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离散半导体产品（（5680）

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RJH60D5DPK-00 t0	-	RFQ	8236	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJH60D5	标准		200 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			300V，37A，5OHM，15V																	100 ns	沟	600 v	75 a	2.2V @ 15V，37a	650µJ（在）上，400µJ（400µJ）	78 NC	50NS/135NS
RJH60D7DPM-00 ＃T1	-	RFQ	1926年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJH60D7	标准		55 w	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			300V，50a，5ohm，15V																	100 ns	沟	600 v	90 a	2.2V @ 15V，50a	1.1mj（在）上，600µJ（600µJ）	130 NC	60NS/190NS
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RJH60F5DPQ-A0 ＃T0	-	RFQ	9919	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJH60F5	标准		260.4 w	TO-247A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，30a，5ohm，15V																	90 ns	沟	600 v	80 a	1.8V @ 15V，40a	-		53NS/105NS
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RJK1055DPB-00＃j5	1.7400	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	23a（23A）	10V	17mohm @ 11.5a，10v	-	35 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 10 V	-	60W（TC）
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NP100P06PLG-E1-AY	2.9904	RFQ	8911	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-NP100P06PLG-E1-AYCT	Ear99	8541.29.0095	800		P通道		60 V	100A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 50a，10v	2.5V @ 1mA	300 NC @ 10 V	±20V	15000 pf @ 10 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
NP110N04PUG-E1-AY	-	RFQ	8584	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NP110N04		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	110A（TC）	10V	1.8MOHM @ 55A，10V	4V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±20V	25700 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），288W（tc）
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NP20P04SLG-E1-AY	1.4600	RFQ	11	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NP20P04		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		40 V	20A（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 10 V	-	1.2W（TA），38W（tc）
NP60N03KUG-E1-AY	-	RFQ	6079	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		30 V	60a（TC）	10V	4.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	93 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），88W（tc）
NP60N04KUG-E1-AY	-	RFQ	4131	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	60a（TC）	10V	6.1MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），88W（tc）
NP80N04PLG-E1B-ay	-	RFQ	9944	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	80A（TC）	4.5V，10V	4.5mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
NP80N04PUG-E1B-ay	-	RFQ	8033	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		40 V	80A（TC）	10V	4.5mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	7350 pf @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
NP80N06MLG-S18-AY	-	RFQ	3442	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		60 V	80A（TC）	4.5V，10V	8.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
NP83P06PDG-E1-AY	3.1100	RFQ	800	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		60 V	83A（TC）	4.5V，10V	8.8mohm @ 41.5A，10V	2.5V @ 1mA	190 NC @ 10 V	±20V	10100 PF @ 10 V	-	1.8W（150W），150w tc）
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2SK1518-E	-	RFQ	8535	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK1518		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	20A（TA）	10V	270MOHM @ 10a，10v	-		±30V	3050 pf @ 10 V	-	120W（TC）
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BCR1AM-12A ＃C01	-	RFQ	4757	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.30.0080	1	单身的													逻辑 -敏感门	600 v	1 a	2 v	10a @ 60hz	7 ma
H7N1002LSTL-E	-	RFQ	8743	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83	H7N1002		MOSFET （金属 o化物）		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		100 v	75a（ta）	4.5V，10V	10mohm @ 37.5A，10V	-	155 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 10 V	-	100W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²