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离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
NP80N055PDG-E1B-ay	1.8700	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					55 v	80A（TC）	6.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
NE3515S02-T1C-A	1.0000	RFQ	7495	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		12GHz	HFET		S02	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	2,000				88mA	10 MA	14dBm	12.5db									0.3dB									2 v
RJK0355DPA-01＃j0b	0.8500	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	30a（TA）	10.7MOHM @ 15A，10V	-	6.3 NC @ 4.5 V	860 pf @ 10 V	-	25W（TC）
RJK0394DPA-00＃j5a	0.8500	RFQ	96	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	35A（TA）	5.3MOHM @ 17.5A，10V	-	15.5 NC @ 4.5 V	2430 pf @ 10 V	-	35W（TC）
NESG2021M16-T3-A	0.5600	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	6-SMD，平坦的铅				175MW	M16，1208	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	10,000							10db〜18dB																5V	35mA		NPN	130 @ 5mA，2V	25GHz	0.9db〜1.3db @ 2GHz〜5.2GHz
UPA2211T1M-T1-AT	0.7500	RFQ	26	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		8-VSOF	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					12 v	7.5A（ta）	25mohm @ 7.5a，4.5V	1.5V @ 1mA	14.9 NC @ 4.5 V	1350 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
NE5500234-T1-AZ	2.6200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	20 v			TO-243AA		1.9GHz	MOSFET		SOT-89	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0075	115	n通道			1a	400 MA	32.5dBm	-									-									4.8 v
KGF16N05D-400W	-	RFQ	7885	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	20-uflga，Csp	kgf16		MOSFET （金属 o化物）	2.5W（TA）	20-WLCSP （2.48x1.17）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	559-KGF16N05D-400WTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）公共来源							5.5V	16A（TJ）	1.9MOHM @ 8A，4.5V	900mv @ 250µA	5.5nc @ 4.5V	600pf @ 5V	-
2SC5606-T1-A	1.0000	RFQ	4600	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-523				115MW	SOT-523	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000							14dB																3.3V	35mA		NPN	60 @ 5mA，2V	21GHz	1.2dB @ 2GHz
UPA603T-T2-A	0.1700	RFQ	57	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-59-6	UPA603		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-59	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）							50V	100mA	60ohm @ 10mA，10v	2.5V @ 1µA	-	17pf @ 5V	-
NP90N055VDG-E1-AY	1.6200	RFQ	750	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					55 v	90A（TC）	6mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	6900 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
RKD703KK＃r6	0.1100	RFQ	208	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	2-SMD，平坦的铅	RKD703		肖特基		2-SFP	-	不适用			Ear99	0000.00.0000	8,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															30 V	600 mv @ 100 ma	50 µA @ 30 V	125°c （最大）	100mA	5pf @ 1V，1MHz
HSL278KRF-E	0.1200	RFQ	79	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	2-SMD，平坦的铅			肖特基		2-EFP	-	不适用			Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															30 V	950 mv @ 30 ma	700 NA @ 10 V		30mA	1.5pf @ 1V，1MHz
RJK0366DPA-00＃j0	0.8500	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	25A（TA）	11.1MOHM @ 12.5A，10V	-	6.8 NC @ 10 V	1010 PF @ 10 V	-	30W（TC）
UPA2792AGR-E1-AT	0.9900	RFQ	107	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度）	UPA2792		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							30V	10a	12.5MOHM @ 5A，10V	-	42NC @ 10V	2200pf @ 10V	逻辑级别门
UPA811T-T1-A	0.4300	RFQ	18	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363				200MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000							7.5dB																10V	35mA		2 NPN （双）	80 @ 5mA，3v	8GHz	1.9dB @ 2GHz
RJK0346DPA-00＃j0	-	RFQ	8999	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	65A（TA）	2mohm @ 32.5a，10v	-	49 NC @ 4.5 V	7650 pf @ 10 V	-	65W（TC）
HAT2218R-EL-E	0.7700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HAT2218		MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-sop	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）							30V	7.5a，8a	24mohm @ 3.75a，10v	-	4.6NC @ 4.5V	630pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
NP90N04VLG-E1-AY	1.6800	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					40 V	90A（TC）	4mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	6900 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
RJK03N6DPA-00＃j5a	0.7000	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	40a（ta）	3.8mohm @ 20a，10v	-	19 nc @ 4.5 V	3220 pf @ 10 V	-	35W（TC）
NP161N04TUG-E1-AY	3.8500	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800			n通道					40 V	160a（TC）	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	345 NC @ 10 V	20.25 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），250W（TC）
UPA2451CTL-E1-A	0.6100	RFQ	392	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	6-VFDFN暴露垫	UPA2451		MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-hwson	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	8.2a	20mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.3nc @ 4V	605pf @ 10V	逻辑级别门
UPA1809GR-9JG-E2-A	0.5500	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	8a（8a）	21MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	10 NC @ 10 V	520 pf @ 10 V	-
2SK2090-T2-A	0.2000	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3，SSP，微型迷你模具	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					50 V	（100mA）（TA）	20ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA		6000 pf @ 3 V	-
RJK0204DPA-00＃j53	0.9400	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					25 v	50a（ta）	2.7MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 1mA	22 NC @ 4.5 V	4240 pf @ 10 V	-	-
UPA1816GR-9JG-E1-A	0.5800	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					12 v	9a（9a）	15mohm @ 4.5A，4.5V	1.5V @ 1mA	15 NC @ 4 V	1570 pf @ 10 V	-
UPA2791GR-E1-AT	0.7200	RFQ	90	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA2791		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-psop	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道							30V	5a	36mohm @ 3a，10v	2.5V @ 1mA	10NC @ 10V	400pf @ 10V	逻辑级别门
UPA1874BGR-9JG-E1-A	0.7300	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	UPA1874		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-tssop	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							30V	8a	14mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	10NC @ 4V	930pf @ 10V	逻辑级别门
RJK0328DPB-00＃j0	1.4800	RFQ	11	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		-	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	60a（ta）	2.1MOHM @ 30a，10v	-	42 NC @ 4.5 V	6380 pf @ 10 V	-	-
UPA2727UT1A-E1-AY	0.6300	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-vdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	下载	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	16A（TA）	9.6mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	11 NC @ 5 V	1170 pf @ 15 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²