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离散半导体产品（（35）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 数据表 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
ICE35N60W IceMOS Technology ICE35N60W 7.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 5133-ICE35N60W Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 35A（TC） 10V 68mohm @ 18a，10v 3.9V @ 250µA 189 NC @ 10 V ±20V 6090 pf @ 25 V - 231W（TC）
ICE15N73 IceMOS Technology ICE15N73 -
RFQ
 ECAD 6209 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 5133-ICE15N73 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 730 v 15A（TC） 10V 350MOHM @ 7.5A，10V 3.5V @ 250µA 75 NC @ 10 V ±20V 2816 PF @ 100 V - 208W（TC）
ICE60N199 IceMOS Technology ICE60N199 -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 5133-ICE60N199 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 20A（TC） 10V 199mohm @ 10a，10v 3.9V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±20V 1890 pf @ 25 V - 180W（TC）
ICE22N60W IceMOS Technology ICE22N60W -
RFQ
 ECAD 1286 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 5133-ICE22N60W Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 22a（TC） 10V 160mohm @ 11a，10v 3.9V @ 250µA 72 NC @ 10 V ±20V 2730 PF @ 25 V - 208W（TC）
ICE60N330FP IceMOS Technology ICE60N330FP -
RFQ
 ECAD 9157 0.00000000 ICEMOS技术 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 MOSFET （金属 o化物） TO-220FP 下载 5133-ICE60N330FP Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 12A（TC） 10V 330MOHM @ 5A，10V 3.9V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±20V 1250 pf @ 25 V - 35W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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