分立半导体产品(2)

参考图片	产品编号	价格（美元）	数量	电子计算机辅助设计	可用数量	重量（公斤）	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
	CC-C2-B15-0322	15.0000	询价		30	0.00000000	酷CAD	-	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	SiCFET（碳化硅）	TO-247	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	3892-CC-C2-B15-0322	5	N沟道	1200伏	12A（塔）	15V	135毫欧@10A，15V	3.2V@5mA	40nC@15V	+15V，-5V	1810pF@200V	标准	100W（温度）
	CC-CN-23-0123	15.0000	询价		10	0.00000000	酷CAD	-	大部分	的积极	-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	3892-CC-CN-23-0123	5			20A（塔）		85毫欧@10A，15V	2.4V@5mA	16nC@5V		810 pF @ 200 V	标准

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