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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | R8008anx | 3.3082 | ![]() | 4350 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 大部分 | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | R8008 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | n通道 | 800 v | 8a(8a) | 10V | 1.03OHM @ 4A,10V | 5V @ 1mA | 39 NC @ 10 V | ±30V | 1080 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | TFZVTR27B | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TFZVTR27 | 500兆 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 21 V | 27 V | 45欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | tfzvtr6.2b | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | TFZVTR6.2 | 500兆 | tumd2m | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µA @ 3 V | 6.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R11b | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 8 V | 11 V | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R15B | 0.2700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 11 V | 15 v | 42欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R18B | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 13 V | 18 V | 65欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R27B | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 21 V | 27 V | 150欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R36B | 0.2700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm半导体 | CDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 27 V | 36 V | 300欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R3.0B | 0.2700 | ![]() | 38 | 0.00000000 | Rohm半导体 | CDZV | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 50 µA @ 1 V | 3 V | 120欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDZVT2R4.7B | 0.2700 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | 2-SMD,平坦的铅 | CDZVT2 | 100兆 | VMN2M | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µA @ 1 V | 4.7 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZLVTE-1762 | 0.3000 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | udzlvte | 200兆 | SOD-323FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µA @ 47 V | 62 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UDZLVTE-17150 | 0.3000 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | udzlvte | 200兆 | SOD-323FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 120 V | 150 v | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | EDZTE613.6B | - | ![]() | 4610 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±3% | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | Edzte613 | 150兆 | EMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µA @ 1 V | 3.6 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RSH100N03TB1 | 0.4998 | ![]() | 7702 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RSH100 | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 10a(10a) | 4V,10V | 13.3mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 20 nc @ 5 V | ±20V | 1070 pf @ 10 V | - | 2W(TA) | |||||||||||||||||||||
![]() | SH8M24TB1 | 1.6800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | SH8M24 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 45V | 4.5a,3.5a | 46mohm @ 4.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 9.6nc @ 5V | 550pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | PTZTE258.2A | 0.2014 | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | ±6% | - | 表面安装 | do-214ac,SMA | PTZTE258.2 | 1 w | PMD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 20 µA @ 5 V | 8.2 v | 4欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1182TLQ | 1.0600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 2SB1182 | 10 W | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 32 v | 2 a | 1µA(ICBO) | PNP | 800mv @ 200mA,2a | 120 @ 500mA,3v | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BSM300D12P2E001 | 852.5400 | ![]() | 67 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 底盘安装 | 模块 | BSM300 | (SIC) | 1875W | 模块 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 n 通道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 300A(TC) | - | 4V @ 68mA | - | 35000pf @ 10V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | EDZFTE6112B | - | ![]() | 6194 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | Edzft | 100兆 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-Edzfte6112btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMD2NFHATR | 0.4800 | ![]() | 24 | 0.00000000 | Rohm半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMD2 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-UMD2NFHATR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 500µA,10mA | 56 @ 5mA,5V | 250MHz | 22KOHMS | 22KOHMS | |||||||||||||||||||||||
![]() | EDZLDTE6111B | - | ![]() | 1756年 | 0.00000000 | Rohm半导体 | Edz | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | -55°C〜125°C | 表面安装 | Edzldt | 100兆 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 846-Edzldte6111btr | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA143TUBTL | 0.0366 | ![]() | 5803 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTA143 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DTA124TCAT116 | 0.3700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | DTA124 | 200兆 | SST3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 500NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 500µA,5mA | 100 @ 1mA,5V | 250 MHz | 22 KOHMS | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2sar523ubtl | 0.2100 | ![]() | 4304 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-85 | 2SAR523 | 200兆 | UMT3F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 400mv @ 5mA,50mA | 120 @ 1mA,6v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | EMA8T2R | 0.1035 | ![]() | 6135 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | 6-SMD(5条线),平坦的铅 | EMA8T2 | 300MW | EMT5 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP-) | 300mv @ 500µA,10mA | 68 @ 5mA,5V | - | 10KOHMS | 47kohms | ||||||||||||||||||||||||
![]() | DTC363EUT106 | - | ![]() | 5816 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | DTC363 | 200兆 | UMT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 20 v | 600 MA | 500NA | npn-预先偏见 | 80mv @ 2.5mA,50mA | 70 @ 50mA,5V | 200 MHz | 6.8科姆斯 | 6.8科姆斯 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RSD160P05TL | 1.0100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | RSD160 | MOSFET (金属 o化物) | CPT3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 45 v | 16A(TA) | 4V,10V | 50mohm @ 16a,10v | 3V @ 1mA | 16 NC @ 5 V | ±20V | 2000 pf @ 10 V | - | 20W(TC) | |||||||||||||||||||||
![]() | BM63763S-VC | 20.0347 | ![]() | 6247 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块(1.327英寸,33.70mm) | IGBT | BM63763 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 846-BM63763S-VC | Ear99 | 8542.39.0001 | 60 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 1500vrms | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | UMB11NTN | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | UMB11 | 150MW | UMT6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 500NA | 2 PNP-) | 300mv @ 500µA,10mA | 20 @ 5mA,5V | 250MHz | 10KOHMS | 10KOHMS | ||||||||||||||||||||||||
![]() | Udzvte-1712b | 0.2700 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Rohm半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | -55°C〜150°C | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | Udzvte | 200兆 | UMD2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 100 na @ 9 V | 12 v | 30欧姆 |
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