pF@10V	-	1.5W（Ta）、84W（Tc）
BCR8AS-14LJ#B01	-	询价	7350	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MP-3A	-				2156-BCR8AS-14LJ#B01			1	单身的													标准	700伏	8A	1.5V	80A@50Hz	30毫安
RD6.8FS(0)-T1-AY	0.3000	询价	750	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RD6.8FS(0)-T1-AY-1833			1
2SK3357-A	4.0400	询价	294	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MOSFET（金属O化物）		TO-3P (MP-88)	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SK3357-A	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道		60V	75A（塔）	4V、10V	5.8毫欧@38A，10V	2.5V@1mA	170nC@10V	±20V	9800pF@10V	-	3W（Ta）、150W（Tc）
UPA2701WTP-E1-AZ	-	询价	8096	瑞萨	-	大部分	过时的								-				2156-UPA2701WTP-E1-AZ			1
NP75N04YUG-E1-AY	-	询价	1050	瑞萨	汽车，AEC-Q101	大部分	的积极		175℃	表面贴装	8-SMD、裸露焊盘	MOSFET（金属O化物）		8-HSON	-				2156-NP75N04YUG-E1-AY			1		N沟道		40V	75A（温度）	10V	4.8毫欧@37.5A，10V	4V@250μA	116nC@10V	±20V	6450pF@25V	-	1W（Ta）、138W（Tc）
UPA1808GR-9JG-E1-A	0.6000	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerTSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	MOSFET（金属O化物）		8 电源 TSSOP	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1808GR-9JG-E1-A	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道		30V	9.5A（塔）	4V、10V	17毫欧@5A，10V	2.5V@1mA	13nC@10V	±20V	660pF@10V	-	2W（塔）
UPA2730TP-E2-AZ	0.9900	询价	25	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2730TP-E2-AZ	EAR99	8541.29.0095	305		P沟道		30V	20A（Ta）、42A（Tc）	4V、10V	7毫欧@7.5A，10V	2.5V@1mA	97nC@10V	±20V	4670pF@10V	-	3W（Ta）、40W（Tc）
NP80N06MLG-S18-AY	2.0000	询价	22号	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	通孔	TO-220-3	MOSFET（金属O化物）		MP-25K	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP80N06MLG-S18-AY	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	80A（温度）	4.5V、10V	8.6毫欧@40A，10V	2.5V@250μA	128nC@10V	±20V	6900pF@25V	-	1.8W（Ta）、115W（Tc）
2SK3434(0)-Z-E1-AZ	-	询价	7024	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-				2156-2SK3434(0)-Z-E1-AZ			1		N沟道		60V	48A（温度）	4V、10V	20毫欧@24A，10V	2.5V@1mA	40nC@10V	±20V	2100pF@10V	-	1.5W（Ta）、56W（Tc）
BCR8KM-12LA-1AR#X2	1.1100	询价	4	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			TO-220FN	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-BCR8KM-12LA-1AR#X2	EAR99	8541.30.0080	1	单身的													标准	600伏	8A	1.5V	80A@60Hz	30毫安
CR6CM-12B#BB0	1.0000	询价	8257	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3			TO-220ABS	-				2156-CR6CM-12B#BB0			1			15毫安												600伏	9.4A	1V	90A@50Hz	10毫安	1.7V	6A	2毫安	标准回报率
RQA0002DNSTB-E	3.9600	询价	9	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	3-DFN裸露焊盘	MOSFET（金属O化物）		2-HWSON (5x4)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RQA0002DNSTB-E	EAR99	8541.29.0075	1		N沟道		16V	3.8A（塔）	-	-	750mV@1mA		±5V	102pF@0V	-	15W（温度）
2SD571-T-AZ	-	询价	5984	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	3-SSIP			-	-				2156-2SD571-T-AZ			1																									100nA（ICBO）			NPN	600mV@2mA、20mA	-	110兆赫
2SA673BTZ-E	-	询价	2996	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)			TO-92	-				2156-2SA673BTZ-E			1																									500nA（ICBO）			国民党	600毫伏@15毫安，150毫安	60@10mA，3V	-
RJK5035DPP-E0#T2	-	询价	5014	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包	MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-				2156-RJK5035DPP-E0#T2			1		N沟道		500V	10A（塔）	10V	850mOhm@5A，10V	5V@1mA	23nC@10V	±30V	765pF@25V	-	29.5W（塔）
2SK3483-Z-AZ	1.2100	询价	第635章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	MOSFET（金属O化物）		MP-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3483-Z-AZ	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		100V	28A（塔）	4.5V、10V	52毫欧@14A，10V	2.5V@1mA	49nC@10V	±20V	2300pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
2SK3354(0)-Z-E1-AY	-	询价	9228	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263、TO-220SMD	-				2156-2SK3354(0)-Z-E1-AY			1		N沟道		60V	83A（温度）	4V、10V	8毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	10V时为106nC	±20V	6300pF@10V	-	1.5W（Ta）、100W（Tc）
BCR16CM-12LB#BB0	0.1000	询价	96	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3			TO-220ABS	-				2156-BCR16CM-12LB#BB0			2,996	单身的													标准	600伏	16A	1.5V	170A@60Hz	30毫安
RKZ27TJKG#P1	0.1100	询价	105	瑞萨	-	大部分	过时的								-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RKZ27TJKG#P1	EAR99	8541.10.0050	1
HZM11NB3TR-E	0.1500	询价	36	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.03%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM11NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																								8V时为2μA		11.33V	30欧姆
CR3AS-8UE#B00	-	询价	1222	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MP-3A	-				2156-CR3AS-8UE#B00			1			5毫安												400伏	4A	800毫伏	40A@50Hz	100微安	1.4V	3A	1毫安	标准回报率
RJK0601DPN-E0#T2	3.5400	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3	MOSFET（金属O化物）		TO-220ABS	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK0601DPN-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	110A（塔）	10V	3.1毫欧@55A，10V	4V@1mA	141nC@10V	±20V	10000pF@10V	-	200W（温度）
NP110N055PUJ-E1B-AY	5.9800	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP110N055PUJ-E1B-AY	EAR99	8541.21.0095	51		N沟道		55V	110A（温度）	10V	2.4毫欧@55A，10V	4V@250μA	230nC@10V	±20V	14250pF@25V	-	1.8W（Ta）、288W（Tc）
2SK3899(0)-ZK-E1-AY	-	询价	6127	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-				2156-2SK3899(0)-ZK-E1-AY			1		N沟道		60V	84A（温度）	4.5V、10V	5.3毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	96nC@10V	±20V	5500pF@10V	-	1.5W（塔）、146W（塔）
HAT2205C-EL-E	0.2600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入	MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT2205C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		12V	3A（塔）	1.8V、4.5V	50毫欧@1.5A，4.5V	1.2V@1mA	6nC@4.5V	±8V	430pF@10V	-	200毫W（塔）
HZU6.2B2TRF-EQ	0.0500	询价	177	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU6.2B2TRF-EQ-1833			1
UPA2701TP-E1-AZ	-	询价	1268	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）裸露焊盘	MOSFET（金属O化物）		8-HSOP	-				2156-UPA2701TP-E1-AZ			1		N沟道		30V	16A(Ta), 35A(Tc)	4V、10V	7.5毫欧@7A，10V	2.5V@1mA	12nC@5V	±20V	1200pF@10V	-	3W（Ta）、28W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²