RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5680）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
NP161N04TUG-E1-AY	3.8500	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	160a（TC）	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	345 NC @ 10 V	20.25 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），250W（TC）
RJK03N6DPA-00＃j5a	0.7000	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	40a（ta）	3.8mohm @ 20a，10v	-	19 nc @ 4.5 V	3220 pf @ 10 V	-	35W（TC）
HAT2218R-EL-E	0.7700	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HAT2218	MOSFET （金属 o化物）	1.5W	8-sop	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）			30V	7.5a，8a	24mohm @ 3.75a，10v	-	4.6NC @ 4.5V	630pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
RJK0329DPB-01＃j0	1.0500	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	不适用	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	55A（ta）	2.3MOHM @ 27.5A，10V	2.5V @ 1mA	35 NC @ 4.5 V	5330 PF @ 10 V	-	60W（TC）
RJJ0315DPA-00＃j5a	1.0000	RFQ	5885	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	35A（TA）	5.9MOHM @ 17.5A，10V	2.5V @ 1mA	48 NC @ 4.5 V	4300 PF @ 10 V	-	30W（TC）
UPA2451CTL-E1-A	0.6100	RFQ	392	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	6-VFDFN暴露垫	UPA2451	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-hwson	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	8.2a	20mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.3nc @ 4V	605pf @ 10V	逻辑级别门
2SJ463A-T1-AT	0.1700	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		SC-70	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	（100mA）（TA）	13ohm @ 10mA，10v	1.7V @ 10µA		5000 pf @ 3 V	-
UPA2450BTL-E1-A	0.5500	RFQ	549	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	6-VFDFN暴露垫	UPA2450	MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-hwson	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			20V	8.6a	17.5MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	8NC @ 4V	520pf @ 10V	逻辑级别门
UPA2590T1H-T2-AT	0.5100	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2590	MOSFET （金属 o化物）	1.24W	8-VSOF	-	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			30V	4.5a	50MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	6.6nc @ 10V	310pf @ 10V	逻辑级别门
RJK60S5DPE-00＃j3	14.8000	RFQ	40	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83		MOSFET （金属 o化物）		ldpak	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		600 v	20A（TC）	178mohm @ 10a，10v	-	27 NC @ 10 V	1600 pf @ 25 V	-	125W（TC）
RJK60S4DPP-E0 ＃T2	4.6200	RFQ	114	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	100		n通道		600 v	16A（TC）	290MOHM @ 8A，10V	-	18 nc @ 10 V	988 PF @ 25 V	-	29.9W（TC）
BCR5am 12 磅＃B01	0.7700	RFQ	785	Renesas Electronics America Inc	-	包	过时的		通过洞	TO-220-3				TO-220-3	-	不适用	Ear99	8541.30.0080	1	单身的											标准	600 v	5 a	1.5 v	50a @ 60hz	20 ma
BCR6AM-12LA ＃B00	0.8500	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		通过洞	TO-220-3				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.30.0080	100	单身的											标准	600 v	6 a	1.5 v	60a @ 60Hz	30 ma
N0600N-S17-AY	0.5200	RFQ	22	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	30a（TA）	36mohm @ 15a，4.5V	-	29.8 NC @ 10 V	1380 pf @ 10 V	-	2W（TA），20W（20W）TC）
UPA2732UT1A-E1-AY	-	RFQ	3024	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		30 V	40a（ta）	3.7MOHM @ 20A，10V	-	133 NC @ 10 V	3280 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
BCR4CM-16LH ＃B00	1.3600	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-3				TO-220AB	下载	不适用	Ear99	8541.30.0080	1	单身的											标准	800 v	4 a	1.5 v	30a @ 60Hz	35 MA
RJK60S3DPP-E0 ＃T2	3.7000	RFQ	129	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	100		n通道		600 v	12a（12a）	440MOHM @ 6A，10V	-	13.6 NC @ 10 V	720 PF @ 25 V	-	27.7W（TC）
BCR8CM-12LA ＃B00	-	RFQ	5766	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		通过洞	TO-220-3				TO-220-3	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.30.0080	1	单身的											标准	600 v	8 a	1.5 v	80a @ 60hz	30 ma
HAT2279N-EL-E	1.0000	RFQ	3936	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-LFPAK-IV	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		80 V	30a（TA）	12.3mohm @ 15a，10v	-	60 NC @ 10 V	3520 PF @ 10 V	-	25W（TC）
RJK0351DPA-00＃j0	0.8500	RFQ	182	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	40a（ta）	4.2MOHM @ 20A，10V	-	17 NC @ 4.5 V	2560 pf @ 10 V	-	45W（TC）
2SC5750-T1-A	0.2900	RFQ	129	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343			200MW	SOT-343	-	不适用	Ear99	8541.21.0075	3,000			15DB															6V	50mA	NPN	75 @ 20mA，3v	15GHz	1.7dB @ 2GHz
UPA651TT-E1-A	0.2900	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		6-wsof	-	rohs3符合条件	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		20 v	5A（5A）	69mohm @ 2.5a，4.5V	1.5V @ 1mA	5.5 NC @ 4 V	600 pf @ 10 V	-	200mw（ta）
RJK0701DPN-E0 ＃T2	3.5500	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	100A（TA）	3.8mohm @ 50a，10v	-	140 NC @ 10 V	10 pf @ 10 V	-	200W（TC）
RJK0702DPP-E0 ＃T2	2.4400	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	90A（ta）	4.8mohm @ 45a，10v	-	89 NC @ 10 V	6450 pf @ 10 V	-	30W（TC）
UPA2803T1L-E2-AY	1.1900	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-vdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	20A（TA）	5.8mohm @ 20a，4.5V	1.5V @ 1mA	20 NC @ 4 V	2450 pf @ 10 V	-
RJK0204DPA-00＃j53	0.9400	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		25 v	50a（ta）	2.7MOHM @ 25A，10V	2.5V @ 1mA	22 NC @ 4.5 V	4240 pf @ 10 V	-	-
UPA1874BGR-9JG-E1-A	0.7300	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	UPA1874	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-tssop	-	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）			30V	8a	14mohm @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	10NC @ 4V	930pf @ 10V	逻辑级别门
RJK03P9DPA-00＃j5a	1.3600	RFQ	24	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫	RJK03P9	MOSFET （金属 o化物）	15W，35W	8-wpak	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（半桥）			30V	20a，50a	7mohm @ 10a，10v	-	7.7nc @ 4.5V	1660pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
RJK0702DPN-E0 ＃T2	2.4400	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		75 v	90A（ta）	4.8mohm @ 45a，10v	-	89 NC @ 10 V	10 pf @ 10 V	-	150W（TC）
2SC4095-T1-A	0.3600	RFQ	189	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA			200MW	SOT-143	下载	不适用	Ear99	8541.21.0075	3,000			12DB															10V	35mA	NPN	50 @ 10mA，6v	10GHz	1.8dB @ 2GHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5680）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²