分立半导体产品(447)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装/箱	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	电流 - 保持 (Ih)（最大）	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 关闭状态	电流 - 通态 (It (RMS))（峰值）	电压-感应触发(Vgt)（最大）	电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)	电流-感应触发(Igt)（最大）	电压 - 导通状态 (Vtm)（顶部）	当前 - 开启状态 (It (AV))（最大）	当前 - 关闭状态（最大）	可控硅类型	电流 - 反向电流@Vr	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	电压 - 齐纳分化（标称）(Vz)	阻抗（最大）(Zzt)	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
HZM6.8NB2TR-E	0.1500	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM6.8NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																						2μA@3.5V				6.79V	30欧姆
2SK3402-ZK-E1-AY	1.3800	询价	17号	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3402-ZK-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	1	N沟道		60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
2SK3755-AZ	-	询价	1934年	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3隔离片	MOSFET（金属O化物）		MP-45F	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3755-AZ	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		40V	45A（温度）	4.5V、10V	12毫欧@23A，10V	2.5V@1mA	10V时为25.5nC	±20V	1200pF@10V	-	2W（Ta）、24W（Tc）
2SK3435-AZ	2.6000	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3435-AZ	EAR99	8541.29.0075	116	N沟道		60V	80A（温度）	10V	14毫欧@40A，10V	2.5V@1mA	60nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1.5W（Ta）、84W（Tc）
NP80N04KHE-E1-AZ	1.6500	询价	800	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP80N04KHE-E1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1	N沟道		40V	80A（温度）	10V	8毫欧@40A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	3300pF@25V	-	1.8W（Ta）、120W（Tc）
2SK3402-AZ	1.3800	询价	2	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	MOSFET（金属O化物）		TO-252 (MP-3Z)	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3402-AZ	EAR99	8541.29.0075	1	N沟道		60V	36A（温度）	4V、10V	15毫欧@18A，10V	2.5V@1mA	61nC@10V	±20V	3200pF@10V	-	1W（Ta）、40W（Tc）
2SC4942-T1-AZ	1.2500	询价	6	瑞萨	-	大部分	过时的		150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA		2W	MP-2	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SC4942-T1-AZ	EAR99	8541.29.0095	1																							600伏	1A	10μA（ICBO）			NPN	1V@80mA、400mA	30@100mA，5V	30兆赫兹
2SK1591W-T1B-A	-	询价	3764	瑞萨	-	大部分	过时的								-				2156-2SK1591W-T1B-A			1
UPA1759G-E1-A	0.5300	询价	5	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-PowerSOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	MOSFET（金属O化物）		8-PowerSOP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-UPA1759G-E1-A	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		60V	5A（温度）	4V、10V	150mOhm@2.5A，10V	2.5V@1mA	8nC@10V	±20V	190pF@10V	-	2W（塔）
RJK6012DPP-E0#T2	2.6600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包	MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK6012DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		600伏	10A（塔）	10V	920毫欧@5A，10V	4.5V@1mA	30nC@10V	±30V	1100pF@25V	-	30W（塔）
CR8CM-12B#BB0	-	询价	5160	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-220-3			TO-220ABS	-				2156-CR8CM-12B#BB0			1		15毫安											600伏	12.6A	1V	120A@50Hz	15毫安	1.4V	8A	2毫安	标准回报率
CR12CM-12A#BB0	-	询价	7367	瑞萨	-	大部分	过时的		-40°C ~ 125°C（太焦）	通孔	TO-220-3			TO-220ABS	-				2156-CR12CM-12A#BB0			1		30毫安											600伏	18.8A	1.5V	360A@60Hz	30毫安	1.6V	12A	2毫安	标准回报率
RD27P-T1-AZ	0.4000	询价	13	瑞萨	-	大部分	过时的	±7.04%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA		1W	SOT-89	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	2156-RD27P-T1-AZ	EAR99	8541.10.0050	1																						10μA@21V				27V	80欧姆
NP160N055TUJ-E1-AY	2.8300	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-263-7，D²Pak（6引脚+接片）	MOSFET（金属O化物）		TO-263-7	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP160N055TUJ-E1-AY	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道		55V	160A（温度）	10V	3mOhm@80A，10V	4V@250μA	180nC@10V	±20V	10350pF@25V	-	1.8W（Ta）、250W（Tc）
HZM11NB1TR-E	0.1600	询价	99	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM11NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1,888																						8V时为2μA				10.66V	30欧姆
HZM12NB1TR-E	0.1500	询价	39	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.06%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM12NB1TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																						9V时为2μA				11.66V	35欧姆
2SK3354-AZ	3.7400	询价	第946章	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK3354-AZ	EAR99	8541.29.0075	1	N沟道		60V	83A（温度）	4V、10V	8毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	10V时为106nC	±20V	6300pF@10V	-	1.5W（Ta）、100W（Tc）
RJK5014DPP-E0#T2	5.4200	询价	12	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	通孔	TO-220-3全包	MOSFET（金属O化物）		TO-220FP	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-RJK5014DPP-E0#T2	EAR99	8541.29.0095	56	N沟道		500V	19A（塔）	10V	390毫欧@9.5A，10V	4.5V@1mA	46nC@10V	±30V	1800pF@25V	-	35W（温度）
HZM7.5NB1TL-E	0.1500	询价	105	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.08%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	3-MPAK	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM7.5NB1TL-E	EAR99	8541.10.0050	1																						2μA@4V				7.21V	30欧姆
NP80N055KLE-E1-AY	2.2400	询价	1	瑞萨	-	大部分	过时的		175℃	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	MOSFET（金属O化物）		TO-263-3	下载	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-NP80N055KLE-E1-AY	EAR99	8541.29.0075	135	N沟道		55V	80A（温度）	4.5V、10V	11毫欧@40A，10V	2.5V@250μA	75nC@10V	±20V	4400pF@25V	-	1.8W（Ta）、120W（Tc）
HZU18B2JTRF-E	0.1300	询价	141	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.2%	150°C（太焦）	表面贴装	SC-76A		200毫W	2-URP	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZU18B2JTRF-E	EAR99	8541.10.0050	2,308																						13V时为2μA				17.96V	45欧姆
2SK2054-T1-AZ	0.8300	询价	14	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	TO-243AA	MOSFET（金属O化物）		MP-2	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-2SK2054-T1-AZ	EAR99	8541.29.0075	1	N沟道		60V	3A（塔）	4V、10V	200毫欧@1.5A，10V	2V@1mA		±20V	530pF@10V	-	2W（塔）
2SD571(1)-AZ	-	询价	5660	瑞萨	-	大部分	过时的								-				2156-2SD571(1)-AZ			1
HAT1091C-EL-E	0.2500	询价	21	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	6-SMD，写入	MOSFET（金属O化物）		6-CMFPAK	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-HAT1091C-EL-E	EAR99	8541.29.0095	1	P沟道		20V	1.5A（塔）	2.5V、4V	175mOhm@800mA，4.5V	1.4V@1mA	2.6nC@4.5V	±12V	200pF@10V	-	830毫W（塔）
HZM3.6NB2TR-E	0.1600	询价	3	瑞萨	-	大部分	过时的	±3.4%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM3.6NB2TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																						1V时为10μA				3.68V	130欧姆
HZM5.6NB3TR-E	0.1600	询价	30	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.16%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM5.6NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																						2.5V时为5μA				5.8V	80欧姆
HZM7.5NB3TR-E	0.1600	询价	48	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.08%	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		200毫W	3-MPAK	-	不符合 RoHS 指令		REACH 不出行	2156-HZM7.5NB3TR-E	EAR99	8541.10.0050	1																						2μA@4V				7.68V	30欧姆
UPA2706GR-E1-A	1.1400	询价	10	瑞萨	-	大部分	过时的		150℃	表面贴装	8-SOIC（0.173英寸，4.40毫米宽）	MOSFET（金属O化物）		8-SOP	下载	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-UPA2706GR-E1-A	EAR99	8541.29.0075	1	N沟道		30V	11A（Ta）、20A（Tc）	4V、10V	15毫欧@5.5A，10V	2.5V@1mA	7.1nC@5V	±20V	660pF@10V	-	3W（Ta）、15W（Tc）
RD7.5E-T1-AZ	-	询价	4427	瑞萨	-	大部分	过时的	±2.2%	175°C（太焦）	通孔	DO-204AH、DO-35、宗教		500毫W	DO-35	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-RD7.5E-T1-AZ-1833			1																						500nA@4V				7.04V	8欧姆
HZU2.0BTRF-EQ	0.0600	询价	63	瑞萨	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-HZU2.0BTRF-EQ-1833			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(447)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²