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离散半导体产品（（471）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
CSD87333Q3DT	1.5500	RFQ	325	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD87333Q3	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）			30V	15a		14.3MOHM @ 4A，8V	1.2V @ 250µA	4.6NC @ 4.5V		662pf @ 15V	逻辑水平门，5v驱动器
CSD19535KC	3.4500	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19535	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	100 v	150a（ta）	6V，10V	3.6mohm @ 100a，10v	3.4V @ 250µA	101 NC @ 10 V	±20V	7930 PF @ 50 V	-	300W（TC）
CSD17322Q5A	0.4616	RFQ	12	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17322	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	87A（TC）	4.5V，8V	8.8mohm @ 14a，8v	2V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±10V	695 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD17313Q2Q1T	0.8664	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD173	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道	30 V	5A（5A）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），17W（tc）
CSD18542KTTT	3.0200	RFQ	10	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18542	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	60 V	200a（200a）（170a tc）（TC）	4.5V，10V	4MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	5070 pf @ 30 V	-	250W（TC）
CSD19505KTT	3.4400	RFQ	142	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19505	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道	80 V	200a（200a）	6V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	7920 PF @ 40 V	-	300W（TC）
ULN2803ADW	0.8520	RFQ	4904	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40																					50V	500mA			-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD87503Q3ET	1.7500	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD87503	MOSFET （金属 o化物）	15.6W	8-VSON（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（双）公共来源			30V	10a（10a）		-	2.1V @ 250µA	17.4NC @ 4.5V		1020pf @ 15V	-
CSD17559Q5	2.9500	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17559	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	40a（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 40a，10v	1.7V @ 250µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	9200 PF @ 15 V	-	3.2W（ta），96w（tc）
CSD17522Q5A	1.2100	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17522	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	87A（TC）	4.5V，10V	8.1MOHM @ 14A，10V	2V @ 250µA	4.3 NC @ 4.5 V	±20V	695 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD25310Q2T	1.1600	RFQ	22	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD25310Q2	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			P通道	20 v	20A（TA）	1.8V，4.5V	23.9MOHM @ 5A，4.5V	1.1V @ 250µA	4.7 NC @ 4.5 V	±8V	655 pf @ 10 V	-	2.9W（TA）
CSD87501L	1.0000	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-xflga	CSD87501	MOSFET （金属 o化物）	2.5W	10 picostar（3.37x1.47）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共排水			-	-		-	2.3V @ 250µA	40NC @ 10V		-	逻辑级别门
CSD19534Q5A	1.0500	RFQ	113	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19534	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	44A（TC）	6V，10V	15.1MOHM @ 10A，10V	3.4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1680 pf @ 50 V	-	3.2W（TA），63W（tc）
TPIC1502DW	-	RFQ	1602	Texas Instruments	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	24-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）	TPIC15	MOSFET （金属 o化物）	2.86W	24-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	-			20V	1.5a		300MOHM @ 1.5A，10V	2.2V @ 1mA	2.1nc @ 10V		98pf @ 14V	逻辑级别门
CSD17577Q5A	0.8200	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17577	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	30 V	60a（ta）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 18A，10V	1.8V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	2310 PF @ 15 V	-	（3W）（53W（ta）（TC）
bav23clt1g	-	RFQ	4391	Texas Instruments	*	大部分	积极的								下载						0000.00.0000	1
CSD25480F3	0.4600	RFQ	11	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25480	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道	20 v	1.7A（TA）	1.8V，8V	132MOHM @ 400mA，8v	1.2V @ 250µA	0.91 NC @ 4.5 V	-12V	155 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD25404Q3	1.1500	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25404	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	20 v	104a（TC）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	14.1 NC @ 4.5 V	±12V	2120 PF @ 10 V	-	2.8W（ta），96w（tc）
CSD17579Q3AT	1.2200	RFQ	5	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD17579	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			n通道	30 V	20A（TA）	4.5V，10V	10.2MOHM @ 8A，10V	1.9V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	998 PF @ 15 V	-	3.2W（TA），29W（tc）
CSD19503KC	1.7300	RFQ	1377年	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19503	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	80 V	100A（TA）	6V，10V	9.2MOHM @ 60a，10V	3.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 40 V	-	188W（TC）
CSD18540Q5B	2.6700	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18540	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	60 V	100A（TA）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 28A，10V	2.3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	4230 PF @ 30 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD19532Q5B	2.6400	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD19532	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	100 v	100A（TA）	6V，10V	4.9mohm @ 17a，10v	3.2V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	4810 PF @ 50 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
SN75468DE4	-	RFQ	4930	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	75468		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40																					100V	500mA			-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD23381F4T	0.9400	RFQ	18	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250			P通道	12 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	175mohm @ 500mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.14 NC @ 6 V	-8V	236 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
ULN2803AN-P	-	RFQ	1762年	Texas Instruments	*	大部分	积极的				ULN2803				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-ULN2803AN-P-296			1
CSD87330Q3D	1.5600	RFQ	33	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87330	MOSFET （金属 o化物）	6W	8-lson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（半桥）			30V	20a		-	2.1V @ 250µA	5.8NC @ 4.5V		900pf @ 15V	逻辑级别门
CSD25404Q3T	1.3800	RFQ	9	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	CSD25404	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （3x3.15）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250			P通道	20 v	104a（TC）	1.8V，4.5V	6.5MOHM @ 10a，4.5V	1.15V @ 250µA	14.1 NC @ 4.5 V	±12V	2120 PF @ 10 V	-	2.8W（ta），96w（tc）
JFE2140DR	4.4800	RFQ	1	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	JFE2140			8-SOIC	下载	不适用	2（1年）			Ear99	8541.29.0095	2,500			2 n 通道（双）	40 V							13pf @ 5V												40 V	1.5 V @ 0.1 µA						50 mA
CSD17484F4	0.4800	RFQ	57	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17484	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	30 V	3A（3A）	1.8V，8V	121MOHM @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.2 NC @ 4.5 V	12V	195 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
UC3611N	6.9300	RFQ	294	Texas Instruments	-	管子	积极的		通过洞	8 点点（0.300英寸，7.62mm）	UC3611	肖特基		8-pdip	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												4独立	50 V	3A（DC）	1.2 V @ 1 A	20 ns	100 µA @ 40 V	-0°C〜70°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（471）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²