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离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
N0439N-S19-AY	1.1988	RFQ	2513	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	N0439N-S19		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-N0439N-S19-AYCT	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		40 V	90A（TC）	10V	3.3MOHM @ 45A，10V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
RJK0349DSP-01＃j0	0.7088	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RJK0349		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJK0349DSP-01＃j0ct	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	20A（TA）	4.5V，10V	3.8mohm @ 10a，10v	-	25 NC @ 4.5 V	±20V	3850 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
RJP4301APP-M0 ＃T2	-	RFQ	9169	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJP4301	标准		30 W	TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1				300V，200A，30OHM，26V																		-	430 v		200 a	10V @ 26V，200a	-		50NS/100NS
RJU3051SDPE-00＃j3	-	RFQ	1562	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-83			标准		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													360 v	1.7 V @ 10 A	25 ns	1 µA @ 360 V	-55°C〜150°C	10a	-
RJU4351SDPE-00＃j3	-	RFQ	3680	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-83			标准		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													430 v	1.9 V @ 10 A	25 ns	1 µA @ 430 V	-55°C〜150°C	10a	-
RJU6053SDPE-00＃j3	-	RFQ	7426	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-83			标准		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	3 V @ 20 A	25 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	20a	-
UPA1764G-e2-az	-	RFQ	5963	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA1764		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				60V	7a		35MOHM @ 3.5A，10V	-	29nc @ 10V		1300pf @ 10V	-
UPA2735GR-E1-AX	1.0036	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UPA2735		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-UPA2735GR-E1-axct	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	16A（TA）	4.5V，10V	5mohm @ 16a，10v	-	195 NC @ 10 V	±20V	6250 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
UPA2736GR-E1-AX	0.7056	RFQ	3749	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UPA2736		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-UPA2736GR-E1-AXCT	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道		30 V	14A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 14a，10v	-	80 NC @ 10 V	±20V	3400 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
UPA3753GR-E1-AX	0.7655	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UPA3753		MOSFET （金属 o化物）	1.12W	8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-UPA3753GR-E1-AXCT	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				60V	5A（5A）		56mohm @ 2.5a，10v	-	13.4NC @ 10V		640pf @ 10V	-
RJH60T04DPQ-A1＃t0	4.8100	RFQ	567	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJH60T04	标准		208.3 w	TO-247A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJH60T04DPQ-A1 ＃T0	Ear99	8541.29.0095	25				400V，30a，10ohm，15V													100 ns					沟	600 v	60 a		1.95V @ 15V，30a	-	87 NC	54NS/136NS
RJH65T04BDPMA0＃t2f	6.2900	RFQ	9360	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	SC-94	RJH65T04	标准		65 w	TO-3PFP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJH65T04BDPMA0 ＃T2FCT	Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，30a，10ohm，15V													80 ns					沟	650 v	60 a		1.95V @ 15V，30a	360µJ（在）上，350µJ（OFF）	74 NC	35NS/125NS
RJH65T47DPQ-A0 ＃T0	-	RFQ	7186	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJH65T47	标准		375 w	TO-247A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				400V，45A，10OHM，15V													100 ns					沟	650 v	90 a		2.4V @ 15V，45a	（520µJ）（在560µJ上）	127 NC	45NS/190NS
GWS9294	-	RFQ	1941年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-vdfn	GWS92		MOSFET （金属 o化物）	3.6W	4 QFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共排水				20V	10.1a（ta）		13mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 1mA	11NC @ 4V		900pf @ 10V	-
RJU6054TDPP-AJ t2	-	RFQ	1802年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包	RJU6054		标准		TO-220FP-2L	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	3 V @ 20 A	25 ns	1 µA @ 600 V	150°C （最大）	20a	-
UPA2384T1P-E1-A YK1	-	RFQ	7107	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的				UPA2384		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1													-
UPA2386T1P-SSA-A	-	RFQ	6395	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的				UPA2386		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1													-
UPA3710T1A-E2-AY＃YW	-	RFQ	8114	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
UPD703014BGC-A21-8EU-A	-	RFQ	7578	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
UPD70F3102AF1-33-FAA-A	-	RFQ	4740	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
HAT2116H-EL-E	-	RFQ	7380	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2116		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	30a（TA）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 15A，10V	-	26 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 10 V	-	15W（TC）
HAT2166H-EL-E	-	RFQ	2655	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2166		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	45A（TA）	4.5V，10V	3.8mohm @ 22.5a，10v	2.5V @ 1mA	27 NC @ 4.5 V	±20V	4400 pf @ 10 V	-	25W（TC）
HAT2173H-E	-	RFQ	7144	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2173		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	25A（TA）	8V，10V	15mohm @ 12.5a，10v	6V @ 20mA	61 NC @ 10 V	±20V	4350 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2SK3479-Z-E1-AZ	2.0266	RFQ	9181	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263，TO-220SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		100 v	83A（TC）		11mohm @ 42a，10v	-	210 NC @ 10 V		11000 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），125W（tc）
UPA1763G-E1-AT	0.6047	RFQ	8518	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	UPA1763		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-psop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				60V	4.5a		57MOHM @ 2.3a，4.5V	2.5V @ 1mA	20NC @ 10V		870pf @ 10V	逻辑级别门
UPA1917TE-T1-AT	0.1785	RFQ	4352	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-95-6			MOSFET （金属 o化物）		SC-95-6，迷你模具薄	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		20 v	6a（6a）		53MOHM @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	8.1 NC @ 4 V		835 pf @ 10 V	-
UPA1809GR-9JG-E1-A	0.3520	RFQ	6909	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	8a（8a）		21MOHM @ 4A，10V	2.5V @ 1mA	10 NC @ 10 V		520 pf @ 10 V	-
RJK0328DPB-01＃j0	1.5057	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0328		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	42 NC @ 4.5 V	±20V	6380 pf @ 10 V	-	65W（TC）
HAT2174H-E	-	RFQ	1050	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2174		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		100 v	20A（TA）	8V，10V	27mohm @ 10a，10v	-	33.5 NC @ 10 V	±20V	2280 pf @ 10 V	-	20W（TC）
HAT2267H-E	-	RFQ	5220	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2267		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		80 V	25A（TA）	6V，10V	16mohm @ 12.5a，10v	-	30 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²