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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LM194H-MCP | 46.9500 | ![]() | 28 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM2724MX/NOPB | 0.7500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | LM2724 | - | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD18503KC | 0.8300 | ![]() | 740 | 0.00000000 | 国家半导体 | NexFet™ | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 353 | n通道 | 40 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 4.5MOHM @ 75A,10V | 2.3V @ 250µA | 36 NC @ 10 V | ±20V | 3150 pf @ 20 V | - | 188W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5962-8777801XA | 35.2700 | ![]() | 201 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 5962-877801 | TO-39-3 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 9 | 42 v | - | npn-达灵顿 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX585-B51,115 | - | ![]() | 1181 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | ±2% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | BZX585-B51 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | 0000.00.0000 | 1 | 1.1 V @ 100 mA | 50 NA @ 35.7 V | 51 v | 180欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4307MJTX | 28.8200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3725 | 14.7500 | ![]() | 2083 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-205AA,TO-5-3金属可以 | 2N3725 | 800兆 | TO-5 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 1 a | 10µA | NPN | 950mv @ 100mA,1a | 60 @ 100mA,1V | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2219AJTXV | 3.7100 | ![]() | 167 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3595JTX | 1.8700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N3595JTXV | 2.0800 | ![]() | 245 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2003TM | 1.0000 | ![]() | 1301 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | DS2003 | 926MW | 16 SOP | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 55V | 500mA | 100µA | 7 NPN达灵顿 | 1.6V @ 500µA,350mA | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | lp395z | - | ![]() | 5250 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 36 V | 100 ma | - | NPN | 2.1V @ 100mA,2a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1N3070 | 1.0000 | ![]() | 6650 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 NA @ 175 V | - | 100mA | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2003CMX/NOPB | 1.0000 | ![]() | 6548 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | 供应商不确定 | 到达不受影响 | 2156-DS2003CMX/NOPB-14 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DS2004cm | 0.3300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜85°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | DS2004 | 926MW | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 55V | 500mA | 500µA | 7 NPN达灵顿 | 1.6V @ 500µA,350mA | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2904A | 23.4800 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | - | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 3 W | TO-236AB(SOT23) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 14 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 40 @ 500mA,10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM3086J | 1.0800 | ![]() | 924 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C | 通过洞 | 14-CDIP (0.300英寸,7.62mm) | 300MW | 14-Cerdip | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - | 15V | 50mA | 5 NPN | - | 550MHz | 3.25db @ 1kHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5962-8777801YA | 22.2600 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 5962-877801 | 到3-2 | 下载 | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 42 v | - | npn-达灵顿 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM195K/883 | 33.3700 | ![]() | 358 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜150°C | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 到3-2 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 42 v | - | npn-达灵顿 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
2N2218AJTX | 1.0000 | ![]() | 7507 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LP395Z/T1 | - | ![]() | 3060 | 0.00000000 | 国家半导体 | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM395T | 2.7800 | ![]() | 180 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜125°C(TA) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 109 | 36 V | 2.2 a | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | LM195H/883 | 34.3800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 国家半导体 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C〜125°C | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | TO-39-3 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 9 | 42 v | - | npn-达灵顿 | - | - | - |
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