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离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
RJK0703DPN-A0 ＃T2	2.8028	RFQ	1930年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	上次购买	150°C	通过洞	TO-220-3	RJK0703	MOSFET （金属 o化物）		TO-220ABA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道			75 v	70a（ta）	10V	6.7MOHM @ 35A，10V	4V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	125W（TA）
CR05AM 12＃f00	-	RFQ	8672	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜110°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		559-CR05AM-12 f00	Ear99	8541.30.0080	1				3 ma													600 v	470 MA	800 mv	10a @ 60hz	100 µA	1.8 v	300 MA	100 µA	标准恢复
CR05Bm-12＃f00	-	RFQ	8352	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				到92	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		559-CR05BM-12 f00	Ear99	8541.30.0080	1				5 ma													600 v	630 MA	800 mv	8a @ 50Hz	100 µA	1.2 v	500 MA	500 µA	标准恢复
CR05BM-12A ＃BD0	-	RFQ	8133	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	CR05Bm-12			到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	559-CR05BM-12A ＃BD0	Ear99	8541.30.0080	1				5 ma													600 v	630 MA	800 mv	8a @ 50Hz	100 µA	1.2 v	500 MA	500 µA	标准恢复
BCR1AM-12＃f00	-	RFQ	6730	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		559-BCR1AM-12 f00	Ear99	8541.30.0080	1	单身的															标准	600 v	1 a	2 v	10a @ 50Hz	10 MA
CR04AM-12A-A ＃B00	-	RFQ	6869	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	CR04AM-12			到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	559-CR04AM-12A-A ＃B00	Ear99	8541.30.0080	1				3 ma													600 v	630 MA	800 mv	10a @ 60hz	30 µA	1.2 v	400 MA	500 µA	标准恢复
RJK03C0DPA-00＃j53	1.8500	RFQ	463	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			30 V	70a（ta）		2mohm @ 35a，10v	2.5V @ 1mA	66 NC @ 4.5 V		11000 PF @ 10 V	-	65W（TC）
UPA653TT-E1-A	0.3900	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-wsof	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道			30 V	2.5a（ta）		165mohm @ 1.5A，10V	2.5V @ 1mA	3.4 NC @ 10 V		175 pf @ 10 V	-
2SC4536-az	-	RFQ	2856	Renesas Electronics America Inc	-	条	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			2W	SOT-89	-	不适用				Ear99	8541.29.0075	1					7.2dB																											15V	250mA			NPN	60 @ 50mA，10v	-	2DB @ 1GHz
2SJ243-T1-A	0.2600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416		MOSFET （金属 o化物）		SC-75-3，USM	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道			30 V	（100mA）（TA）		25ohm @ 10mA，4V	2.3V @ 10µA			16 pf @ 5 V	-
UPA2590T1H-T1-AT	0.5500	RFQ	66	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2590	MOSFET （金属 o化物）	1.24W	8-VSOF	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道					30V	4.5a		50MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	6.6nc @ 10V		310pf @ 10V	逻辑级别门
HAT2165N-EL-E	1.9100	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-LFPAK-IV	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	55A（ta）		3.6mohm @ 27.5a，10v	-	33 NC @ 4.5 V		5180 pf @ 10 V	-	30W（TC）
UPA2800T1L-E1-AY	0.8100	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-vdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			30 V	17A（TA）		7.3mohm @ 17a，10v	2.5V @ 1mA	17 NC @ 5 V		1770 pf @ 15 V	-
NP70N04MUG-S18-AY	-	RFQ	4833	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100			n通道			40 V	70A（TC）		5mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V		4900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
RJK0366DSP-00＃j0	0.4600	RFQ	22	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	11a（11a）		11.7MOHM @ 5.5A，10V	-	6.8 NC @ 4.5 V		1010 PF @ 10 V	-	-
RJK60S5DPK-M0＃t0	14.8000	RFQ	70	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3psg	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100			n通道			600 v	20A（TC）		178mohm @ 10a，10v	-	27 NC @ 10 V		1600 pf @ 25 V	-
RJK0366DPA-02＃j0b	0.8500	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	25A（TA）		10mohm @ 12.5a，10v	-	6.8 NC @ 4.5 V		1010 PF @ 10 V	-	30W（TC）
2SJ463A-T1-AT	0.1700	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SC-70	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道			30 V	（100mA）（TA）		13ohm @ 10mA，10v	1.7V @ 10µA			5000 pf @ 3 V	-
UPA2450BTL-E1-A	0.5500	RFQ	549	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	6-VFDFN暴露垫	UPA2450	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-hwson	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）					20V	8.6a		17.5MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	8NC @ 4V		520pf @ 10V	逻辑级别门
RJK0329DPB-01＃j0	1.0500	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	55A（ta）		2.3MOHM @ 27.5A，10V	2.5V @ 1mA	35 NC @ 4.5 V		5330 PF @ 10 V	-	60W（TC）
RJJ0315DPA-00＃j5a	1.0000	RFQ	5885	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			30 V	35A（TA）		5.9MOHM @ 17.5A，10V	2.5V @ 1mA	48 NC @ 4.5 V		4300 PF @ 10 V	-	30W（TC）
UPA2590T1H-T2-AT	0.5100	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2590	MOSFET （金属 o化物）	1.24W	8-VSOF	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道					30V	4.5a		50MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	6.6nc @ 10V		310pf @ 10V	逻辑级别门
RJK60S5DPE-00＃j3	14.8000	RFQ	40	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83		MOSFET （金属 o化物）		ldpak	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	20A（TC）		178mohm @ 10a，10v	-	27 NC @ 10 V		1600 pf @ 25 V	-	125W（TC）
RJK60S4DPP-E0 ＃T2	4.6200	RFQ	114	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100			n通道			600 v	16A（TC）		290MOHM @ 8A，10V	-	18 nc @ 10 V		988 PF @ 25 V	-	29.9W（TC）
HVC369BTRF-E	0.1700	RFQ	28	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	SC-79，SOD-523				2-UFP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	4,000																															2.15pf @ 4V，1MHz			单身的	15 v					2.3	C1/C4	-
HAT2173N-EL-E	-	RFQ	8022	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-LFPAK-IV	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			100 v	25A（TA）		15.3MOHM @ 12.5A，10V	6V @ 20mA	61 NC @ 10 V		4350 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2SK1658-T1-A	0.1700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3，SSP，微型迷你模具	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道			30 V	（100mA）（TA）		25ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA			15 pf @ 3 V	-
HAF1002-90STL	1.0000	RFQ	3963	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83		MOSFET （金属 o化物）		ldpak	-	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道			60 V	15A（TA）		90MOHM @ 7.5A，10V	-				-	50W（TC）
RKR0303AKJ＃r6	0.1200	RFQ	656	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	SC-79，SOD-523	RKR0303	肖特基		2-UFP	-	不适用				Ear99	8541.10.0070	8,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								30 V	420 MV @ 300 mA	200 µA @ 30 V	125°c （最大）	300mA	-
NP80N04MHE-S18-AY	1.8400	RFQ	227	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道			40 V	80A（TC）		8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V		3300 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），120W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²