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分立半导体产品(32)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装/箱 技术 供应商设备包 RoHS 状态 敏感湿度等级（MSL） 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 分散配置 电压 - 反向 (Vr)（最大） 当前 - 平均调整 (Io)（每个分区） 电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr、F
SDS065J004D3 Sanan Semiconductor SDS065J004D3 1.6100
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 ECAD 7809 0.00000000 三安半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 SiC（碳化硅）肖特基 TO-252-2L 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8541.10.0000 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@4A 0纳秒 650V时为12μA -55℃～175℃ 14A 213pF @ 0V、1MHz
SDS120J005D3 Sanan Semiconductor SDS120J005D3 2.8000
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 ECAD 1989年 0.00000000 三安半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 SiC（碳化硅）肖特基 TO-252-2L 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8541.10.0000 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.5V@5A 0纳秒 1200V时为20μA -55℃～175℃ 22A 400pF @ 0V、1MHz
SDS065J020H3 Sanan Semiconductor SDS065J020H3 6.3000
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 ECAD 2667 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J020H3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@20A 0纳秒 40μA@650V -55℃～175℃ 51A 1018pF @ 0V、1MHz
SDS120J010H3 Sanan Semiconductor SDS120J010H3 5.0100
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 ECAD 5247 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS120J010H3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.5V@10A 0纳秒 1200V时为30μA -55℃～175℃ 36A 780pF @ 0V、1MHz
SDS120J002D3 Sanan Semiconductor SDS120J002D3 1.4200
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 ECAD 4074 0.00000000 三安半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 SiC（碳化硅）肖特基 TO-252-2L 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8541.10.0000 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.5V@2A 0纳秒 1200V时为8μA -55℃～175℃ 11A 165pF @ 0V、1MHz
SDS120J020G3 Sanan Semiconductor SDS120J020G3 8.0400
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 ECAD 2728 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-3L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS120J020G3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 1200伏 36A 1.5V@10A 0纳秒 1200V时为30μA -55℃～175℃
SDS120J030H3 Sanan Semiconductor SDS120J030H3 10.8300
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 ECAD 9338 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS120J030H3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.5V@30A 0纳秒 1200V时为72μA -55℃～175℃ 95A 2546pF @ 0V、1MHz
SDS120J010D3 Sanan Semiconductor SDS120J010D3 5.1200
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 ECAD 9659 0.00000000 三安半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 SiC（碳化硅）肖特基 TO-252-2L 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8541.10.0000 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.5V@10A 0纳秒 1200V时为30μA -55℃～175℃ 37A 780pF @ 0V、1MHz
SDS120J010C3 Sanan Semiconductor SDS120J010C3 5.2700
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 ECAD 5757 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS120J010C3 EAR99 8541.10.0000 1,000 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.5V@10A 0纳秒 1200V时为30μA -55℃～175℃ 37A 780pF @ 0V、1MHz
SDS065J004C3 Sanan Semiconductor SDS065J004C3 1.1000
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 ECAD 6146 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J004C3 EAR99 8541.10.0000 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@4A 0纳秒 650V时为12μA -55℃～175℃ 14A 213pF @ 0V、1MHz
SDS120J005C3 Sanan Semiconductor SDS120J005C3 2.9500
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 ECAD 1507 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS120J005C3 EAR99 8541.10.0000 1,000 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.5V@5A 0纳秒 1200V时为20μA -55℃～175℃ 22A 400pF @ 0V、1MHz
SDS065J040G3 Sanan Semiconductor SDS065J040G3 10.6200
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 ECAD 7453 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-3L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J040G3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 51A 1.5V@20A 0纳秒 40μA@650V -55℃～175℃
SDS065J016H3 Sanan Semiconductor SDS065J016H3 5.9300
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 ECAD 5280 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J016H3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@16A 0纳秒 650V时为48μA -55℃～175℃ 44A 837pF @ 0V、1MHz
SDS065J006E3 Sanan Semiconductor SDS065J006E3 2.4600
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 ECAD 7074 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB SiC（碳化硅）肖特基 TO-263-2L 符合ROHS3标准 3（168小时） 5023-SDS065J006E3 EAR99 8541.10.0000 800 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@6A 0纳秒 650V时为20μA -55℃～175℃ 20A 310pF @ 0V、1MHz
SDS120J002C3 Sanan Semiconductor SDS120J002C3 1.7000
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 ECAD 1625 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS120J002C3 EAR99 8541.10.0000 1,000 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.5V@2A 0纳秒 1200V时为8μA -55℃～175℃ 11A 165pF @ 0V、1MHz
SDS065J012C3 Sanan Semiconductor SDS065J012C3 3.6800
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 ECAD 4729 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J012C3 EAR99 8541.10.0000 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@12A 0纳秒 650V时为36μA -55℃～175℃ 37A 651pF @ 0V、1MHz
SDS065J010E3 Sanan Semiconductor SDS065J010E3 2.8000
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 ECAD 第1387章 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB SiC（碳化硅）肖特基 TO-263-2L 符合ROHS3标准 3（168小时） 5023-SDS065J010E3 EAR99 8541.10.0000 800 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@10A 0纳秒 650V时为30μA -55℃～175℃ 30A 556pF @ 0V、1MHz
SDS065J016C3 Sanan Semiconductor SDS065J016C3 5.2700
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 ECAD 6166 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J016C3 EAR99 8541.10.0000 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@16A 0纳秒 650V时为48μA -55℃～175℃ 44A 837pF @ 0V、1MHz
SDS065J020G3 Sanan Semiconductor SDS065J020G3 6.3000
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 ECAD 3807 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-3L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J020G3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 30A 1.5V@10A 0纳秒 650V时为30μA -55℃～175℃
SDS065J016G3 Sanan Semiconductor SDS065J016G3 5.5300
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 ECAD 9398 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-3L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J016G3 EAR99 8541.10.0000 300 快速恢复=<500ns，>200毫安（Io） 1对共轴线 650伏 25A 1.5V@8A 650V时为24μA -55℃～175℃
SDS120J027H3 Sanan Semiconductor SDS120J027H3 10.8900
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 ECAD 5197 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS120J027H3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.8V@27A 0纳秒 1200V时为80μA -55℃～175℃ 77A 1761pF @ 0V、1MHz
SDS065J006C3 Sanan Semiconductor SDS065J006C3 2.4200
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 ECAD 6272 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J006C3 EAR99 8541.10.0000 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@6A 0纳秒 650V时为20μA -55℃～175℃ 20A 310pF @ 0V、1MHz
SDS065J030G3 Sanan Semiconductor SDS065J030G3 8.5100
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 ECAD 第1351章 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-3L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J030G3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 44A 1.5V@15A 0纳秒 650V时为48μA -55℃～175℃
SDS065J006S3 Sanan Semiconductor SDS065J006S3 2.3000
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 ECAD 1961年 0.00000000 三安半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 4-PowerVSFN SiC（碳化硅）肖特基 4-DFN (8x8) 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8541.10.0000 3,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@6A 0纳秒 650V时为18μA -55℃～175℃ 23A 310pF @ 0V、1MHz
SDS120J010G3 Sanan Semiconductor SDS120J010G3 5.7900
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 ECAD 8702 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 SiC（碳化硅）肖特基 TO-247-3L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS120J010G3 EAR99 8541.10.0000 300 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 1200伏 20A 1.5V@5A 0纳秒 1200V时为20μA -55℃～175℃
SDS065J020C3 Sanan Semiconductor SDS065J020C3 5.7900
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 ECAD 3621 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 SiC（碳化硅）肖特基 TO-220-2L 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J020C3 EAR99 8541.10.0000 1,000 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@20A 0纳秒 40μA@650V -55℃～175℃ 51A 1018pF @ 0V、1MHz
SDS120J010E3 Sanan Semiconductor SDS120J010E3 5.2700
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 ECAD 4536 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB SiC（碳化硅）肖特基 TO-263-2L 符合ROHS3标准 3（168小时） 5023-SDS120J010E3 EAR99 8541.10.0000 800 无恢复T>500mA(Io) 1200伏 1.5V@10A 0纳秒 1200V时为30μA -55℃～175℃ 37A 780pF @ 0V、1MHz
SDS065J008S3 Sanan Semiconductor SDS065J008S3 2.8300
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 ECAD 8248 0.00000000 三安半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8541.10.0000 3,000
SDS065J010N3 Sanan Semiconductor SDS065J010N3 3.0600
询价
 ECAD 4699 0.00000000 三安半导体 - 管子 的积极 符合ROHS3标准 不适用 5023-SDS065J010N3 EAR99 8541.10.0000 1,000
SDS065J002D3 Sanan Semiconductor SDS065J002D3 1.1000
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 ECAD 9845 0.00000000 三安半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63 SiC（碳化硅）肖特基 TO-252-2L 符合ROHS3标准 3（168小时） EAR99 8541.10.0000 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.5V@2A 0纳秒 650V时为8μA -55℃～175℃ 9A 113pF @ 0V、1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

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