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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CBR06P65HL | 1.9900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 切带 (CT) | 的积极 | 表面贴装 | 4-PowerTSFN | SiC(碳化硅)肖特基 | 4-DFN (8x8) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~150℃ | 18A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MSHM30N46 | 0.4500 | ![]() | 150 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | DFN3X3 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET(金属O化物) | DFN3333 | 下载 | 符合RoHS标准 | REACH旅行 | 4727-MSHM30N46TR | EAR99 | 1 | N沟道 | 30V | 46A(塔) | 4.5V、10V | 9毫欧@15A,10V | 2.5V@250μA | ±20V | 标准 | - | ||||||||||||||
![]() | MS40N05 | 0.1900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | SOT-23 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23 | 下载 | 符合RoHS标准 | REACH旅行 | 4727-MS40N05TR | EAR99 | 1 | N沟道 | 40V | 5A(塔) | 4.5V、10V | 32mOhm@4A,10V | 2.5V@250μA | 5.5nC@4.5V | ±20V | 593pF@15V | - | 1.25W(塔) | ||||||||||||
![]() | CBR10P65HL | 2.7300 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | 4-PowerTSFN | SiC(碳化硅)肖特基 | 4-DFN (8x8) | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 650V时为25μA | -55℃~150℃ | 30A | - | ||||||||||||||||||
![]() | CBR20120PC | 12.0100 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-3L | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 20A | 1.7V@10A | 0纳秒 | 100μA@1200V | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||
![]() | CBR08P65D | 2.2500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | 汽车,AEC-Q101 | 切带 (CT) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2L | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@8A | 0纳秒 | 650V时为25μA | -55℃~175℃ | 29A | - | ||||||||||||||||||
![]() | MS23P05 | 0.1300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | SOT-23 | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | MOSFET(金属O化物) | SOT-23 | 下载 | 符合RoHS标准 | REACH旅行 | 4727-MS23P05TR | EAR99 | 1 | P沟道 | 20V | 3.1A(塔) | 1.8V、10V | 55mOhm@3A,10V | 1.2V@250μA | 9.7nC@4.5V | ±12V | 686pF@15V | - | 1W(塔) | ||||||||||||
![]() | US1M | 0.3600 | ![]() | 81 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | SMA | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | DO-214AC、SMA | 标准 | DO-214AC (SMA) | 下载 | 符合RoHS标准 | REACH旅行 | 4727-US1MTR | EAR99 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1000伏 | 1.7V@2A | 75纳秒 | -55℃~150℃ | 1A | ||||||||||||||||||
![]() | CBR20P65PC | 5.1900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-3L | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 21A | 1.7V@10A | 0纳秒 | 650V时为25μA | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||
![]() | CBR10P65 | 2.7300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 布鲁克韦尔 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2L | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 10 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 650V时为25μA | -55℃~175℃ | 29A | - |

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