SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
BUK9K52-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9K52-60E,115 1.0300
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SOT-12205,8-LFPAK56 BUK9K52 MOSFET (金属 o化物) 32W LFPAK56D 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 2 n 通道(双) 60V 16a 49mohm @ 5a,10v 2.1V @ 1mA 10NC @ 10V 725pf @ 25V 逻辑级别门
PSMN1R6-40YLC,115 Nexperia USA Inc. PSMN1R6-40YLC,115 -
RFQ
ECAD 4522 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 SOT-1023,4-LFPAK MOSFET (金属 o化物) LFPAK56; Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 100A(TC) 4.5V,10V 1.55MOHM @ 25A,10V 1.95V @ 1mA 126 NC @ 10 V ±20V 7790 pf @ 20 V - 288W(TC)
PDTC144EMB,315 Nexperia USA Inc. PDTC144EMB,315 0.2800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 3-XFDFN PDTC144 250兆 DFN1006B-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 ma 1µA npn-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 80 @ 5mA,5V 230 MHz 47科姆斯 47科姆斯
PMPB33XN,115 Nexperia USA Inc. PMPB33XN,115 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-udfn暴露垫 PMPB33 MOSFET (金属 o化物) DFN2020MD-6 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 4.3a(ta) 2.5V,4.5V 47MOHM @ 4.3A,4.5V 1.2V @ 250µA 7.6 NC @ 4.5 V ±12V 505 pf @ 15 V - 1.5W(ta),8.3W(TC)
PSMN2R0-30YLE,115 Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30YLE,115 1.8800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 PSMN2R0 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 2mohm @ 25a,10v 2.15V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 5217 PF @ 15 V - 272W(TC)
PSMN3R4-30BLE,118 Nexperia USA Inc. PSMN3R4-30BLE,118 2.0600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PSMN3R4 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 120A(TC) 4.5V,10V 3.4mohm @ 25a,10v 2.15V @ 1mA 81 NC @ 10 V ±20V 4682 PF @ 15 V - 178W(TC)
PSMN8R5-100ESQ Nexperia USA Inc. PSMN8R5-100ESQ -
RFQ
ECAD 7473 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 100A(TJ) 10V 8.5mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 111 NC @ 10 V ±20V 5512 PF @ 50 V - 263W(TC)
PSMN2R1-40PLQ Nexperia USA Inc. PSMN2R1-40PLQ 1.6229
RFQ
ECAD 7653 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PSMN2R1 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 150a(TC) 10V 2.2MOHM @ 25A,10V 2.1V @ 1mA 87.8 NC @ 5 V ±20V 9584 PF @ 25 V - 293W(TC)
PSMN3R3-60PLQ Nexperia USA Inc. PSMN3R3-60PLQ 3.3600
RFQ
ECAD 6726 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 PSMN3R3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 130a(TC) 4.5V,10V 3.4mohm @ 25a,10v 2.1V @ 1mA 95 NC @ 5 V ±20V 10115 PF @ 25 V - 293W(TC)
PBSS4160PAN,115 Nexperia USA Inc. PBSS4160PAN,115 0.5200
RFQ
ECAD 7117 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PBSS4160 510MW 6-Huson(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 3,000 60V 1a 100NA(ICBO) 2 NPN (双) 120MV @ 50mA,500mA 150 @ 500mA,2V 175MHz
PMEG2010BELD,315 Nexperia USA Inc. PMEG2010BELD,315 0.4300
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-882 PMEG2010 肖特基 DFN1006-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 490 mv @ 1 A 1.6 ns 200 µA @ 20 V 150°C (最大) 1a 40pf @ 1V,1MHz
BAS16VY,135 Nexperia USA Inc. BAS16VY,135 0.3900
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 BAS16 标准 6-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 3独立 100 v 200ma(dc) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 V -55°C〜150°C
PMEG3010BEA,135 Nexperia USA Inc. PMEG3010BEA,135 0.4500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 PMEG3010 肖特基 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 560 mv @ 1 a 150 µA @ 30 V 150°C (最大) 1a 70pf @ 1V,1MHz
PMEG4010BEA,135 Nexperia USA Inc. PMEG4010BEA,135 0.3800
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SC-76,SOD-323 PMEG4010 肖特基 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 640 mv @ 1 a 100 µA @ 40 V 150°C (最大) 1a 50pf @ 1V,1MHz
PSMN4R8-100BSEJ Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSEJ 4.6000
RFQ
ECAD 9505 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB PSMN4R8 MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 120a(TJ) 10V 4.8mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 278 NC @ 10 V ±20V 14400 PF @ 50 V - 405W(TC)
BC857CMB,315 Nexperia USA Inc. BC857CMB,315 0.2500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-XFDFN BC857 250兆 DFN1006B-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 ma 15NA(icbo) PNP 300mv @ 500µA,10mA 420 @ 2mA,5V 100MHz
BUK7Y113-100EX Nexperia USA Inc. BUK7Y113-100EX 0.5800
RFQ
ECAD 6777 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 BUK7Y113 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 100 v 12A(TC) 10V 113MOHM @ 5A,10V 4V @ 1mA 10.4 NC @ 10 V ±20V 601 PF @ 25 V - 45W(TC)
BUK7Y12-80EX Nexperia USA Inc. BUK7Y12-80EX -
RFQ
ECAD 1785年 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 SC-100,SOT-669 BUK7Y12 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067421115 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 80 V - - - - -
BUK7Y15-60EX Nexperia USA Inc. BUK7Y15-60EX 0.7500
RFQ
ECAD 1041 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 BUK7Y15 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 53A(TC) 10V 15mohm @ 15a,10v 4V @ 1mA 24.5 NC @ 10 V ±20V 1838 PF @ 25 V - 94W(TC)
BUK7Y4R8-60EX Nexperia USA Inc. BUK7Y4R8-60EX 2.0700
RFQ
ECAD 9477 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 buk7y4 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 60 V 100A(TC) 10V 4.8mohm @ 25a,10v 4V @ 1mA 73.1 NC @ 10 V ±20V 5520 PF @ 25 V - 238W(TC)
BUK9Y11-80EX Nexperia USA Inc. BUK9Y11-80EX 1.6100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 buk9y11 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 80 V 84A(TC) 5V 10mohm @ 25a,10v 2.1V @ 1mA 44.2 NC @ 5 V ±10V 6506 pf @ 25 V - (194W)(TC)
BUK9Y12-80E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y12-80E,115 -
RFQ
ECAD 6558 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 SC-100,SOT-669 BUK9Y12 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 934067028115 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 80 V - - - - -
BUK9Y3R5-40E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y3R5-40E,115 1.5500
RFQ
ECAD 5414 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101,Trenchmos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 buk9y3 MOSFET (金属 o化物) LFPAK56,Power-SO8 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 40 V 100A(TC) 5V 3.6mohm @ 25a,10v 2.1V @ 1mA 30.2 NC @ 5 V ±10V 5137 PF @ 25 V - 167W(TC)
PDTA144VMB,315 Nexperia USA Inc. PDTA144VMB,315 0.0361
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 3-XFDFN PDTA144 250兆 DFN1006B-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 50 V 100 ma 1µA pnp-预先偏见 150MV @ 500µA,10mA 40 @ 5mA,5V 180 MHz 47科姆斯 10 kohms
PH7630DLX Nexperia USA Inc. PH7630DLX -
RFQ
ECAD 1833年 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 - PH7630 MOSFET (金属 o化物) - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 30 V - - - - -
PMBT3904MB,315 Nexperia USA Inc. PMBT3904MB,315 0.2900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 3-XFDFN PMBT3904 250兆 DFN1006B-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 10,000 40 V 200 ma 500NA(ICBO) NPN 200mv @ 1mA,10mA 100 @ 10mA,1V 300MHz
PMDPB80XP,115 Nexperia USA Inc. PMDPB80XP,115 0.1438
RFQ
ECAD 1561年 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 6-UFDFN暴露垫 PMDPB80 MOSFET (金属 o化物) 485MW 6-Huson(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 2.7a 102MOHM @ 2.7A,4.5V 1V @ 250µA 8.6nc @ 4.5V 550pf @ 10V 逻辑水平门,1.8V
PMEG2020EPK,315 Nexperia USA Inc. PMEG2020 EPK,315 0.4100
RFQ
ECAD 155 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 2-XDFN PMEG2020 肖特基 DFN1608D-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 8,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 20 v 450 mv @ 2 a 5 ns 900 µA @ 20 V 150°C (最大) 2a 120pf @ 1V,1MHz
PMEG4010EPK,315 Nexperia USA Inc. PMEG4010EPK,315 0.4200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 2-XDFN PMEG4010 肖特基 DFN1608D-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 8,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 600 mV @ 1 A 3 ns 4 µA @ 1 V 150°C (最大) 1a 60pf @ 1V,1MHz
PMEG4010ETR,115 Nexperia USA Inc. PMEG4010ETR,115 0.4000
RFQ
ECAD 73 0.00000000 Nexperia USA Inc. - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOD-123W PMEG4010 肖特基 SOD-123W 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 490 mv @ 1 A 4.4 ns 50 µA @ 40 V 175°c (最大) 1a 130pf @ 1V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库