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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 功率 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAS299 | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 45,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 100 v | 420mA | 1.25 V @ 300 mA | 6 ns | 1 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSGPD540S | 0.2800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-90,SOD-323F | 肖特基 | SOD-323F | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 500 mA | 80 µA @ 40 V | -55°C〜150°C | 500mA | 25pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2215 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W(TA) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 20V | 3A(3A) | 85MOHM @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 510pf @ 15V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2300 | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 4.5a | 2.5V,4.5V | 55MOHM @ 3.6A,4.5V | 1.2V @ 250µA | 4 NC @ 4.5 V | ±12V | 300 pf @ 10 V | - | 1.3W | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2145CH6 | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | SOT-23-6薄,TSOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.7W | 6-TSOP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | - | 20V | 4.8A(TC),2.9a tc) | 55mohm @ 3.6a,4.5V,80Mohm @ 3a,4.5V | 1V @ 250µA | - | 420pf @ 10V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC0204 | 0.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 20 v | 4A(TC) | 1.8V,4.5V | 65mohm @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 7.2 NC @ 4.5 V | ±10V | 360 pf @ 15 V | - | 1.56W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBCP54-16 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | - | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 45 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 63 @ 150mA,2V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAV756 | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 标准 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对共同阳极,1对公共阴极 | 75 v | 150mA | 1.25 V @ 150 mA | 4 ns | 2.5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAS70-05AT | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-523 | 肖特基 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFF0308 | 0.3500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 8,000 | n通道 | 30 V | 780mA(TA) | 2.5V,4.5V | 450MOHM @ 300mA,4.5V | 1.2V @ 250µA | 5.2 NC @ 4.5 V | ±12V | 146 pf @ 15 V | - | 446MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMSZ4689 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101,SMSZ4XXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFC02501 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 25 v | 850mA(ta) | 1.8V,4.5V | 640MOHM @ 550mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.8 NC @ 4.5 V | ±8V | 58 pf @ 10 V | - | 690MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFK0501E | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 300MW(TA) | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 50V | 180mA(TA) | 4ohm @ 150mA,10v | 3V @ 250µA | 530pc @ 10V | 25.2pf @ 25V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GS2N7002KW | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 60 V | 340ma(ta) | 4.5V,10V | 2.5Ohm @ 300mA,10v | 2.5V @ 250µA | 2.4 NC @ 10 V | ±20V | 18 pf @ 30 V | - | 350MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFH0970 | 3.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GSFH0970 | Ear99 | 8541.21.0080 | 50 | n通道 | 100 v | 160a(TC) | 10V | 3.5mohm @ 20a,10v | 3.5V @ 250µA | 450 NC @ 10 V | ±20V | 26000 PF @ 25 V | - | 208W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFN3904 | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 3.8mohm @ 24a,10v | 2.5V @ 250µA | 34 NC @ 4.5 V | ±20V | 3190 pf @ 25 V | - | 66W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFK0501 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | MOSFET (金属 o化物) | 300MW(TA) | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | - | 50V | 130mA(ta) | 10ohm @ 100mA,5V | 2V @ 1mA | - | 56pf @ 20V | 标准 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFP0341 | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-POWERTDFN | MOSFET (金属 o化物) | 8-ppak(5.1x5.71) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 30 V | 40a(TC) | 4.5V,10V | 17.8mohm @ 8a,10v | 2.5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | ±20V | 1650 pf @ 15 V | - | 53W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFB0305 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 1.9W(TA),7.4W(TC) | 6-ppak(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 30V | 4.2A(ta),8a tc(8a tc) | 75MOHM @ 3A,10V | 2.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 820pf @ 15V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV21W | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | BAV21 | 标准 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SL510B | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 肖特基 | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 700 mv @ 5 a | 50 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 5a | 350pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK3C0A | 0.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 850 mv @ 3 a | 30 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAV20WS | 0.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 标准 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 150 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 NA @ 150 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C5V1 | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXXS | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5.88% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 500兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK54A | 0.5000 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 5 a | 200 NA @ 40 V | -55°C〜150°C | 5a | 96pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S3134K | 0.2200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-723 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-723 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 8,000 | n通道 | 20 v | 750mA(TA) | 1.8V,4.5V | 380MOHM @ 650mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | ±12V | 120 pf @ 16 V | - | 150MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPSL13 | 0.3800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | 肖特基 | SOD-123HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 420 mv @ 1 A | 200 µA @ 30 V | -55°C〜125°C | 1a | 85pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK56A | 0.3700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 670 mv @ 5 a | 150 na @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | 96pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSPS23 | 0.3300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123H | 肖特基 | SOD-123HS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 510 mv @ 2 a | 50 µA @ 30 V | -55°C〜150°C | 2a | 120pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB16 | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-269AA,4-Besop | 肖特基 | TO-269AA(MBS) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 700 mv @ 1 A | 500 µA @ 60 V | 1 a | 单相 | 60 V |
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