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离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压 -测试	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
RD10E	0.1100	RFQ	404	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1
FS50UM-3	4.4400	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的						FS50UM		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1															-
RJK03E1DNS-00＃j5	1.0900	RFQ	80	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的			150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	276		n通道					30 V	25A（TA）		6.9mohm @ 12.5a，10v	-	10.7 NC @ 4.5 V		2300 PF @ 10 V	-	15W（TC）
UPA1728G-E1-AT	1.2600	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的				表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-psop	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	9a（9a）		26mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 1mA	31 NC @ 10 V		1700 PF @ 10 V	-
RKP434KE＃r5	0.3600	RFQ	390	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的						RKP434					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	10,000
FS70UM-06 ＃B00	38.1800	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的						FS70UM		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1															-
NP16N06QLK-E1-AY	1.7300	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			175°C	表面安装	8-Powerldfn	NP16N06		MOSFET （金属 o化物）	1W（TA），25W（25W）TC）	8-hson（5x5.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						60V	16A（TC）		39mohm @ 8a，10v	2.5V @ 250µA	17NC @ 10V		750pf @ 25V	-
NP90N04VLK-E1-AY	0.8260	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NP90N04		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	559-NP90N04VLK-E1-AYTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	90A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	1.2W（TA），147W（TC）
NP89N04PDK-E1-AY	2.1700	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NP89N04		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	90A（TC）	4.5V，10V	2.95MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
NP75N04YUK-E1-AY	0.8788	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			175°C	表面安装	8-Powerldfn	NP75N04		MOSFET （金属 o化物）		8-hson（5x5.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	75A（TC）	10V	3.3mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	87 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	1W（TA），138W（tc）
NP35N055YUK-E1-AY	0.6446	RFQ	3401	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			175°C	表面安装	8-Powerldfn	NP35N055		MOSFET （金属 o化物）		8-hson（5x5.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					55 v	35A（TC）	10V	6.7MOHM @ 18A，10V	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3360 pf @ 25 V	-	1W（ta），97W（（（（（）
NP30N06QDK-E1-AY	2.3300	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			175°C	表面安装	8-Powerldfn	NP30N06		MOSFET （金属 o化物）	1W（1W），59W（tc）	8-hson（5x5.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）						60V	30A（TC）		14mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	38nc @ 10V		2250pf @ 25V	-
2SK1626-E	2.0000	RFQ	523	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的						2SK1626		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1															-
BB305CEW-TL-E	0.8100	RFQ	42	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的						BB305		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000															-
2SK3391JX	3.5200	RFQ	134	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的		17 V		表面安装	TO-243AA		100MHz〜2.5GHz	MOSFET		Upak	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1,000	n通道		10µA	150 ma	1.6W	-											-		13.7 v
FX50KMJ-06 ＃B00	8.2700	RFQ	11	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的						FX50KMJ		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1															-
RD4.7JS-T1	0.0600	RFQ	28	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
2SK2090-T1-A	-	RFQ	2319	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的				表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3，SSP，微型迷你模具	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	2,055		n通道					50 V	（100mA）（TA）		20ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA			6000 pf @ 3 V	-
FX20KMJ-06 ＃B00	1.7900	RFQ	22	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的						fx20kmj		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1															-
RD6.8E-T2	0.0600	RFQ	866	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	5,000
RD6.8ES-T1	0.0600	RFQ	42	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
RD5.6JS-T1	0.0600	RFQ	81	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
RD8.2ES-T1	0.0600	RFQ	106	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	5,413
RD5.1E-T1	0.0600	RFQ	39	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1
HZ9B1TD-E	0.1100	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	赫兹	大部分	积极的	±2.22％		175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	do-35	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,800																		1 µA @ 5 V		9 V	20欧姆
HZ20-1TA-E	0.1100	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	赫兹	大部分	积极的	±6％		175°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				1 w	do-35	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																		10 µA @ 15 V		20 v	14欧姆
2SA1441（5）-s6-az	2.1800	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1
FS10KMJ-2 ＃B01	1.9200	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的						FS10km		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1															-
HAT1128R01-EL-E	2.0500	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
RJK0384DPA-00＃j53	2.2700	RFQ	24	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²