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离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
UPA503T-T1-A	0.3100	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-74A，SOT-753	UPA503		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-59-5，迷你模具	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）								50V	100mA		60ohm @ 10mA，10v	2.5V @ 1µA	-		17pf @ 5V	-
NP82N04MDG-S18-AY	2.1600	RFQ	700	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		175°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	900			n通道						40 V	82A（TC）		4.2MOHM @ 41A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
RJK1003DPP-A0 ＃T2	3.2300	RFQ	5147	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3	RJK1003		MOSFET （金属 o化物）		TO-220ABA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道						100 v	50a（ta）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	59 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	25W（TA）
CR04AM-12A-A ＃BD0	-	RFQ	3451	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	CR04AM-12				到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	559-CR04AM-12A-A A＃BD0	Ear99	8541.30.0080	1					3 ma														600 v	630 MA	800 mv	10a @ 60hz	30 µA	1.2 v	400 MA	500 µA	标准恢复
UPA2550T1H-T2-AT	0.5500	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2550		MOSFET （金属 o化物）	2.2W	8-VSOF	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）								12V	5a		40mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 1mA	8.7nc @ 4V		930pf @ 10V	逻辑级别门
UPA2723UT1A-E1-AY	1.9400	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-vdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	33A（TA）		2.5MOHM @ 17a，10v	2.5V @ 1mA	64 NC @ 5 V		8100 PF @ 10 V	-
UPA2810T1L-E2-AY	1.0100	RFQ	170	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道						30 V	13A（TA）		12MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 1mA	40 NC @ 10 V		1860 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
UPA606T-T1-A	1.0000	RFQ	9371	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UPA606		MOSFET （金属 o化物）	300MW	6分钟	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）								50V	100mA		25ohm @ 10mA，10v	-	-		16pf @ 5V	逻辑级别门
RJK03B8DPA-00＃j53	0.5100	RFQ	115	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		-	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	30a（TA）		9.3mohm @ 15a，10v	-	9 NC @ 4.5 V		1330 pf @ 10 V	-	28W（TC）
UPA602T-T1-A	0.3200	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-59-6	UPA602		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-59	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）								50V	100mA		25ohm @ 10mA，10v	1.8V @ 1µA	-		16pf @ 5V	逻辑级别门
HAT2172N-EL-E	1.8500	RFQ	27	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-LFPAK-IV	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						40 V	30a（TA）		7.8mohm @ 15a，10v	-	32 NC @ 10 V		2420 PF @ 10 V	-	20W（TC）
NE3512S02-T1D-A	0.6500	RFQ	16	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		12GHz	HFET		S02	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000				70mA		10 MA	-	13.5dB																				0.35dB									2 v
UPA1872BGR-9JG-E1-A	0.7300	RFQ	230	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	UPA1872		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-tssop	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）								20V	10a		13mohm @ 5A，4.5V	1.5V @ 1mA	10NC @ 4V		945pf @ 10V	逻辑级别门
RJK03M9DNS-00＃j5	0.3800	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						30 V	14A（TA）		11.1MOHM @ 7A，10V	-	6 NC @ 4.5 V		980 pf @ 10 V	-	10W（TC）
NE3510M04-T2-A	0.8300	RFQ	250	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			SOT-343F		4GHz	HFET		M04	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000				97MA		15 ma	-	16dB																				0.45dB									2 v
2SK3054-T1-A	0.1200	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3，SSP，微型迷你模具	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道						50 V	（100mA）（TA）		20ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA			8000 pf @ 3 V	-
NP40N055KLE-E1-AY	0.9800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道						55 v	40a（TC）		23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 5 V		1950 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），66W（tc）
NE55410GR-T3-AZ	4.8200	RFQ	31	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	65 v			16-DFF，裸露的垫子		2.14GHz	ldmos		16-HTSSOP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000				250mA，1a		20 ma	35.4dBm	13.5dB																				-									28 V
2SK3659-az	1.4000	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3隔离选项卡			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	200			n通道						20 v	65A（TC）		5.7MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 1mA	32 NC @ 10 V		1700 PF @ 10 V	-
NE3513M04-T2B-A	0.9700	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		12GHz	GAAS HJ-FET		4超级迷你霉菌	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道			60mA		10 MA	125MW	13DB																				0.65dB									2 v
UPA895TS-T3-A	1.0000	RFQ	6770	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅				130MW	6杀手无铅的Minimold	-	不适用				Ear99	8541.21.0075	10,000								-																											5.5V	100mA		2 NPN （双）	100 @ 5mA，1V	6.5GHz	1.9db〜2.5dB @ 2GHz
UPA901TU-T3-A	0.7700	RFQ	30	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-SMD，平坦的铅裸垫				410MW	8毫米	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000								-																											4.5V	75mA，250mA		2 NPN （双）	80 @ 6mA，3v / 80 @ 20mA，3v	-	-
RJK0395DPA-00＃j53	0.5100	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		-	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	30a（TA）		7.7MOHM @ 15A，10V	-	11 NC @ 4.5 V		1670 pf @ 10 V	-	30W（TC）
RJK6026DPP-E0 ＃T2	1.4400	RFQ	40	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	5A（5A）		2.4OHM @ 2.5a，10v	-	14 NC @ 10 V		440 pf @ 25 V	-	28.5W（TC）
RJK60S5DPP-E0 ＃T2	14.8000	RFQ	226	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	100			n通道						600 v	20A（TC）		178mohm @ 10a，10v	-	27 NC @ 10 V		1600 pf @ 25 V	-	33.7W（TC）
UPA2451BTL-E1-A	0.6100	RFQ	65	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	6-VFDFN暴露垫	UPA2451		MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-hwson	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）								30V	8.2a		20mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	9.2nc @ 4V		540pf @ 10V	逻辑级别门
CR8CM-12B ＃B00	1.0000	RFQ	7100	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		-40°C〜150°C	通过洞	TO-220-3					TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	100					15 ma														600 v	12.6 a	1 V	120a @ 50Hz	15 ma	1.4 v	8 a	2 ma	标准恢复
2SK3635-Z-E1-AZ	1.0900	RFQ	8	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						200 v	8A（TC）		430MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 1mA	12 nc @ 10 V		390 pf @ 10 V	-
HSL226KRF-E	0.0900	RFQ	120	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	2-SMD，平坦的铅			肖特基		2-EFP	-	不适用				Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																											25 v	380 mv @ 5 ma	450 na @ 20 V	125°c （最大）	50mA	2.8pf @ 1V，1MHz
UPA573T-T1-A	0.1900	RFQ	9884	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	UPA573		MOSFET （金属 o化物）	200MW	SC-70-5	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,401	2（p 通道（双）								30V	100mA		25ohm @ 10mA，4V	2.3V @ 10µA	-		16pf @ 5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²