SIC
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离散的半导体产品（（32）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f
SDS065J020H3 Sanan Semiconductor SDS065J020H3 6.3000
RFQ
 ECAD 2667 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J020H3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 20 A 0 ns 40 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 51a 1018pf @ 0v，1MHz
SDS065J004D3 Sanan Semiconductor SDS065J004D3 1.6100
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Sanan半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SIC （碳化硅） TO-252-2L rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.10.0000 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 4 A 0 ns 12 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 14a 213pf @ 0v，1MHz
SDS120J002D3 Sanan Semiconductor SDS120J002D3 1.4200
RFQ
 ECAD 4074 0.00000000 Sanan半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SIC （碳化硅） TO-252-2L rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.10.0000 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.5 V @ 2 A 0 ns 8 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 11a 165pf @ 0v，1MHz
SDS120J010H3 Sanan Semiconductor SDS120J010H3 5.0100
RFQ
 ECAD 5247 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS120J010H3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.5 V @ 10 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 36a 780pf @ 0v，1MHz
SDS120J020G3 Sanan Semiconductor SDS120J020G3 8.0400
RFQ
 ECAD 2728 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS120J020G3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 36a 1.5 V @ 10 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
SDS120J005D3 Sanan Semiconductor SDS120J005D3 2.8000
RFQ
 ECAD 1989 0.00000000 Sanan半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SIC （碳化硅） TO-252-2L rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.10.0000 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.5 V @ 5 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 22a 400pf @ 0v，1MHz
SDS065J016G3 Sanan Semiconductor SDS065J016G3 5.5300
RFQ
 ECAD 9398 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J016G3 Ear99 8541.10.0000 300 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 650 v 25a 1.5 V @ 8 A 24 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
SDS065J016C3 Sanan Semiconductor SDS065J016C3 5.2700
RFQ
 ECAD 6166 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J016C3 Ear99 8541.10.0000 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 16 A 0 ns 48 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 44a 837pf @ 0v，1MHz
SDS065J020G3 Sanan Semiconductor SDS065J020G3 6.3000
RFQ
 ECAD 3807 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J020G3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 30a 1.5 V @ 10 A 0 ns 30 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
SDS065J004C3 Sanan Semiconductor SDS065J004C3 1.1000
RFQ
 ECAD 6146 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J004C3 Ear99 8541.10.0000 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 4 A 0 ns 12 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 14a 213pf @ 0v，1MHz
SDS120J027H3 Sanan Semiconductor SDS120J027H3 10.8900
RFQ
 ECAD 5197 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS120J027H3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.8 V @ 27 A 0 ns 80 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 77a 1761pf @ 0v，1MHz
SDS120J002C3 Sanan Semiconductor SDS120J002C3 1.7000
RFQ
 ECAD 1625年 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS120J002C3 Ear99 8541.10.0000 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.5 V @ 2 A 0 ns 8 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 11a 165pf @ 0v，1MHz
SDS065J006E3 Sanan Semiconductor SDS065J006E3 2.4600
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB SIC （碳化硅） TO-263-2L rohs3符合条件 3（168）） 5023-SDS065J006E3 Ear99 8541.10.0000 800 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 6 A 0 ns 20 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 20a 310pf @ 0v，1MHz
SDS065J010E3 Sanan Semiconductor SDS065J010E3 2.8000
RFQ
 ECAD 1387 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB SIC （碳化硅） TO-263-2L rohs3符合条件 3（168）） 5023-SDS065J010E3 Ear99 8541.10.0000 800 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 10 A 0 ns 30 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 30a 556pf @ 0v，1MHz
SDS120J010D3 Sanan Semiconductor SDS120J010D3 5.1200
RFQ
 ECAD 9659 0.00000000 Sanan半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SIC （碳化硅） TO-252-2L rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.10.0000 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.5 V @ 10 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 37a 780pf @ 0v，1MHz
SDS120J030H3 Sanan Semiconductor SDS120J030H3 10.8300
RFQ
 ECAD 9338 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS120J030H3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.5 V @ 30 A 0 ns 72 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 95a 2546pf @ 0v，1MHz
SDS120J010C3 Sanan Semiconductor SDS120J010C3 5.2700
RFQ
 ECAD 5757 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS120J010C3 Ear99 8541.10.0000 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.5 V @ 10 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 37a 780pf @ 0v，1MHz
SDS065J040G3 Sanan Semiconductor SDS065J040G3 10.6200
RFQ
 ECAD 7453 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J040G3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 51a 1.5 V @ 20 A 0 ns 40 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
SDS065J012C3 Sanan Semiconductor SDS065J012C3 3.6800
RFQ
 ECAD 4729 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J012C3 Ear99 8541.10.0000 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 12 A 0 ns 36 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 37a 651pf @ 0v，1MHz
SDS120J005C3 Sanan Semiconductor SDS120J005C3 2.9500
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS120J005C3 Ear99 8541.10.0000 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.5 V @ 5 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 22a 400pf @ 0v，1MHz
SDS065J016H3 Sanan Semiconductor SDS065J016H3 5.9300
RFQ
 ECAD 5280 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC （碳化硅） TO-247-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J016H3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 16 A 0 ns 48 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 44a 837pf @ 0v，1MHz
SDS065J030G3 Sanan Semiconductor SDS065J030G3 8.5100
RFQ
 ECAD 1351 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J030G3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 650 v 44a 1.5 V @ 15 A 0 ns 48 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
SDS065J006S3 Sanan Semiconductor SDS065J006S3 2.3000
RFQ
 ECAD 1961年 0.00000000 Sanan半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 4-Powervsfn SIC （碳化硅） 4-DFN（8x8） rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.10.0000 3,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 6 A 0 ns 18 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 23a 310pf @ 0v，1MHz
SDS120J010G3 Sanan Semiconductor SDS120J010G3 5.7900
RFQ
 ECAD 8702 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC （碳化硅） TO-247-3L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS120J010G3 Ear99 8541.10.0000 300 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 1200 v 20a 1.5 V @ 5 A 0 ns 20 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
SDS065J010C3 Sanan Semiconductor SDS065J010C3 2.9500
RFQ
 ECAD 6644 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J010C3 Ear99 8541.10.0000 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 10 A 0 ns 30 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 30a 556pf @ 0v，1MHz
SDS120J010E3 Sanan Semiconductor SDS120J010E3 5.2700
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB SIC （碳化硅） TO-263-2L rohs3符合条件 3（168）） 5023-SDS120J010E3 Ear99 8541.10.0000 800 没有恢复t> 500mA（IO） 1200 v 1.5 V @ 10 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 37a 780pf @ 0v，1MHz
SDS065J002D3 Sanan Semiconductor SDS065J002D3 1.1000
RFQ
 ECAD 9845 0.00000000 Sanan半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 SIC （碳化硅） TO-252-2L rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.10.0000 2,500 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 2 A 0 ns 8 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 9a 113pf @ 0v，1MHz
SDS065J008C3 Sanan Semiconductor SDS065J008C3 2.6300
RFQ
 ECAD 2379 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J008C3 Ear99 8541.10.0000 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 8 A 0 ns 24 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 25a 395pf @ 0v，1MHz
SDS065J010N3 Sanan Semiconductor SDS065J010N3 3.0600
RFQ
 ECAD 4699 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J010N3 Ear99 8541.10.0000 1,000
SDS065J020C3 Sanan Semiconductor SDS065J020C3 5.7900
RFQ
 ECAD 3621 0.00000000 Sanan半导体 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L rohs3符合条件 不适用 5023-SDS065J020C3 Ear99 8541.10.0000 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.5 V @ 20 A 0 ns 40 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 51a 1018pf @ 0v，1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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