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离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
RJK2557DPA-00＃j0	-	RFQ	7551	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RJK2557		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		250 v	17A（TA）	10V	128MOHM @ 8.5A，10V	-	20 nc @ 10 V	±30V	1250 pf @ 25 V	-	30W（TC）
RJK4006DPP-M0 ＃T2	-	RFQ	1290	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJK4006		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	8a（8a）	10V	800MOHM @ 4A，10V	-	20 nc @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	29W（TC）
RJK5013DPE-00＃j3	-	RFQ	4053	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83	RJK5013		MOSFET （金属 o化物）		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		500 v	14A（TA）	10V	465MOHM @ 7A，10V	-	38 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	100W（TC）
RJK5014DPP-E0 ＃T2	-	RFQ	4901	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	（19a ta）	10V	390MOHM @ 9.5A，10V	-	46 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	35W（TC）
RJK5026DPP-E0 ＃T2	-	RFQ	1547年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	6a（6a）	10V	1.7OHM @ 3A，10V	-	14 NC @ 10 V	±30V	440 pf @ 25 V	-	28.5W（TC）
RJK6026DPE-00＃j3	-	RFQ	5060	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83	RJK6026		MOSFET （金属 o化物）		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	5A（5A）	10V	2.4OHM @ 2.5a，10v	-	14 NC @ 10 V	±30V	440 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
UPA2672T1R-E2-AX	-	RFQ	5597	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-WFDFN暴露垫	UPA2672		MOSFET （金属 o化物）	2.3W	6-Huson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）			12V	4a		67MOHM @ 2A，4.5V	-	5NC @ 4.5V		486pf @ 10V	逻辑水平门，1.8V
UPA2737GR-E1-AT	-	RFQ	2029	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	13mohm @ 11a，10v	-	45 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
UPA2738GR-E1-AT	-	RFQ	5539	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	10a（10a）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	-	37 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
UPA2815T1S-E2-AT	0.5181	RFQ	9509	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	UPA2815		MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-UPA2815T1S-E2-ATCT	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道		30 V	21a（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 21a，10v	-	47 NC @ 10 V	±20V	1760 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
UPA2822T1L-E1-AT	-	RFQ	4768	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	UPA2822		MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	34A（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 34a，10v	-	83 NC @ 10 V	±20V	4660 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
2SK1317-E	6.9200	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK1317		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-2SK1317-E	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	2.5a（ta）	15V	12ohm @ 2a，15v	-		±20V	990 pf @ 10 V	-	100W（TC）
2SK1340-E	-	RFQ	4864	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK1340		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		900 v	5A（5A）	10V	4ohm @ 3a，10v	-		±30V	740 pf @ 10 V	-	100W（TC）
2SK1775-E	-	RFQ	6507	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK1775		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		900 v	8a（8a）	10V	1.6OHM @ 4A，10V	-		±30V	1730 PF @ 10 V	-	60W（TC）
2SK1859-E	-	RFQ	7099	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK1859		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		900 v	6a（6a）	10V	3欧姆 @ 3A，10V	-		±30V	980 pf @ 10 V	-	60W（TC）
BCR16PM-16LH-1 ＃B00	-	RFQ	7720	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	BCR16PM				TO-220F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.30.0080	1	单身的													标准	800 v	16 a	1.5 v	160a @ 60Hz	35 MA
N0412N-S19-AY	2.2000	RFQ	974	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	N0412N-S19		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-N0412N-S19-AY	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	100A（TA）	10V	3.7MOHM @ 50a，10v	-	100 nc @ 10 V	±20V	5550 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），119w（tc）
N0603N-S23-AY	2.8400	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	N0603N-S23		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-N0603N-S23-AY	Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	100A（TA）	10V	4.6mohm @ 50a，10v	-	133 NC @ 10 V	±20V	7730 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），156w（tc）
NP40N10PDF-E1-AY	-	RFQ	2158	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D²Pak）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	40a（TC）	4.5V，10V	27mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	1.8W（ta），120W（tc）
NP40N10YDF-E1-AY	-	RFQ	7762	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hson	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	40a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	3150 pf @ 25 V	-	1W（ta），120W（tc）
NP60N055MUK-S18-AY	-	RFQ	1562	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NP60N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		55 v	60a（TC）	10V	6mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），105W（（tc）
NP60N055NUK-S18-AY	-	RFQ	4999	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	NP60N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	60a（TC）	10V	6mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），105W（（tc）
NP89N04NUK-S18-AY	-	RFQ	2472	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	NP89N04		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	90A（TC）	10V	3.3MOHM @ 45A，10V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
NP89N055MUK-S18-AY	-	RFQ	6524	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	NP89N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	90A（TC）	10V	4.4mohm @ 45A，10V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
RJH60D7ADPK-00 t0	-	RFQ	9714	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJH60D7	标准		300 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJH60D7ADPK00T0	Ear99	8541.29.0095	1			300V，50a，5ohm，15V																	100 ns	沟	600 v	90 a	2.2V @ 15V，50a	1.1mj（在）上，600µJ（600µJ）	130 NC	60NS/190NS
RJH60A83RDPN-E0 ＃T2	2.2100	RFQ	73	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	RJH60A	标准			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJH60A83RDPNE0T2	Ear99	8541.29.0095	1			-																	150 ns	-	600 v	20 a	-	-		-
RJH60A83RDPP-M0 ＃T2	-	RFQ	2154	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJH60A	标准		30 W	TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJH60A83RDPPM0T2	Ear99	8541.29.0095	1			300V，10a，5ohm，15V																	130 ns	沟	600 v	20 a	2.6V @ 15V，10a	（230µJ）（在160µJ）上（OFF）	19.7 NC	31ns/54ns
rjp60v0dpm-00 t1	3.5500	RFQ	38	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJP60V0	标准		40 W	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJP60V0DPM00T1	Ear99	8541.29.0095	1			300V，22a，5ohm，15V																		沟	600 v	45 a	2.1V @ 15V，22a	-	75 NC	45NS/100NS
RJH60A85RDPE-00＃j3	-	RFQ	1162	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83	RJH60A	标准		113 W	ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			300V，15A，5OHM，15V																	160 ns	沟	600 v	30 a	1.8V @ 15V，15a	430µJ（在）上，300µJ（300µJ）	56 NC	40NS/86NS
RJH1CV7DPK-00 t0	-	RFQ	4034	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		320 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	RJH1CV7DPK00T0	Ear99	8541.29.0095	1			600V，35A，5OHM，15V																	200 ns	沟	1200 v	70 a	2.3V @ 15V，35a	3.2MJ（在）上，2.5MJ（2.5MJ）	166 NC	53ns/185ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²