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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BAV23S | 0.1300 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BAV23X | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对系列连接 | 250 v | 225mA | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 NA @ 250 V | -55°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Gn1g | 0.2100 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1 V @ 1 A | 1.8 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 12pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAS21C | 0.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 标准 | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 200 v | 200mA | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | 150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BAT54 | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 肖特基 | SOT-23-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | 200mA | 10pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GR1M | 0.2000 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.3 V @ 1 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 7.6pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSBAS70-05AT | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-523 | 肖特基 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 70 v | 70mA | 1 V @ 15 mA | 5 ns | 100 na @ 50 V | -55°C〜125°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | B5817W | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | 肖特基 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 450 MV @ 1 A | 1 ma @ 20 V | -50°C〜150°C | 1a | 120pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MBRF20200CT | 0.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3完整包,隔离选项卡 | 肖特基 | ITO-220-AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MBRF20200CT | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 200 na @ 200 V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5231B | 0.1200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GBU4J | 0.8300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4-SIP,GBU | 标准 | gbu | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-GBU4J | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 2 A | 5 µA @ 600 V | 3 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK56A | 0.3700 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 670 mv @ 5 a | 150 na @ 60 V | -55°C〜150°C | 5a | 96pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMSZ4687 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101,SMSZ4XXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 4 µA @ 2 V | 4.3 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MB16 | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-269AA,4-Besop | 肖特基 | TO-269AA(MBS) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 700 mv @ 1 A | 500 µA @ 60 V | 1 a | 单相 | 60 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMSZ4681 | 0.1800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101,SMSZ4XXX | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 1 V | 2.4 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1SMB5918B | 0.4400 | ![]() | 2503 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | DO-214AA,SMB | 3 W | DO-214AA(SMB) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 4欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF7120 | 0.3900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | MOSFET (金属 o化物) | 312MW(TC) | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 800mA(TC),400mA (TC) | 300MOHM @ 500mA,4.5V,600MOHM @ 300mA,4.5V | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 75pf @ 10v,78pf @ 10V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSR3000 | 0.3700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | DO-204AC(DO-15) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 3000 v | 3000 V @ 200 V | v | 200 ma @ 4 V | 通过洞 | 200mA | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | es1g | 0.2200 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜125°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SSF2215 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-23-6 | MOSFET (金属 o化物) | 1.25W(TA) | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2个p通道 | 20V | 3A(3A) | 85MOHM @ 3A,4.5V | 1V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 510pf @ 15V | 标准 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5401G | 0.4000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 3 A | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C9V1 | 0.1300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXXS | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.04% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 500兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 500 na @ 6 V | 9.1 v | 15欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SK3C0A | 0.3900 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | DO-214AC(SMA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 7,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 850 mv @ 3 a | 30 µA @ 200 V | -55°C〜150°C | 3a | 80pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MUR1560 | 1.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | 标准 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 4786-MUR1560 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.9 V @ 15 A | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 15a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMSZ5242B | 0.1200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | MMS52XXB | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSS138 | 0.1800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜175°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n通道 | 50 V | 220mA(TJ) | 4.5V,10V | 3.5OHM @ 220mA,10V | 1.5V @ 250µA | 2.4 NC @ 10 V | ±20V | 30 pf @ 25 V | - | 430MW | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZT52C4V7S | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | BZT52CXXXS | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±6.38% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | 500兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 3 µA @ 2 V | 4.7 v | 80欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FS24 | 0.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | 肖特基 | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 520 mv @ 2 a | 500 NA @ 40 V | -55°C〜150°C | 2a | 120pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFD1550 | 1.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(DPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n通道 | 150 v | 50A(TC) | 10V | 22mohm @ 25a,10v | 4V @ 250µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 3450 PF @ 75 V | - | 133W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC856 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 65V | 100mA | 15NA(icbo) | 2 PNP | 300mv @ 5mA,100mA | 110 @ 2mA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GSFL1003 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 好公园的半导体 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | MOSFET (金属 o化物) | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0080 | 3,000 | P通道 | 100 v | 2A(TA) | 4.5V,10V | 200mohm @ 2a,10v | 2.2V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±20V | 2000 pf @ 50 V | - | 1.78W(TA) |
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