RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BCR12KM-12LBA8 ＃B00	1.2800	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
HFA3128RZ	-	RFQ	7874	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	HFA3128			150MW	16 QFN （3x3）	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	100					-																							15V	65mA						5 PNP		20 @ 10mA，2V	5.5GHz			3.5db @ 1GHz
HD1A3M（0）-T1-AZ	-	RFQ	6751	Renesas Electronics America Inc	HD1	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-243AA	HD1A3			2W	SC-62	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000																												60V	1a					100NA（ICBO）	1 NPN预先偏见，1 NPN	-	200 @ 1A，2V	-	1KOHMS	1KOHMS
BCR3AS-14B ＃B00	-	RFQ	2761	Renesas Electronics America Inc	-	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63					MP-3A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1	单身的															标准	800 v	3 a	1.5 v	30a @ 60Hz	30 ma
HFA3128R96	-	RFQ	4216	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	HFA3128			150MW	16 QFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	6,000					-																							15V	65mA						5 PNP		20 @ 10mA，2V	5.5GHz			3.5db @ 1GHz
FA4F4M-T1B-A	-	RFQ	6661	Renesas Electronics America Inc	-	盒子	过时的				FA4F4M			200兆		下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1																												50 V	100 ma					100NA（ICBO）	npn-预先偏见	200mv @ 250µ，5mA	60 @ 50mA，5V		22欧姆	22欧姆
CR8CM-12B ＃BB0	-	RFQ	1628年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C	通过洞	TO-220-3					TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.30.0080	25			15 ma														600 v	12.6 a	1 V	120a @ 50Hz	15 ma	1.4 v	8 a	2 ma	标准恢复
HFA3128R	-	RFQ	4535	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	表面安装	16-VFQFN暴露垫	HFA3128			150MW	16 QFN （3x3）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	100					-																							15V	65mA						5 PNP		20 @ 10mA，2V	5.5GHz			3.5db @ 1GHz
BCR8FM-12LB ＃BG0	-	RFQ	5255	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	BCR8				TO-220FPA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1	单身的															标准	600 v	8 a	1.5 v	80a @ 50Hz	30 ma
HAT2096H-EL-E	-	RFQ	6762	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2096		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	40a（ta）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 20A，10V	-	40 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 10 V	-	20W（TC）
BCR1AM-8P ＃B00	-	RFQ	2572	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.30.0080	1	单身的															逻辑 -敏感门	400 v	1 a	2 v	10a @ 60hz	5 ma
RD10F 2）-az	0.2000	RFQ	4119	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0050	100
2p6m（5）-Az	1.7100	RFQ	981	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	1
HFA3046B96	-	RFQ	3111	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	HFA3046			150MW	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	2,500					-																							12V	65mA						5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz			3.5db @ 1GHz
HZM3.6NB1TR-E	0.1500	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000
BCR5FM-14LJ ＃BB0	-	RFQ	6072	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.30.0080	1	单身的															标准	800 v	5 a	1.5 v	50a @ 60hz	30 ma
RJK6018DPK-00＃t0	-	RFQ	1472	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJK6018		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道				600 v	30a（TA）	10V	235mohm @ 15a，10v	-	92 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BCR12CM-12LB ＃BH0	-	RFQ	5067	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BCR12				TO-220ABA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	25	单身的															标准	600 v	12 a	1.5 v	120a @ 60Hz	30 ma
BCR08AM-14A-A6 ＃B00	-	RFQ	2088	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BCR08				到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1	单身的															逻辑 -敏感门	700 v	800 MA	2 v	8a @ 60Hz	5 ma
BCR30FM-8LB ＃BB0	-	RFQ	9740	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.30.0080	25	单身的															标准	400 v	30 a	2 v	300A @ 50Hz	30 ma
HFA3096B	-	RFQ	6471	Renesas Electronics America Inc	-	-	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	HFA3096			150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	48					-																							12V，15V	65mA						3 NPN + 2 PNP		40 @ 10mA，2v / 20 @ 10mA，2V	8GHz，5.5GHz			3.5db @ 1GHz
RJH1CV7DPQ-E0 ＃T2	-	RFQ	5458	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		320 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1				600V，35A，5OHM，15V																						200 ns	沟	1200 v	70 a	2.3V @ 15V，35a	3.2MJ（在）上，2.5MJ（2.5MJ）	166 NC	53ns/185ns
BCR25FR-12LB ＃BH0	-	RFQ	3509	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	BCR25				TO-220FPA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	50	单身的															标准	600 v	25 a	2 v	250a @ 50Hz	50 mA
CR6CM-12B ＃BB0	-	RFQ	7929	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C	通过洞	TO-220-3					TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.30.0080	25			15 ma														600 v	9.4 a	1 V	90a @ 50Hz	10 MA	1.7 v	6 a	2 ma	标准恢复
NP90N03VLG-E1-AY	-	RFQ	4154	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				30 V	90A（TC）	4.5V，10V	3.2MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
BCR3FM-12RB ＃BB0	-	RFQ	3266	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.30.0080	1	单身的															标准	600 v	3 a	1.5 v	30a @ 60Hz	15 ma
NP82N055PUG-E1-AY	-	RFQ	4455	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NP82N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道				55 v	82A（TC）	10V	5.2MOHM @ 41A，10V	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
BCR20cm-16磅＃BH0	-	RFQ	5636	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BCR20				TO-220ABA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	25	单身的															标准	800 v	20 a	1.5 v	200a @ 60Hz	30 ma
2SJ673-az	1.7695	RFQ	3443	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	上次购买	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3隔离选项卡			MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	500		P通道				60 V	36a（TC）	4V，10V	20mohm @ 18a，10v	-	87 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 10 V	-	2W（TA），32W（32W）TC）
UPA2706GR-E1-A	-	RFQ	1373	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	供应商不确定		过时的	0000.00.0000	3,000							11A（TJ）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²