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离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
RJK0391DPA-00＃j5a	0.9497	RFQ	4757	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	RJK0391	MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	50a（ta）	4.5V，10V	2.9mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	34 NC @ 4.5 V	±20V	5600 PF @ 10 V	-	50W（TC）
NP90N04VUK-E1-AY	1.7700	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	NP90N04	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			40 V	90A（TC）	10V	2.8mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	1.2W（TA），147W（TC）
RQHC6140-6DWA＃w0	-	RFQ	3534	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-		-		-	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		-				-	-	-	-		-		-	-
N0434N-S23-AY	2.7300	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	N0434N-S23	MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	100A（TA）	10V	3.7MOHM @ 50a，10v	-	100 nc @ 10 V	±20V	5550 pf @ 25 V	-	1.5W（ta），119w（tc）
RJK0655DPB-00＃j5	1.2814	RFQ	7522	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0655	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			60 V	35A（TA）	10V	6.7MOHM @ 17.5A，10V	-	35 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 10 V	-	60W（TC）
CR2AS-16A-T13 ＃B00	0.6777	RFQ	3865	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	CR2AS-16			MP-3A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3,000			3 ma													800 v	3.1 a	800 mv	20a @ 60hz	100 µA	1.8 v	2 a	100 µA	敏感门
NP50P06KDG-E1-AY	2.4300	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NP50P06	MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道			60 V	50A（TC）	4.5V，10V	17mohm @ 25a，10v	2.5V @ 1mA	95 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 10 V	-	1.8W（ta），90W（90W）TC）
2SK4150TZ-E	-	RFQ	2276	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500		n通道			250 v	400mA（TA）	2.5V，4V	5.7OHM @ 200mA，4V	-	3.7 NC @ 4 V	±10V	80 pf @ 25 V	-	750MW（TA）
HAT2160H-EL-E	-	RFQ	8138	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2160	MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			20 v	60a（ta）	4.5V，10V	2.6mohm @ 30a，10v	2.3V @ 1mA	54 NC @ 4.5 V	±20V	7750 pf @ 10 V	-	30W（TC）
RJK1002DPP-E0＃t2	-	RFQ	1610	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			100 v	70a（ta）	10V	7.6mohm @ 35a，10v	-	94 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 10 V	-	30W（TC）
BCR25cm-12lb ＃BB0	-	RFQ	9473	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.30.0080	25	单身的														标准	600 v	25 a	2 v	250a @ 50Hz	50 mA
HAT2038R-EL-E	-	RFQ	8174	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HAT2038	MOSFET （金属 o化物）	3W	8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				60V	5a		58mohm @ 3a，10v	2.2V @ 1mA	-		520pf @ 10V	逻辑级别门
BCR2PM-14LE ＃B00	-	RFQ	6019	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				TO-220F 2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.30.0080	1	单身的														标准	800 v	2 a	2 v	10a @ 60hz	10 MA
UPA1930TE-T1-AT	0.2209	RFQ	7622	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-95-6		MOSFET （金属 o化物）		SC-95-6，迷你模具薄	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			30 V	4.5A（ta）		77MOHM @ 2.5A，10V	2.5V @ 1mA	7.5 NC @ 10 V		325 pf @ 10 V	-
RJK4006DPD-WS＃j2	-	RFQ	2098	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			400 v	8a（8a）	10V	800MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 1mA	20 nc @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	65W（TC）
RJK0349DSP-00＃j0	-	RFQ	2579	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RJK0349	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	20A（TA）	4.5V，10V	3.8mohm @ 10a，10v	-	25 NC @ 4.5 V	±20V	3850 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
RJK5030DPP-M0 ＃T2	2.5500	RFQ	10	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJK5030	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-RJK5030DPP-M0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	25		n通道			500 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2A，10V	-	13 NC @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	28.5W（TC）
N0300N-T1B-AT	-	RFQ	5521	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	SC-96		MOSFET （金属 o化物）		SC-96-3，薄的迷你模具	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	4.5A（ta）	4.5V，10V	50MOHM @ 2A，10V	-		±20V	350 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
CR02AM-8＃f00	-	RFQ	7763	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜125°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Q7028464	Ear99	8541.30.0080	500			3 ma													400 v	470 MA	800 mv	10a @ 60hz	100 µA	1.6 v	300 MA	100 µA	敏感门
RJK4006DPD-00＃j2	-	RFQ	4443	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		MP-3A	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			400 v	8a（8a）	10V	800MOHM @ 4A，10V	-	20 nc @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	65W（TC）
RJK0305DPB-WS＃j0	-	RFQ	1637年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	30a（TA）	4.5V，10V	8mohm @ 15a，10v	2.5V @ 1mA	8 NC @ 4.5 V	+16V，-12V	1250 pf @ 10 V	-	45W（TC）
2SJ621-T1B-AT	0.1652	RFQ	8881	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-96		MOSFET （金属 o化物）		SC-96-3，薄的迷你模具	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			12 v	3.5A（ta）		44mohm @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.2 NC @ 4 V		630 pf @ 10 V	-
UPA2813T1L-E2-AT	-	RFQ	8518	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	UPA2813	MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			30 V	27a（TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 27a，10v	-	80 NC @ 10 V	±20V	3130 PF @ 10 V	-	1.5W（TA）
2SK1339-E	-	RFQ	4819	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK1339	MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			900 v	3A（3A）	10V	7ohm @ 1.5A，10V	-		±30V	425 pf @ 10 V	-	80W（TC）
2SK3813-az	-	RFQ	3403	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	60a（ta）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	-	96 NC @ 10 V	±20V	5500 pf @ 10 V	-	1W（ta），84W tc（TC）
BCR12CM-12LB ＃BB0	-	RFQ	1839年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BCR12			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.30.0080	25	单身的														标准	600 v	12 a	1.5 v	120a @ 60Hz	30 ma
HFA3128BZ	-	RFQ	7455	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	HFA3128		150MW	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-hfa3128bz	Ear99	8541.21.0075	48				-																					15V	65mA	5 PNP	20 @ 10mA，2V	5.5GHz	3.5db @ 1GHz
NP88N04NUG-S18-AY	-	RFQ	3105	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	88A（TC）	10V	3.4MOHM @ 44A，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
BCR08AS-12AT14 ＃B11	0.4427	RFQ	1662	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-243AA	BCR08			Upak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4,000	单身的														逻辑 -敏感门	600 v	800 MA	2 v	8a @ 60Hz	5 ma
RJK03M1DPA-00＃j5a	2.2300	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RJK03M1	MOSFET （金属 o化物）		WPAK（3F）（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	50a（ta）	4.5V，10V	2.3MOHM @ 25A，10V	-	25 NC @ 4.5 V	±20V	4720 PF @ 10 V	-	45W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²