RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
RJH60D0DPK-00＃t0	-	RFQ	8028	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJH60D0	标准		140 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1		300V，22a，5ohm，15V											100 ns	沟	600 v	45 a	2.2V @ 15V，22a	（230µJ）（在），290µJ（（（（（）	46 NC	40NS/80N
RJK0456DPB-00＃j5	1.3608	RFQ	6649	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0456		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		40 V	50a（ta）	10V	3.2MOHM @ 25A，10V	-	39 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 10 V	-	65W（TC）
RJK0854DPB-00＃j5	1.5600	RFQ	5015	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		80 V	25A（TA）	10V	13mohm @ 12.5a，10v	-	27 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 10 V	-	55W（TC）
RJK155555DPA-00＃j0	-	RFQ	9662	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RJK1555		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		150 v	25A（TA）	10V	48mohm @ 12.5a，10v	-	38 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 25 V	-	30W（TC）
RJK2055DPA-00＃j0	-	RFQ	8430	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RJK2055		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		200 v	20A（TA）	10V	69mohm @ 10a，10v	-	38 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 25 V	-	30W（TC）
RJK0305DPB-02＃j0	-	RFQ	6124	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0305		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	30a（TA）	4.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	-	8 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1250 pf @ 10 V	-	-
RJK03C1DPB-00＃j5	-	RFQ	8724	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	-	42 NC @ 4.5 V	±20V	6000 pf @ 10 V	（（（）	65W（TC）
RJK0451DPB-00＃j5	0.8335	RFQ	1309	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0451		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		40 V	35A（TA）	4.5V，10V	7MOHM @ 17.5A，10V	-	14 NC @ 4.5 V	±20V	2010 PF @ 10 V	-	45W（TC）
RJK0455DPB-00＃j5	1.2899	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0455		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		40 V	45A（TA）	10V	3.8mohm @ 22.5a，10v	-	34 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 10 V	-	60W（TC）
RJK0851DPB-00＃j5	0.8586	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0851		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		80 V	20A（TA）	4.5V，10V	23mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	14 NC @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 10 V	-	45W（TC）
RJK0852DPB-00＃j5	1.5600	RFQ	536	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		80 V	30a（TA）	4.5V，10V	12mohm @ 15a，10v	-	28 NC @ 4.5 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	55W（TC）
2SJ687-ZK-E1-AY	1.5000	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		20 v	20A（TC）	2.5V，4.5V	7mohm @ 10a，4.5V	-	57 NC @ 4.5 V	±12V	4400 pf @ 10 V	-	1W（ta），36w（tc）
2SK3480-AZ	-	RFQ	9464	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	上次购买	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2SK3480		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25	n通道		100 v	50A（TC）	4.5V，10V	31mohm @ 25a，10v	-	74 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 10 V	-	1.5W（ta），84W（tc）
2SK3481-az	-	RFQ	1860年	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	200	n通道		100 v	30A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 15a，10v	-	48 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），56W（tc）
2SK3483-az	-	RFQ	2596	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		100 v	28a（28a）	4.5V，10V	52mohm @ 14a，10v	-	49 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 10 V	-	1W（ta），40W（40W）TC）
2SK3943-ZP-E1-AY	-	RFQ	4034	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	2SK3943		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		40 V	82A（TC）	5.5V，10V	3.5MOHM @ 41A，10V	-	93 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 10 V	-	1.5W（ta），104W（tc）
NP15P06SLG-E1-AY	1.3200	RFQ	6728	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NP15P06		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		60 V	15A（TA）	4.5V，10V	70MOHM @ 7.5A，10V	2.5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 10 V	-	1.2W（TA），30W（tc）
NP180N04TUG-E1-AY	-	RFQ	2840	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		40 V	180a（TC）	10V	1.5MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±20V	25700 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），288W（tc）
NP35N04YUG-E1-AY	0.6865	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅裸垫	NP35N04		MOSFET （金属 o化物）		8-hson	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		40 V	35A（TC）	10V	10mohm @ 17.5a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2850 pf @ 25 V	-	1W（ta），77W（77W）（TC）
NP36P04SDG-E1-AY	1.6600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NP36P04		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		40 V	36a（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 10 V	-	1.2W（TA），56W（tc）
np36p06kdg-e1-ay	1.8800	RFQ	460	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NP36P06		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	P通道		60 V	36a（TC）	4.5V，10V	29.5MOHM @ 18A，10V	2.5V @ 1mA	54 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 10 V	-	1.8W（ta），56W（TC）
NP48N055KLE-E1-AY	-	RFQ	7356	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		55 v	48A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 24a，10v	2.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），85W（tc）
NP50P04KDG-E1-AY	2.6700	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	800	P通道		40 V	50A（TC）	4.5V，10V	10mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	100 nc @ 10 V	±20V	5100 PF @ 10 V	-	1.8W（ta），90W（90W）TC）
NP50P04SDG-E1-AY	1.9900	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NP50P04		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	5000 pf @ 10 V	-	1.2W（ta），84W（tc）
NP50P06SDG-E1-AY	1.9300	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道		60 V	50A（TC）		16.5MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V		5000 pf @ 10 V	-	1.2W（ta），84W（tc）
NP55N055SDG-E1-AY	-	RFQ	8865	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		55 v	55A（TC）	4.5V，10V	9.5MOHM @ 28A，10V	2.5V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），77W（77W）TC）
NP55N055SUG-E1-AY	-	RFQ	5787	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		55 v	55A（TC）	10V	10mohm @ 28a，10v	-	90 NC @ 10 V	±20V	5250 pf @ 25 V	-	1.2W（ta），77W（77W）TC）
NP60N03SUG-E1-AY	-	RFQ	4533	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		30 V	60a（TC）	10V	3.8mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
NP74N04YUG-E1-AY	0.7300	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅裸垫	NP74N04		MOSFET （金属 o化物）		8-hson	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道		40 V	75A（TC）	10V	5.5MOHM @ 37.5A，10V	4V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	5430 pf @ 25 V	-	1W（ta），120W（tc）
NP80N06PLG-E1B-ay	-	RFQ	2066	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		60 V	80A（TC）	4.5V，10V	8.3mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²