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离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	电压 -测试
RJK6026DPP-B1＃t2f	0.8900	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
HZ20-1J-E	0.1100	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
RJK5034DPP-A0 ＃T2	-	RFQ	1906年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包	RJK5034		MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	10a（10a）	10V	850MOHM @ 5A，10V	-	23 NC @ 10 V	±30V	765 pf @ 25 V	-	29.5W（TA）
Hzu3.9b2trf-e	0.1000	RFQ	24	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000
NP60N04MUK-S18-AY	-	RFQ	9937	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NP60N04		MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					40 V	60a（TC）	10V	4.3mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 25 V	-	1.8W（ta），105W（（tc）
HZ6HC1-E	-	RFQ	2116	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
2SK3391JX	3.5200	RFQ	134	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	17 V		表面安装	TO-243AA		100MHz〜2.5GHz	MOSFET	Upak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000	n通道		10µA	150 ma	1.6W	-																	-	13.7 v
HZ7A1LTA-E	0.1000	RFQ	20	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
HZS18-3LTD-E	-	RFQ	5978	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
2SK3113-Z-AZ	-	RFQ	3200	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
HZS12C1TD-E	0.1100	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
BCR16CM-12LA-A6 X2	1.6200	RFQ	43	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	185
RD47E-az	0.0700	RFQ	8055	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	400
haf1004-90str-e	-	RFQ	4334	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	559-HAF1004-90STR-ETRET	过时的		2,500								-
HZU4.7B3TRF-E	0.1300	RFQ	138	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	3,000
2SK3058-AZ	-	RFQ	6474	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
RJK5018DPK-00＃t0	-	RFQ	8076	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJK5018		MOSFET （金属 o化物）	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					500 v	35A（TA）	10V	155MOHM @ 17.5A，10V	-	104 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 25 V	-	200W（TC）
2SB566KC-E	1.5400	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
HZS18NB3TA-E	0.1000	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1
HAT2172N-EL-E	1.8500	RFQ	27	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）	8-LFPAK-IV	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	30a（TA）		7.8mohm @ 15a，10v	-	32 NC @ 10 V		2420 PF @ 10 V	-	20W（TC）
BCR08AM-12A-TB ＃BD0	-	RFQ	9674	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	BCR08			到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	559-BCR08AM-12A-TB ＃BD0TR	Ear99	8541.30.0080	2,000	单身的																逻辑 -敏感门	600 v	800 MA	2 v	8a @ 60Hz	5 ma
1SZ52-az	5.1700	RFQ	61	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
2SA1836-T1-A	-	RFQ	1600	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000
HAT2175H-E	-	RFQ	2183	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2175		MOSFET （金属 o化物）	LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					100 v	15A（TA）	8V，10V	42MOHM @ 7.5A，10V	-	21 NC @ 10 V	±20V	1445 pf @ 10 V	-	15W（TC）
NP75N04VDK-E1-AY	1.3200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）	TO-252（MP-3ZP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	75A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 38A，10V	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 25 V	-	1.2W（ta），75W（tc）
H5N2901LSTL-E	2.4400	RFQ	10	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,000
HZS7C2LTD-E	0.1000	RFQ	25	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
RJL5014DPP-A0 ＃T2	4.9400	RFQ	1859年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）	TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					500 v	（19a ta）	10V	400MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	35W（TA）
RD16ES-T1-AZ	0.0400	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
CR3AS-8B ＃B00	-	RFQ	3939	Renesas Electronics America Inc	-	管子	在sic中停产		-	-	-				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.30.0080	75	-																				-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²