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离散半导体产品（（447）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
HZM5.1NB2TR-E	0.1600	RFQ	12	肾脏	-	大部分	过时的	±2.16％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM5.1NB2TR-E	Ear99	8541.10.0050	1															5 µA @ 1.5 V									5.09 v	130欧姆
RJK1003DPP-E0 ＃T2	2.4000	RFQ	3	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RJK1003DPP-E0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	50a（ta）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	59 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	25W（TC）
HVD396CKRF-E	0.0900	RFQ	144	肾脏	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-HVD396CKRF-E-1833			1
HZM15NB2TR-E	0.1600	RFQ	33	肾脏	-	大部分	过时的	±2.18％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM15NB2TR-E	Ear99	8541.10.0050	1															2 µA @ 11 V									14.66 v	40欧姆
2SK3430-Z-e2-az	-	RFQ	2663	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263，TO-220SMD	-				2156-2SK3430-Z-e2-az			1		n通道		40 V	80A（TC）	4V，10V	7.3MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 1mA	50 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），84W（tc）
RD16ES-T1	-	RFQ	1233	肾脏	-	大部分	过时的										-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RD16ES-T1-1833			1
rd2.4e-t1-az	-	RFQ	9732	肾脏	-	大部分	过时的	±3.91％	175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	do-35	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-RD2.4E-T1-AZ-1833			1															120 µA @ 1 V									2.43 v	100欧姆
2SC5292（0）-t-az	-	RFQ	8914	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-2SC5292（0）-t-az			1
Hzu6.8b1jtrf-e	0.0700	RFQ	249	肾脏	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZU6.8B1JTRF-E-1833			1
HZM10NB2TR-E	0.0900	RFQ	51	肾脏	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HZM10NB2TR-E-1833			1
2SK3455B-S17-AY	3.3600	RFQ	1	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		ITO-220（MP-45F）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3455B-S17-AY	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	12A（TC）	10V	600mohm @ 6a，10v	3.5V @ 1mA	30 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 10 V	-	2W（TA），50W（TC）
HZM11NB1TR-E	0.1600	RFQ	99	肾脏	-	大部分	过时的	±2.06％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				200兆	3-mpak	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-HZM11NB1TR-E	Ear99	8541.10.0050	1,888															2 µA @ 8 V									10.66 v	30欧姆
2SK3377-Z-AZ	0.8300	RFQ	771	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3377-Z-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		60 V	20A（TA）	4V，10V	44mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	17 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
rd3.0p-t2-az	0.6800	RFQ	15	肾脏	-	大部分	过时的										-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-rd3.0p-t2-az	Ear99	8541.10.0080	1
RD30P （2）-t1-az	0.3600	RFQ	21	肾脏	-	大部分	过时的	±6.67％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				1 w		下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-rd30p （2）-t1-az	Ear99	8541.10.0050	1															10 µA @ 23 V									30 V	80欧姆
2SJ529L06-E	0.9400	RFQ	60	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AB			MOSFET （金属 o化物）		DPAK（l） - 2）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SJ529L06-E	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		60 V	10a（10a）	4V，10V	160MOHM @ 5A，10V	2V @ 1mA		±20V	580 pf @ 10 V	-	20W（TC）
RD16P （0）-t1-az	0.3800	RFQ	12	肾脏	-	大部分	过时的	±5.63％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD16P （0）-t1-az	Ear99	8541.10.0050	1															10 µA @ 12 V									16 V	40欧姆
RD3.3P-D-T2-AZ	0.3900	RFQ	8	肾脏	-	大部分	过时的										-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD3.3p-d-t2-az	Ear99	8541.10.0050	1
UPA1759G-E1-A	0.5300	RFQ	5	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-Powersop	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-UPA1759G-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	5A（TC）	4V，10V	150MOHM @ 2.5a，10V	2.5V @ 1mA	8 nc @ 10 V	±20V	190 pf @ 10 V	-	2W（TA）
NP32N055SLE-E1-AZ	1.6400	RFQ	60	肾脏	-	大部分	过时的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-NP32N055SLE-E1-AZ	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		55 v	32a（ta）	4.5V，10V	24mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	1.2W（TA），66W（tc）
2SK3354-az	3.7400	RFQ	946	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规		到达不受影响	2156-2SK3354-az	Ear99	8541.29.0075	1		n通道		60 V	83A（TC）	4V，10V	8mohm @ 42a，10v	2.5V @ 1mA	106 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），100W（TC）
HAT1091C-EL-E	0.2500	RFQ	21	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HAT1091C-EL-E	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		20 v	1.5A（TA）	2.5V，4V	175mohm @ 800mA，4.5V	1.4V @ 1mA	2.6 NC @ 4.5 V	±12V	200 pf @ 10 V	-	830MW（TA）
2SJ179-T2-AZ	-	RFQ	5513	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-2SJ179-T2-AZ			1
2SK3366-az	-	RFQ	5372	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		MP-3	-				2156-2SK3366-AZ			1		n通道		30 V	20A（TA）	10V	21mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	15 NC @ 10 V	±20V	730 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
2SK1591W-T1B-A	-	RFQ	3764	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-2SK1591W-T1B-A			1
RJH65D27BDPQ-A0 ＃T2	-	RFQ	7829	肾脏	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		375 w	TO-247A	-				2156-RJH65D27BDPQ-A0 t2			1			400V，50a，10ohm，15V											80 ns		沟	650 v	100 a	200 a	1.65V @ 15V，50a	1MJ（在）上，1.5MJ（OFF）	175 NC	20NS/165NS
RJP4301APP-00 ＃T2	-	RFQ	4204	肾脏	-	大部分	过时的										-				2156-RJP4301APP-00 ＃T2			1
HAT1089C-EL-E	-	RFQ	9103	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	-				2156-HAT1089C-EL-E			1		P通道		20 v	2A（TA）	2.5V，4.5V	103MOHM @ 1A，4.5V	1.4V @ 1mA	4.5 NC @ 4.5 V	±12V	365 pf @ 10 V	-	850MW（TA）
UPA1770G-E1-A	1.6800	RFQ	2	肾脏	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA1770		MOSFET （金属 o化物）	750MW（TA）	8-sop	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-UPA1770G-E1-A	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			20V	6a（6a）		37MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	11NC @ 4.5V		1300pf @ 10V	-
RD8.2P-T1-AZ	0.1800	RFQ	32	肾脏	-	大部分	过时的	±6.1％	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA				1 w		-	Rohs不合规		到达不受影响	2156-RD8.2P-T1-AZ	Ear99	8541.10.0050	1															20 µA @ 5 V									8.2 v	15欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（447）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²