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（1062）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BZB984-C3V3,115	0.0400	RFQ	5822	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	SOT-663				265兆	SOT-663	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZB984-C3V3,115-954	Ear99	8541.10.0050	1	1对公共阳极																	900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V					3.3 v	85欧姆
BZX585-B3V0,115	-	RFQ	1500	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				300兆	SOD-523	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX585-B3V0,115-954			1																		1.1 V @ 100 mA	10 µA @ 1 V					3 V	95欧姆
TDZ8V2J，115	0.0300	RFQ	28	NXP半导体	汽车，AEC-Q101，TDZXJ	大部分	积极的	±2％		-55°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F	TDZ8V2			500兆	SOD-323F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-TDZ8V2J，115-954			10,414																		1.1 V @ 100 mA	700 na @ 5 V					8.2 v	10欧姆
BSP100,135	0.2000	RFQ	28	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-BSP100,135-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					30 V	3.2A（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.2a，10v	2.8V @ 1mA	6 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 20 V	-	8.3W（TC）
BZX84-A20,215	0.1000	RFQ	127	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±1％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-A20,215-954	Ear99	8541.10.0050	1																		900 mv @ 10 ma	50 na @ 14 V					20 v	55欧姆
BZV55-B3V0,115	0.0200	RFQ	86	NXP半导体	-	大部分	积极的	±2％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-B3V0,115-954			1																		900 mv @ 10 ma	10 µA @ 1 V					3 V	95欧姆
1PS66SB17,115	1.0000	RFQ	1033	NXP半导体	*	大部分	积极的						1PS66					下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-1PS66SB17,115-954			1
BZX84J-B16,115	0.0300	RFQ	16	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±2％		150°C（TJ）	表面安装	SC-90，SOD-323F				550兆	SOD-323F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84J-B16,115-954			10,051																		1.1 V @ 100 mA	50 NA @ 11.2 V					16 V	20欧姆
BZT52H-C68,115	0.0200	RFQ	181	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C（TA）	表面安装	SOD-123F	BZT52			375兆	SOD-123F	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZT52H-C68,115-954			1																		900 mv @ 10 ma	50 NA @ 47.6 V					68 v	160欧姆
BUK7Y59-60EX	-	RFQ	7909	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK56，Power-SO8	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BUK7Y59-60EX-954	Ear99	8541.29.0095	1		n通道					60 V	17a（TC）	10V	59mohm @ 5a，10v	4V @ 1mA	7.8 NC @ 10 V	±20V	494 pf @ 25 V	-	37W（TC）
PSMN070-200P，127	1.1300	RFQ	8	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN070-200P，127-954			1		n通道					200 v	35A（TC）	10V	70mohm @ 17a，10v	4V @ 1mA	77 NC @ 10 V	±20V	4570 pf @ 25 V	-	250W（TC）
PMPB95ENEA/FX	0.1200	RFQ	5	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-udfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		DFN2020MD-6	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PMPB95ENEA/FX-954			1		n通道					80 V	4.1a（ta）	4.5V，10V	105MOHM @ 2.8A，10V	2.7V @ 250µA	14.9 NC @ 10 V	±20V	504 pf @ 40 V	-	1.6W（TA）
PHD71NQ03LT，118	-	RFQ	7622	NXP半导体	Trenchmos™	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PHD71NQ03LT，118-954			1		n通道					30 V	75A（TC）	5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	13.2 NC @ 5 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	120W（TC）
PSMN2R0-60ES，127	1.4000	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	PSMN2R0		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	供应商不确定	到达不受影响	2156-PSMN2R0-60ES，127-954			1		n通道					60 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 25A，10V	4V @ 1mA	137 NC @ 10 V	±20V	9997 PF @ 30 V	-	338W（TC）
BZV55-C6V8,115	0.0200	RFQ	287	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	llds;最小	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV55-C6V8,115-954			1																		900 mv @ 10 ma	2 µA @ 4 V					6.8 v	15欧姆
BZV85-C75,113	0.0300	RFQ	103	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1.3 w	do-41	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZV85-C75,113-954	Ear99	8541.10.0050	1																		1 V @ 50 mA	50 NA @ 53 V					75 v	225欧姆
BZX79-C3V3,133	0.0200	RFQ	170	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				400兆	Alf2	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX79-C3V3,133-954		0000.00.0000	1																		900 mv @ 10 ma	5 µA @ 1 V					3.3 v	95欧姆
BAP70-02/AX	0.2300	RFQ	66	NXP半导体	*	大部分	积极的											-	供应商不确定	到达受影响	2156-BAP70-02/AX-954			1
BZX84-C18,235	0.0200	RFQ	124	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆	TO-236AB	下载	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BZX84-C18,235-954			1																		900 mv @ 10 ma	50 NA @ 12.6 V					18 V	45欧姆
BUK7M21-40E，115	1.0000	RFQ	6146	NXP半导体	*	大部分	积极的											-					0000.00.0000	1
BZX79-C36143	0.0200	RFQ	90	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载				Ear99	8541.10.0050	1
BZB84-C2V7,215	-	RFQ	4810	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZB84-C2V7			300兆	TO-236AB	下载					0000.00.0000	1	1对公共阳极																	900 mv @ 10 ma	20 µA @ 1 V					2.7 v	100欧姆
BZX84-C15/CH，235	0.0200	RFQ	100	NXP半导体	*	大部分	积极的											下载				Ear99	8541.10.0050	1
PMCM6501VPEZ	0.2000	RFQ	7	NXP半导体	-	大部分	积极的			-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-XFBGA，WLCSP			MOSFET （金属 o化物）		6-WLCSP（1.48x0.98）	下载				Ear99	8541.29.0095	1,528		P通道					12 v	6.2a（ta）	1.8V，4.5V	25mohm @ 3A，4.5V	900mv @ 250µA	29.4 NC @ 4.5 V	±8V	1400 pf @ 6 V	-	556毫米（TA），12.5W（tc）
BZV90-C10,115	0.1700	RFQ	4	NXP半导体	-	大部分	积极的	±5％		-65°C〜150°C	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w	SOT-223	下载				Ear99	8541.10.0050	1,745																		1 V @ 50 mA	200 na @ 7 V					10 v	20欧姆
MW7IC930NR1	59.9800	RFQ	2	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	TO-270-16变体，平面线		920MHz〜960MHz	LDMO （双）		TO-270WB-16	-			2156-MW7IC930NR1	Ear99	8542.33.0001	6	2 n通道		10µA	285 MA	3.2W	35.9dB											-					28 V
RD6.2FM（01）-T1-AZ	-	RFQ	3520	NXP半导体	-	大部分	过时的	±6.45％		150°C（TJ）	表面安装	do-214ac，SMA				1 w	2-power迷你模具	-			2156-RD6.2FM（01）-t1-az			1																			20 µA @ 3 V					6.2 v	40欧姆
MW7IC930GNR1	-	RFQ	3875	NXP半导体	-	大部分	过时的		65 v		表面安装	TO-270-16变体，鸥翼		920MHz〜960MHz	LDMO （双）		TO-270 WBL-16海鸥	-			2156-MW7IC930GNR1			1	2 n通道		10µA	285 MA	3.2W	35.9dB											-					28 V
MRF6V2150NBR1	59.8400	RFQ	164	NXP半导体	-	大部分	过时的		110 v		底盘安装	TO-272BB		450MHz	ldmos		TO-272 WB-4	-			2156-MRF6V2150NBR1	Ear99	8541.21.0075	6	n通道		-	450 MA	150W	25DB											-					50 V
PQMH9Z	0.0300	RFQ	8934	NXP半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的				表面安装	6-xfdfn暴露垫				230MW	DFN1010B-6	-			2156-PQMH9Z			2,592																				50V	100mA		1µA			2 NPN-预先偏见	100mV @ 250µA，5mA	100 @ 5mA，5V	230MHz	10KOHMS	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（1062）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²