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离散半导体产品（（5680）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 获得 | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 晶体管类型 | （HFE）（最小） @ ic，vce | 频率 -过渡 | 噪声图（ db typ @ f） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RD7.5E-T4 | 0.0600 |  | 90 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||||||||
 | FX20KMJ-3 ＃B00 | 1.7900 | | 94 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | fx20kmj | - | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||
 | RD8.2E-T4 | 0.0600 | | 25 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | （1 （无限） | 供应商不确定 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | HZ33-3TD-E | 0.1000 | | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA673B-E | 0.4100 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| RD7.5ES-T4 | 0.0600 | | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 5,000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD864K | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC2462LDTR-E | 0.1800 | | 36 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | N0301N-T1-AT | 0.2500 | | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| BCR5PM-12LA-A8 | 1.0000 | | 5657 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| RD4.7E-T1 | 0.0500 | | 14 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD1005-T1-AY | 0.3000 | | 53 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| HVU350TRF | 0.1800 | | 132 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| RD39M-LA | 0.1000 | | 1770年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,800 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | rd6.2f-t7-az | 0.2200 | | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| 2SD467CTZ-E | 0.1300 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | ||||||||||||||||||||||||||||
| HZ1C3TA-E | 0.0600 | | 10 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| RD12E（n）-t2-az | 0.1100 | | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| RD6.2F-T7 | 0.2400 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | UPA653TT-E1-A | 0.3900 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 6-SMD，平坦的铅 | MOSFET （金属 o化物） | 6-wsof | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 2.5a（ta） | 165mohm @ 1.5A，10V | 2.5V @ 1mA | 3.4 NC @ 10 V | 175 pf @ 10 V | - | |||||||||||||||
 | RJK03C0DPA-00＃j53 | 1.8500 | | 463 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET （金属 o化物） | 8-wpak | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 70a（ta） | 2mohm @ 35a，10v | 2.5V @ 1mA | 66 NC @ 4.5 V | 11000 PF @ 10 V | - | 65W（TC） | |||||||||||||
 | 2SC4536-az | - | | 2856 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 条 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | TO-243AA | 2W | SOT-89 | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 7.2dB | 15V | 250mA | NPN | 60 @ 50mA，10v | - | 2DB @ 1GHz | |||||||||||||||
 | UPA2727UT1A-E1-AY | 0.6300 | | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MOSFET （金属 o化物） | 8 dfn3333 （3.3x3.3） | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 16A（TA） | 9.6mohm @ 8a，10v | 2.5V @ 1mA | 11 NC @ 5 V | 1170 pf @ 15 V | - | |||||||||||||||
 | UPA2718AGR-E1-AT | 0.9400 | | 7 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） | MOSFET （金属 o化物） | 8-psop | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 13A（TA） | 9mohm @ 6.5a，10v | 2.5V @ 1mA | 67 NC @ 10 V | 2810 PF @ 10 V | - | |||||||||||||||
| UPA2210T1M-T1-AT | 0.6500 | | 180 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-SMD，平坦的铅 | MOSFET （金属 o化物） | 8-VSOF | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 7.2A（ta） | 29mohm @ 7.2A，4.5V | 1.5V @ 1mA | 16.3 NC @ 4.5 V | 1350 pf @ 10 V | - | 1.1W（TA） | |||||||||||||
| RJK0236DPA-00＃j5a | 0.8400 | | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | MOSFET （金属 o化物） | 8-DFN（5x6） | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 25 v | 50a（ta） | 1.8mohm @ 25a，10v | - | 31 NC @ 4.5 V | 6130 PF @ 10 V | - | 50W（TC） | |||||||||||||
| RJK0366DPA-00＃j0 | 0.8500 | | 19 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET （金属 o化物） | 8-wpak （3） | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 25A（TA） | 11.1MOHM @ 12.5A，10V | - | 6.8 NC @ 10 V | 1010 PF @ 10 V | - | 30W（TC） | |||||||||||||
| UPA2792AGR-E1-AT | 0.9900 | | 107 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 8-Powersoic（0.173“，4.40mm宽度） | UPA2792 | MOSFET （金属 o化物） | 2W | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 30V | 10a | 12.5MOHM @ 5A，10V | - | 42NC @ 10V | 2200pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||
 | UPA811T-T1-A | 0.4300 | | 18 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 200MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 7.5dB | 10V | 35mA | 2 NPN （双） | 80 @ 5mA，3v | 8GHz | 1.9dB @ 2GHz | |||||||||||||||
 | 2SK3984-ZK-E1-AY | 0.8700 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 | MOSFET （金属 o化物） | TO-252（MP-3ZK） | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 100 v | 18A（TC） | 85mohm @ 9a，10v | - | 13 NC @ 10 V | 750 pf @ 10 V | - | 1W（ta），20W（20W）TC） |
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标准产品单位
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