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离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
NP74N04YUG-E1-AY	0.7300	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅裸垫	NP74N04		MOSFET （金属 o化物）		8-hson	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			40 V	75A（TC）	10V	5.5MOHM @ 37.5A，10V	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	5430 pf @ 25 V	-	1W（ta），120W（tc）
NP80N06PLG-E1B-ay	-	RFQ	2066	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			60 V	80A（TC）	4.5V，10V	8.3mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
NP83P04PDG-E1-AY	3.2500	RFQ	7259	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			P通道			40 V	83A（TC）		5.3MOHM @ 41.5A，10V	2.5V @ 1mA	200 NC @ 10 V		9820 PF @ 10 V	-
NP88N03KDG-E1-AY	-	RFQ	5379	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			30 V	88A（TC）	4.5V，10V	2.4MOHM @ 44A，10V	2.5V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
NP88N055KUG-E1-AY	-	RFQ	7875	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			55 v	88A（TC）	10V	3.9MOHM @ 44A，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	14400 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
NP90N04MUG-S18-AY	-	RFQ	5428	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			40 V	90A（TC）	10V	3mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±20V	11200 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），217W（TC）
RJK6024DPD-00＃j2	-	RFQ	3284	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			600 v	400mA（TA）	10V	42OHM @ 200mA，10v	-	4.3 NC @ 10 V	±30V	37.5 pf @ 25 V	-	27.2W（TC）
HFA3134IH96	-	RFQ	2521	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	HFA3134			-	6-SOT	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	3,000					-																					9V	26MA					2 NPN （双）	48 @ 10mA，2V	8.5GHz	2.4db @ 1GHz
HFA3134IHZ96	8.0000	RFQ	11	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	HFA3134			-	6-SOT	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	3,000					-																					9V	26MA					2 NPN （双）	48 @ 10mA，2V	8.5GHz	2.4db @ 1GHz
HAT2099H-E	-	RFQ	7964	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2099		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	50a（ta）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 25A，10V	-	75 NC @ 10 V	±20V	4750 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2SJ162-E	-	RFQ	6884	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			P通道			160 v	7a（ta）	10V	-	-		±15V	900 pf @ 10 V	-	100W（TC）
RJK0301DPB-02＃j0	-	RFQ	8789	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0301		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.8mohm @ 30a，10v	-	32 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	5000 pf @ 10 V	-	65W（TC）
RJH1BG7RDPK-00 t0	-	RFQ	5779	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1
RJH60A01RDPD-A0＃j2	-	RFQ	2487	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		29.4 w	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000				300V，5a，5ohm，15V																100 ns					沟	600 v	10 a	2.3V @ 15V，5A	（130µJ）（在70µJ上）	11 NC	30NS/40NS
RJH60A83RDPD-A0＃j2	-	RFQ	4546	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		51 w	TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000				300V，10a，5ohm，15V																130 ns					沟	600 v	20 a	2.6V @ 15V，10a	（230µJ）（在160µJ）上（OFF）	19.7 NC	31ns/54ns
RJK5002DPD-00＃j2	0.5851	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	RJK5002		MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJK5002DPD-00＃j2ct	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			500 v	2.4A（TA）	10V	5ohm @ 1.2A，10V	-	6.7 NC @ 10 V	±30V	165 pf @ 25 V	-	30W（TC）
RJS6004WDPK-00 t0	-	RFQ	5584	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3完整包			SIC （碳化硅）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	600 v	10A（DC）	1.8 V @ 10 A	15 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
RJU4352TDPP-ej t2	-	RFQ	8853	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2完整包			标准		TO-220FP-2L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															430 v		1.8 V @ 20 A	25 ns	1 µA @ 430 V	-55°C〜150°C	20a	-
RJU6052SDPD-E0＃j2	-	RFQ	9665	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															600 v		3 V @ 10 A	25 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	20a	-
RJU6052SDPE-00＃j3	-	RFQ	7754	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SC-83			标准		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															600 v		3 V @ 10 A	25 ns	1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	20a	-
UPA2812T1L-E1-AT	-	RFQ	7980	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hvson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道			30 V	30A（TC）	4.5V，10V	4.8mohm @ 30a，10v	-	100 nc @ 10 V	±20V	3740 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），52W（TC）
H7N1002LS-E	-	RFQ	2261	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83	H7N1002		MOSFET （金属 o化物）		ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			100 v	75a（ta）	4.5V，10V	10mohm @ 37.5A，10V	-	155 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 10 V	-	100W（TC）
HAT2287WP-EL-E	-	RFQ	5647	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	HAT2287		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			200 v	17A（TA）	10V	94mohm @ 8.5a，10v	-	26 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	30W（TC）
RJM0603JSC-00 ＃12	-	RFQ	2687	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	托盘	积极的	175°C	表面安装	20-SOIC （0.433英寸，11.00mm宽度）	RJM0603		MOSFET （金属 o化物）	54W	20-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700	3n和3p 通道（3相桥）					60V	20a		20mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	43nc @ 10V		2600pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
upd63911bgb（a） - gah-ax	-	RFQ	9441	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
UPD70F3417GCA-V02-UEU-X3-QG	-	RFQ	4820	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1
RJH65D27BDPQ-A0 ＃T2	-	RFQ	6026	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJH65D27	标准		375 w	TO-247A	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				400V，50a，10ohm，15V																80 ns					沟	650 v	100 a	1.65V @ 15V，50a	1MJ（在）上，1.5MJ（OFF）	175 NC	20NS/165NS
RJH65T14DPQ-A0 ＃T0	4.9300	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	RJH65T14	标准		250 w	TO-247A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJH65T14DPQ-A0 t0	Ear99	8541.29.0095	25				400V，50a，10ohm，15V																250 ns					沟	650 v	100 a	1.75V @ 15V，50a	1.3MJ（在）上，1.2MJ（1.2MJ）	80 NC	38NS/125NS
RJK2075DPA-00＃j5a	1.4302	RFQ	1977年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RJK2075		MOSFET （金属 o化物）		WPAK（3F）（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJK2075DPA-00＃j5act	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			200 v	20A（TA）	10V	69mohm @ 10a，10v	-	38 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	65W（TA）
RJP65T54DPM-A0 ＃T2	3.8600	RFQ	725	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	SC-94	RJP65T54	标准		63.5 w	TO-3PFP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	-1161-RJP65T54DPM-A0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1				400V，30a，10ohm，15V																					沟	650 v	60 a	1.68V @ 15V，30a	（330µJ）（在760µJ上）	72 NC	35NS/120NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²